“焦东玲”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种Gd-Co基非晶纳米晶磁制冷材料及其制备方法-CN201611187122.1有效
发明人：钟喜春;黄旭文;沈小艳;刘仲武;焦东玲;张辉;邱万奇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁性材料领域，公开了一种Gd‑Co基非晶纳米晶磁制冷材料及其制备方法，其化学通式为：Gd₅₅Co₃₅Al₁₀。该磁制冷材料的制备方法，包括以下步骤：(1)选用纯元素Gd、Co、Al按照上述合金的名义成分称重混合；(2)将上述混合元素进行反复熔炼，得到均匀的合金铸锭；(3)将上述铸锭破碎成小块，利用甩带方法得到宽为1～2mm，厚度为25～30μm的条带；(4)将上述条带在603‑643K下退火10‑30min，之后快速淬入水中，得到磁制冷材料。本发明制备方法简单，制备的产品制冷量大，并获得了近70K的磁熵变平台，适用于埃里克森循环，非常适合作为70～140K温度区间的磁制冷工质材料。
制备磁制冷材料纳米晶条带磁制冷工质材料退火磁性材料领域合金铸锭化学通式混合元素温度区间熔炼磁熵变制冷量称重淬入非晶基非甩带水中小块铸锭合金破碎

[发明专利]一种La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法-CN201710742411.1在审
发明人：钟喜春;董旭涛;彭得然;刘仲武;焦东玲;邱万奇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，由La‑Fe‑Si基磁制冷材料颗粒和锡铋合金颗粒均匀混合，经热模压加工成型制得复合材料。所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料和锡铋合金的质量比为(85～90)(10～15)。其优点主要在于本发明复合材料为磁热工质和粘结剂两组分构成，粘结剂降低材料孔隙度，因而获得高致密度，高强度和高磁热性能的La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料，很好的解决了La‑Fe‑Si基磁制冷材料硬度大、脆性大以及难于加工成型等问题。
一种 la fe si 制冷复合材料及其制备方法

[发明专利]一种复合磁制冷材料及其制备方法-CN201611143303.4在审
发明人：钟喜春;沈小艳;刘仲武;焦东玲;邱万奇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合磁制冷材料及其制备方法，由具有不同粒度的金属Gd粉和长度小于76μm的Gd65Mn25Si10非晶薄片及少量圆球状低熔点金属Sn粉末均匀混合后，经温压成型制成Gd‑Gd65Mn25Si10复合磁制冷材料，所述金属Gd粉和Gd65Mn25Si10非晶薄片的重量比为3:7。本发明制得的块体复合材料具有致密度高、力学性能优异的特点，可保证其具有良好的导热和磁热性能。复合材料Gd‑Gd65Mn25Si10在温度间隔88K(199‑287K)保持有最大磁熵变值～2.92J/(kg K)(0‑5T)不变的平台区，适合于在室温区磁埃里克森循环的应用。
一种复合制冷材料及其制备方法

[发明专利]一种在低碳合金钢表面制备的高氮奥氏体层及制备方法-CN201410005116.4有效
发明人： 焦东玲;黎民颂;曾德长;刘仲武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C8/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种在低碳合金钢表面制备的高氮奥氏体层及制备方法，包括以下步骤：（1）对低碳合金钢进行调质预处理，得到以索氏体组织为基体的工件；（2）将上述工件于660℃-680℃气体渗氮2-3小时，取出后立即水淬，得到以高氮奥氏体为表层的工件；所述渗氮是以铁粉作为催化剂，以干燥的纯氨气或氮气和氢气的混合气体为渗剂；当渗剂为氨气时，渗氮时控制氨气分解率为97-98%，氨气流量为0.13-0.27ml/s。高氮奥氏体层中温回火之后能够获得更高的硬度，回火产物尺寸为纳米级，硬度可达1000HV～1200HV，具备良好的耐磨性，而且不会产生氢氰酸污染。
一种合金钢表面制备奥氏体方法

[发明专利]一种纳米结构三氧化钼的制备方法-CN201110204454.7有效
发明人：刘仲武;钟明龙;邱万奇;钟喜春;余红雅;焦东玲;曾德长 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。
一种纳米结构氧化钼制备方法

[发明专利]一种Mg-Zn-Cu-Zr合金-CN201110026184.5无效
发明人：朱红梅;刘江文;伍翠兰;罗承萍;焦东玲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg-Zn-Cu-Zr合金，其组分的重量百分比为：Zn 5～7％，Cu 0.5～2％，Zr 0.3～0.8％，余量为Mg。本发明合金采用成本相对低廉的合金元素，通过普通的铸造方法及后续热处理制备而成，操作工艺简单、生产效率高。本发明合金具有良好的铸造性能及优异的综合力学性能。
一种 mg zn cu zr 合金