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[发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法-CN201910015555.6有效
发明人： 犬塚雄贵;中里高明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种使存储容量增加的半导体存储装置及其数据读出方法。实施方式的半导体存储装置具备存储单元，该存储单元具有：第1电阻变化元件，能够在第1状态与电阻值比所述第1状态高的第2状态之间变化；及第2电阻变化元件，与所述第1电阻变化元件串联连接，能够在第3状态与电阻值比所述第3状态高的第4状态之间变化。所述存储单元在第1阈值电流及第1阈值电压下，发生第1急速折回，在大于所述第1阈值电流的第2阈值电流、及大于所述第1阈值电压的第2阈值电压下，发生第2急速折回。
半导体存储装置及其数据读出方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202210644175.0在审
发明人： 犬塚雄贵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供使读出动作高速化的半导体存储装置。一个实施方式的半导体存储装置具有：多个第1存储单元晶体管(MT0～MT7)、第1选择晶体管(ST1)、第2选择晶体管(ST2)、多个第2存储单元晶体管(MT0～MT7)、第3选择晶体管(ST3)、第4选择晶体管(ST4)、与所述多个第1存储单元晶体管(MT0～MT7)被共同地驱动的多个第3存储单元晶体管(MT8～MT15)、第5选择晶体管(ST5)、第6选择晶体管(ST6)、与上述多个第2存储单元晶体管(MT0～MT7)被共同地驱动的多个第4存储单元晶体管(MT8～MT15)、第7选择晶体管(ST7)和第8选择晶体管(ST8)。
半导体存储装置

[发明专利]电阻变化型存储器-CN201810113348.X有效
发明人： 犬塚雄贵;稻场恒夫;宫崎隆行;杉本刚士 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高可靠性的电阻变化型存储器。实施方式的电阻变化型存储器包含：存储单元，设置在第1及第2位线与字线之间；第1晶体管，设置在第1位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGa)；第2晶体管，设置在第2位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGb)；以及第3晶体管，连接在与第1选择栅极线(SGa)相邻的虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGa)的情况下，将电压VSG施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGA(＜VSG)施加至虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGb)的情况下，将电压VSGA或电压VSGU施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGU施加至虚设选择栅极线(DSG)。
电阻变化存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN201810149119.3有效
发明人：杉本刚士;宫崎隆行;犬塚雄贵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种半导体存储装置，能抑制由噪声引起的读取不良，并且能缩短数据检测时间。实施方式的半导体存储装置的第1电源电路产生要施加给选择位线的选择位线电压。第2电源电路产生要施加给非选择位线的非选择位线电压。第3电源电路产生要施加给选择字线的选择字线电压。第4电源电路产生要施加给非选择字线的非选择字线电压。第1解码器将选择位线连接到第1电源电路，且将非选择位线连接到第2电源电路。第2解码器将选择字线连接到第3电源电路，且将非选择字线连接到第4电源电路。电容元件连接在第2电源电路与第1解码器之间的第1节点和第3电源电路与第2解码器之间的第2节点之间。
半导体存储装置