专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电子设备的控制方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202110089191.3有效
  • 杜显赫;王博伦;胡浩;陈琼 - 维沃移动通信有限公司
  • 2021-01-22 - 2023-08-29 - H04M1/02
  • 本申请实施例提供一种电子设备的控制方法、装置、电子设备及可读存储介质,属于通信技术领域。电子设备包括壳体和柔性屏,柔性屏包括至少一个与壳体相接的曲面区域,用于调节曲面区域的曲率的调节装置,用于支撑调节装置的伸缩支撑装置,分别与调节装置和伸缩支撑装置电连接的控制器;本申请实施例中,在柔性屏的曲面区域的内部设置用于调节曲率的调节装置,以及设置用于支撑调节装置的伸缩支撑装置,这样在特定应用场景下,通过调节装置调节曲面区域的曲率,并通过伸缩支撑装置伸长或缩短为调节装置提供支撑,从而改变柔性屏的曲面区域的外部形状,使柔性屏的曲面区域更易抓握,提高电子设备的握持稳定性。
  • 电子设备控制方法装置可读存储介质
  • [发明专利]一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法-CN202110181020.3有效
  • 刘锴;王博伦 - 清华大学
  • 2021-02-08 - 2023-07-14 - H01L29/78
  • 本发明公开了属于半导体器件技术领域的一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法。所述突触晶体管包括衬底、沟道、栅电极、源电极和漏电极,其特征在于,在硅片一侧设置SiO2层作为衬底,衬底上设置沟道,沟道由单分子层的二维半导体MoS2构成,源电极和漏电极分别位于沟道的两端,并与沟道形成欧姆接触,整体位于SiO2层上;硅片另一侧作为栅电极;所述SiO2层中含有可迁移的碱金属离子。所述突触晶体管采用全无机材料,其工作温度范围为150℃‑350℃,能实现多种长时程和短时程突触可塑性。与现有技术相比,显著提高了突触晶体管的工作温度,对高温人工智能器件的发展具有重要意义。
  • 一种无机耐高温突触晶体管及其制备方法

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