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[发明专利]半导体器件和半导体器件的制作方法-CN202180094159.2在审
发明人：花田明纮;渡壁创;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：显示装置的半导体器件包括：绝缘表面上的第一导电层；第一导电层上的第一绝缘层；第一绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第二导电层；和氧化物半导体层上的第三导电层，氧化物半导体层包括：第一区域；与第二导电层相接的第二区域；与第三导电层相接的第三区域；与第二导电层相接的、第一区域与第二区域之间的第一杂质区域；和与第三导电层相接的、第一区域与第三区域之间的第二杂质区域，第一杂质区域和第二杂质区域各自的电导率大于第二区域和第三区域各自的电导率。
半导体器件制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202111367388.5在审
发明人：花田明纮;渡壁创;海东拓生;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。
半导体装置

[实用新型]半导体器件-CN202021144125.9有效
发明人：神内纪秀;渡壁创;小野寺凉;花田明纮 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。
半导体器件

[实用新型]半导体装置-CN202020529398.9有效
发明人： 小野寺凉;花田明纮;田中仁 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。
半导体装置

[发明专利]显示装置及半导体器件-CN202010081137.X在审
发明人：神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉;铃村功 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。
显示装置半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010082372.9在审
发明人：铃村功;神内纪秀;渡壁创;花田明纮;小野寺凉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明要解决的技术问题在于，提供能够使有机平坦化膜中含有的水分减少、并且使薄膜晶体管的特性的变动减少的半导体器件和半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件包括：形成有具有源极电极的薄膜晶体管的半导体基片；像素电极；有机平坦化膜；形成在上述有机平坦化膜上的阻挡膜；形成在上述阻挡膜上的电容绝缘膜；和贯通孔，其设置在上述有机平坦化膜、上述阻挡膜和上述电容绝缘膜中，使得上述源极电极露出。上述贯通孔具有：上述有机平坦化膜露出的第一部分；和上述有机平坦化膜不露出的第二部分。上述像素电极在上述贯通孔的内部与上述源极电极连接。
半导体器件制造方法