“中里高明”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法-CN201910015555.6有效
发明人：犬塚雄贵;中里高明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：实施方式提供一种使存储容量增加的半导体存储装置及其数据读出方法。实施方式的半导体存储装置具备存储单元，该存储单元具有：第1电阻变化元件，能够在第1状态与电阻值比所述第1状态高的第2状态之间变化；及第2电阻变化元件，与所述第1电阻变化元件串联连接，能够在第3状态与电阻值比所述第3状态高的第4状态之间变化。所述存储单元在第1阈值电流及第1阈值电压下，发生第1急速折回，在大于所述第1阈值电流的第2阈值电流、及大于所述第1阈值电压的第2阈值电压下，发生第2急速折回。
半导体存储装置及其数据读出方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201810817035.2有效
发明人： 中里高明;川澄笃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：一实施方式提供一种能够容易地将存储单元变成高电阻状态或低电阻状态的半导体存储装置。根据一实施方式，提供一种具有第1线、第2线、第1存储单元及控制电路的半导体存储装置。第1线在第1方向上延伸。第2线在第2方向上延伸。第1存储单元包含相变元件。第1存储单元配置在第1线与第2线之间。控制电路具有预先设定的电压。在对第1存储单元执行写入动作时，控制电路在第1期间，经由第1线及第2线对第1存储单元的两端施加比预先设定的电压高的电压，在第2期间，经由第1线及第2线对第1存储单元的两端施加预先设定的电压。第2期间是继第1期间之后的期间。
半导体存储装置