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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶圆及其下片方法-CN202011027312.3在审
发明人：艾佳瑞;丁新琪;廖桂波;王菊;焦旺;吴阳烽;郑兆祯;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆及其下片方法，下片方法包括：提供一初始晶圆件，所述初始晶圆件包括治具及设置于治具上的第一厚度晶圆，治具和第一厚度晶圆之间设置有连接层；将胶带贴合于所述第一厚度晶圆和所述治具上；以第一预设温度进行加热或添加第一试剂，以使得连接层融化；将下料片从第一厚度晶圆的边缘嵌入到第一厚度晶圆和治具之间；以第二预设温度进行加热或添加第二试剂，使得胶带解胶后后移除胶带，以使得下料片可带动第一厚度晶圆从治具完成下片。通过上述方式，可以降低下片对第一厚度晶圆造成的损害，以提高良品率。
及其下片方法

[发明专利]一种检测芯片及检测系统-CN202010900245.5在审
发明人：郑兆祯;丁新琪;廖桂波;吴阳烽;焦旺;王菊;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种检测芯片，其特征在于，所述检测芯片嵌入半导体晶圆本体，用于进行光致发光测试，所述检测芯片包括：多个周期排布或随机排布的量子阱混杂区域和非量子阱混杂区域，其中所述量子阱混杂区域的粒子掺杂与所述半导体晶圆本体中包含的量子阱掺杂层的粒子掺杂相同。通过多个量子阱混杂区域接收激光光束以发生光致发光反应，多个所述量子阱混杂区域光致发光出射的光线之间发生干涉，使得所述检测芯片出射的波长谱线信号强度增强，利用常规的光谱仪即可测量出检测芯片的波长蓝移情况，快速实现半导体晶圆的抗COD特性判断。
一种检测芯片系统

[发明专利]一种半导体芯片的制作方法及激光器-CN202010441131.9在审
发明人：郑兆祯;吴阳烽;焦旺;王菊;廖桂波;丁新琪;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S5/02257 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片的制作方法以及激光器，该方法包括：提供一具有初步锌扩散的外延片；在外延片的至少部分表面沉积应变层，以使得半导体芯片的发射光谱发生蓝移，其中，至少部分表面包括窗口区；对外延片与应变层进行加热，以提高锌在窗口区的扩散；其中，在加热后应变层的薄膜应变大于加热前的薄膜应变。通过上述方式，本申请能够加速锌的扩散，提升生产效率，提高抗灾变性光学镜面损伤的能力。
一种半导体芯片制作方法激光器

[发明专利]激光芯片及其制备方法-CN202010172742.8在审
发明人：郑兆祯;丁新琪;吴阳烽;焦旺;廖桂波;王菊;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开一种激光芯片及其制备方法，该方法包括提供激光外延结构，激光外延结构包括有源层以及依次层叠于有源层上的包覆层和接触层；在接触层上覆盖第一掩膜层，并对第一掩膜层进行开窗以形成第一窗口区；经第一窗口区对接触层进行一次蚀刻，以形成与第一窗口区对应且外露包覆层的第二窗口区；经第一窗口区和第二窗口区对包覆层和有源层进行锌扩散；去除第一掩膜层；在接触层上覆盖第二掩膜层，并对第二掩膜层进行开窗以形成第三窗口区，其中第三窗口区在接触层的投影位于第二窗口区的外围；经第三窗口区对接触层进行二次蚀刻，以将第二窗口区扩大成与第三窗口区对应。通过上述方式，可以有效的提高灾变性光学镜面损伤阈值。
激光芯片及其制备方法

[实用新型]外延结构及应用其的半导体芯片-CN202021705512.5有效
发明人：郑兆祯;丁新琪;涂庆明 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型公开一种外延结构及应用其的半导体芯片，该外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，第二台阶部相对第一台阶部更靠近量子阱结构；第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。通过上述方式，可以有效提高半导体芯片的抗灾变性光学镜面损伤值。
外延结构应用半导体芯片

[发明专利]一种倒装结构发光二极管及其制备方法-CN201210273949.X有效
发明人：郑兆祯;朱俊宜;郭德博;涂庆明 -专利权人：同方光电科技有限公司;同方股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种倒装结构发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。本发明发光二极管包括从下至上依次叠加的金属支撑衬底、P型半导体层、量子井发光层、N型半导体层和非掺杂层。其结构特点是，所述金属支撑衬底和P型半导体层之间还置有N型欧姆接触金属层、绝缘膜和反射金属层。反射金属层上方及周围置有多层金属并延伸至旁边作为P型电极，金属支撑衬底经由N型欧姆接触金属层与N型半导体层连接为N型电极。同现有技术相比，本发明能有效避免发光二极管芯片侧壁漏电，提高芯片的可靠性能，并保留原垂直式LED结构的优点，使其发挥最大的效能。
一种倒装结构发光二极管及其制备方法

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