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[发明专利]工件处理方法、工件处理设备及半导体器件-CN202211669619.2有效
发明人： 辛孟阳;姜伟鹏;刘韬;王文岩;余飞 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到第一混合物；第一混合物包含带电粒子和自由基；在氮化反应的过程中，利用腔室中的导电栅格结构对第一混合物进行过滤，以去除第一混合物中至少部分带电粒子，得到第二混合物；导电栅格结构位于目标工件远离支撑件的一侧；将目标工件暴露于第二混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域上形成氮化硅层，以提升目标工件的稳定性，使得包括该目标工件的半导体器件能够满足高稳定性的应用需求。
工件处理方法设备半导体器件

[发明专利]工件处理方法、工件处理设备及半导体器件-CN202211669618.8在审
发明人：余飞;辛孟阳;姜伟鹏;王文岩;刘韬 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到混合物；混合物中至少包含带电粒子；在氮化反应的过程中，利用设置于腔室的法拉第屏蔽层，以使带电粒子具有处于预设范围内的第一能量；将目标工件暴露于所包含的带电粒子具有第一能量的混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域内形成氮氧化硅层。本公开实施例提供的工件处理方法、工件处理设备及半导体器件能够满足先进制程的要求。
工件处理方法设备半导体器件

[发明专利]用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件-CN202110734423.6有效
发明人：余飞;辛孟阳;李俊良 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本公开提供了用于处理工件的方法、等离子体处理设备及半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室的工件支撑件上，其中，所述工件包括衬底，所述衬底暴露出部分区域；利用工艺气体生成的等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物，将所述工件暴露在所述混合物中进行灰化工艺；在所述灰化工艺的过程中施加偏压功率，使得所述衬底暴露出的部分区域上形成预设厚度的氧化物层。如此，在灰化工艺后得到预设厚度的氧化物层。
用于处理工件方法等离子体设备半导体器件

[发明专利]控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件-CN202210780263.3有效
发明人：王文岩;余飞;辛孟阳;姜伟鹏;刘韬 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件。所述控制氮掺杂深度分布的方法包括氧化步骤、氮化掺杂步骤和退火步骤；其中，所述氮化掺杂步骤包括源功率不同的第一等离子体氮化掺杂步骤和第二等离子体氮化掺杂步骤。根据本发明的控制氮掺杂深度分布的方法能够获得更宽的氮掺杂深度分布。
控制掺杂深度分布方法半导体器件

[发明专利]用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件-CN202110734424.0有效
发明人：余飞;辛孟阳;李俊良 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了用于处理工件的方法及等离子体刻蚀机、半导体器件，涉及半导体制造领域。具体实现方案为：将工件置于腔室中的工件支撑件上，所述工件上形成有侧墙结构；选择组分调节气体，调整碳与氟的体积比以处理所述工件；组分调节气体包含符合化学通式CxHyFz的一种或多种分子；碳与氟的体积比控制所述侧墙结构上形成的碳基聚合物的分布；使用工艺气体生成的一种或多种等离子体产生一种或多种物质，以得到混合物；其中，所述工艺气体包括蚀刻气体和所述组分调节气体；将所述工件暴露在所述混合物中，以在所述侧墙结构的至少部分区域上形成聚合物层，以及刻蚀所述侧墙结构的至少部分区域。如此，最大化降低底层衬底过多刻蚀而导致的损失。
用于处理工件方法等离子体刻蚀半导体器件

[发明专利]等离子体氮化掺杂方法和装置及半导体器件-CN202210535375.2在审
发明人：姜伟鹏;刘韬;王文岩;辛孟阳;余飞 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体氮化掺杂方法、等离子体氮化掺杂装置和半导体器件。所述等离子体氮化掺杂方法包括向处理腔室提供等离子体前体气体；向所述处理腔室施加频率在1‑100MHz内的混合异频源射频，以产生等离子体；对待处理工件表面的膜层进行氮化掺杂。根据本发明的等离子体掺杂方法通过采用混合异频源射频能够对氮化掺杂浓度和氮化掺杂深度进行灵活控制。
等离子体氮化掺杂方法装置半导体器件

[实用新型]传送装置和处理系统-CN202121468265.6有效
发明人： 辛孟阳;余飞;罗功林 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供了一种传送装置和处理系统。该传送装置可以包括第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；第二传送组件，用于从该腔室传送出第二工件；阻隔组件，设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；支撑组件，用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间。本公开实施例通过阻隔组件阻隔第一传送组件之上的工件和第二传送组件之上的工件的能量传递，可以防止或避免第二传送组件之上的工件对第一传送组件之上的工件产生影响，有利于采用可重复的工艺对工件进行处理，提高工件产量。
传送装置处理系统

[发明专利]传送装置和处理系统-CN202110734999.2在审
发明人： 辛孟阳;余飞;罗功林 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供了一种传送装置和处理系统。该传送装置可以包括第一传送组件，用于向腔室传送第一工件；第二传送组件，用于从该腔室传送出第二工件；阻隔组件，设置于该第一传送组件与该第二传送组件之间，用于阻隔该第一工件和该第二工件的能量传递；支撑组件，用于将该阻隔组件限制在该第一传送组件与该第二传送组件之间。本公开实施例通过阻隔组件阻隔第一传送组件之上的工件和第二传送组件之上的工件的能量传递，可以防止或避免第二传送组件之上的工件对第一传送组件之上的工件产生影响，有利于采用可重复的工艺对工件进行处理，提高工件产量。
传送装置处理系统

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