“玛特森技术公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果114个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]提高远程等离子体产生的氧化膜的质量的表面预处理工艺-CN202310094092.3在审
发明人：谢挺;吕新亮;仲華;杨晓晅 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供用于氧化工件的工艺。在一个示例中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法包括对处理腔室中的工件执行预氧化处理工艺以在所述工件上引发氧化物层形成。所述方法包括对所述处理腔室中的所述工件执行远程等离子体氧化工艺，以继续在所述工件上进行氧化物层形成。在执行预氧化处理工艺和远程等离子体氧化工艺之后，所述方法可包括将所述工件从所述处理腔室移除。在一些实施例中，所述远程等离子体氧化工艺可包括：在等离子体腔室中由远程等离子体氧化工艺气体生成第一等离子体；过滤在所述等离子体中生成的物质以生成具有一种或多种自由基的混合物；以及将所述一种或多种自由基暴露于所述工件。
提高远程等离子体产生氧化质量表面预处理工艺

[发明专利]用于等离子体处理装置的用于能够更换的部件的存储片架-CN202211391580.2在审
发明人：劳建邦;P·J·莱姆比斯 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：提供了用于工件处理系统的片架。片架被配置为容纳一个或多个能够更换的部件、一个或多个工件以及一个或多个基座保护器。片架包括分隔器，分隔器被配置为将一个或多个能够更换的部件与一个或多个工件和/或一个或多个基座保护器分隔开。片架被配置为设置在工件处理装置的存储腔室中，以便于在一个或多个处理腔室中自动更换能够更换的部件。还提供了在工件处理系统中的更换能够更换的部件的工件处理系统和方法。
用于等离子体处理装置能够更换部件存储

[发明专利]使用有机自由基对含碳膜的表面处理-CN201880078060.1有效
发明人：杨晓晅;仲華;吕新亮 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供用于处理具有有机自由基的工件的表面处理工艺。在一个示例性实施中，用于处理具有半导体材料和含碳层(例如，光刻胶)的工件的方法可包括在工件上的表面处理工艺。表面处理工艺可包括在第一腔室(例如，等离子体腔室)中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃自由基与核素混合以形成混合物。表面处理工艺可包括在第二腔室(例如，处理腔室)中将含碳层暴露于混合物。
使用有机自由基含碳膜表面处理

[发明专利]使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺-CN202211722978.X在审
发明人：张祺;杨海春;仲華;谢挺;杨晓晅 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种用于刻蚀工件上的含钛层的方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
使用氢氟酸臭氧气体选择性刻蚀工艺

[发明专利]等离子体处理设备-CN202210719154.0有效
发明人：龙茂林;曾为民;官宇 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体处理设备，包括具有一个或多个侧壁以及穹顶的处理腔室。等离子体处理设备包括：设置在处理腔室中的工件支撑件，被配置为在处理期间支撑工件；用于在处理腔室中产生等离子体的感应线圈组件；设置在感应线圈组件和穹顶之间的法拉第屏蔽体，法拉第屏蔽体包括内部部分和外部部分；以及热管理系统。热管理系统包括：被配置为加热所述穹顶的一个或多个加热元件；以及设置在所述穹顶的外表面和所述加热元件之间的一个或多个热垫，其中，一个或多个热垫被配置为促进一个或多个加热元件与所述穹顶之间的热传递。本公开还提供了用于处理工件的热管理系统和方法。
等离子体处理设备

[发明专利]半导体设备腔室、用于腔室的系统和沉积物状态控制方法-CN201910060128.X有效
发明人：焦明洁;郝志杰;高峰;白洪元 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于半导体设备的腔室的系统，包括：检测装置，被配置成检测腔室内沉积物的信息，并且能够被传送机构传送进出腔室；控制装置，被配置成根据所检测的沉积物的信息确定用于改变所述沉积物的状态的程式，并使得在腔室内执行所确定的程式。
半导体设备用于系统沉积物状态控制方法

[发明专利]三维存储器的制造方法和通过其制造的三维存储器-CN201910188802.2有效
发明人：焦明洁;郝志杰 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开涉及三维存储器的制造方法以及通过该制造方法制造的三维存储器。根据本公开的制造方法包括：在衬底上形成的纵向叠层中形成沟道通孔，沟道通孔从纵向叠层的上层延伸到纵向叠层下方的衬底，该纵向叠层用于形成包括上选择晶体管、存储单元串和下选择晶体管的电路结构；在沟道通孔的底部上沉积下选择晶体管的第一沟道层；在沟道通孔的侧壁和第一沟道层上沉积栅极叠层；沿沟道通孔的侧壁上的栅极叠层去除第一沟道层上的栅极叠层和第一沟道层的一部分；在沟道通孔内沉积存储单元串的第二沟道层；以及使用填充材料填充沟道通孔。
三维存储器制造方法通过

[发明专利]用于高纵横比结构的剥离方法-CN201780054314.1有效
发明人：维贾伊·M·瓦尼亚普拉;马绍铭;侯力 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供了用于从具有高纵横比结构的衬底中去除掩模层(例如，掺杂的非晶碳掩模层)的方法。在一个示例性实施方式中，方法可以包括在衬底上的高纵横比结构的顶端的至少一部分上沉积聚合物层。该方法可以进一步包括使用等离子体剥离工艺从衬底中去除聚合物层和掺杂的非晶碳膜两者中的至少一部分。在示例性实施例中，沉积聚合物层可包括用聚合物层堵塞一个或多个高纵横比结构。在示例性实施例中，沉积聚合物层可包括在一个或多个高纵横比结构的侧壁上形成聚合物层。
用于纵横结构剥离方法

[发明专利]使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺-CN202080087727.1有效
发明人：张祺;杨海春;仲華;谢挺;杨晓晅 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：提供了用于刻蚀工件上的含钛层的系统和方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
使用氢氟酸臭氧气体选择性刻蚀工艺

[发明专利]利用后等离子体气体注入的等离子体处理设备-CN201880038243.0有效
发明人：马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了利用后等离子体气体注入的等离子体处理。在一个示例性实施方式中，等离子体处理设备包括等离子体室。该设备包括与等离子体室隔开的处理室。处理室包括可进行操作以支撑工件的基板保持器。该设备包括被配置为在等离子体室中产生等离子体的等离子体源。该设备包括将等离子体室与处理室隔开的分离格栅。分离格栅可以被配置为过滤等离子体中产生的一个或多个离子，并允许中性粒子通过而从等离子体室到达处理室。该设备可以包括至少一个气体端口，该至少一个气体端口被配置为将气体注入穿过分离格栅的中性粒子中。
利用等离子体气体注入处理设备

[发明专利]热处理系统中的工件的基于发射的温度测量-CN202180023290.X在审
发明人： M·斯淘瑞克;罗尔夫·布雷门斯多夫;M·利伯勒;杨晓晅 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于执行热处理的热处理系统，可以包括被配置为支撑工件的工件支撑板和被配置为加热工件的热源。热处理系统可包括具有透过区域和不透过区域的窗口，透过区域对在测量波长范围内的电磁辐射是透过的，不透过区域对在测量波长范围的一部分内的电磁辐射是不透过的。温度测量系统可包括多个红外发射器和多个红外传感器，多个红外发射器被配置为发射红外辐射，多个红外传感器被配置为测量在测量波长范围内的红外辐射，其中透过区域至少部分地在红外传感器的视场内。控制器可被配置为执行操作，操作包括：获得与工件相关联的透射测量和反射测量，并根据测量，确定工件的温度，工件的温度低于约600℃。
热处理系统中的工件基于发射温度测量

[发明专利]用于处理工件的方法-CN202210275845.6有效
发明人： S·E·萨瓦;马绍铭 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01J37/248 文献下载
摘要：提供了用于处理工件的方法。在一个示例中，用于处理工件的方法可以包括：允许工艺气体进入等离子体腔室；用射频(RF)能量供能感应耦合元件；调节位于感应耦合元件和等离子体腔室之间的静电屏蔽体的RF电压；以及，至少部分地基于静电屏蔽体的RF电压，在工件上进行离子辅助蚀刻工艺；其中，调节静电屏蔽体的RF电压包括：将耦合在静电屏蔽体和接地参考之间的第一可调电抗阻抗电路调节为电感电抗状态；以及，调节耦合在静电屏蔽体和感应耦合元件之间的第二可调电抗阻抗电路。
用于处理工件方法

[发明专利]氢辅助的大气自由基氧化-CN202080004319.5有效
发明人：杨晓晅;克里斯蒂安·普法勒;亚历山大·科斯塞夫 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于处理工件的装置、系统和方法。在一个示例实施中，与惰性气体混合的氢气可与氧气反应以在大气压下氧化工件。由热工件表面促进的氢气与氧气的化学反应可积极影响氧化工艺。化学反应的反应速度可通过将氢气与惰性气体混合减慢。这种混合物可有效降低氢气的分压。正因如此，氧化工艺可在大气压，从而，在大气热处理腔室中进行。
辅助大气自由基氧化

[发明专利]用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件-CN202110734423.6有效
发明人：余飞;辛孟阳;李俊良 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本公开提供了用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室的工件支撑件上，其中，所述工件包括衬底，所述衬底暴露出部分区域；利用工艺气体生成的等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物，将所述工件暴露在所述混合物中进行灰化工艺；在所述灰化工艺的过程中施加偏压功率，使得所述衬底暴露出的部分区域上形成预设厚度的氧化物层。如此，在灰化工艺后得到预设厚度的氧化物层。
用于处理工件方法等离子体设备半导体器件

[发明专利]用于等离子体室的隔离栅网-CN201780049926.1有效
发明人：维贾伊·M·瓦尼亚普拉;马绍铭;弗拉迪米尔·纳戈尔尼;赖恩·M·帕库尔斯基 -专利权人： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于等离子体处理装置的隔离栅网。在一些实施方案中，等离子体处理装置包括等离子体室。等离子体处理装置包括处理室。处理室可以与等离子体室隔开。该装置可以包括隔离栅网。隔离栅网可以将等离子体室与处理室隔开。该装置可以包括温度控制系统。温度控制系统可以配置成调节隔离栅网的温度以影响对基底的等离子体处理的均匀性。在一些实施方案中，隔离栅网可以在隔离栅网的整个截面上具有变化厚度的轮廓，以影响中性物质的通过隔离栅网的流动。
用于等离子体隔离