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[发明专利]一种适用于大尺寸硅片的高悬浮研磨液、其制备方法与用途-CN202310774034.5在审
发明人：侯军;李传强;单晓倩 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于大尺寸硅片的高悬浮研磨液按照重量份计算，包括如下组分：保湿剂5‑20份；分散剂5‑20份；pH调节剂5‑25份；表面活性剂1‑10份；成膜剂10‑20份；螯合剂0.1‑5份；去离子水40‑70份。同时本发明还提供了该研磨液的一种研磨工艺。本发明的适用于大尺寸硅片的高悬浮研磨液不仅具有极佳的悬浮分散性和稳定性，并且经过研磨后的硅片表面质量极高，划伤极少，在提高生产效率、加工表面光洁度等方面均有一定效果，解决了磨料分散性能差和研磨后盘面具有脏污盘印等问题。
一种适用于尺寸硅片悬浮研磨制备方法用途

[发明专利]一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795473.4在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;田继升 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310780439.X在审
发明人：侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
一种氮化物半导体蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310760835.6在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：49％的氢氟酸2‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合功能剂0.1‑10份；去离子水10‑60份。复合功能剂是由醚类化合物和胺类化合物复配得到。本发明还公开了该蚀刻液的制备方法以及使用方法。本发明的复合功能剂中胺类化合物具有胺基特性，可与氟离子发生反应，从而更好地分散在体系中；酚醚中的羟基和醚键，可与水分子形成氢键，使得蚀刻液体系中各组分分子结合更紧密，溶液更稳定。本发明的蚀刻液具有低表面张力、高铺展性能的优势，因其组分的高分散性能，避免了制备工艺因长时间搅拌带来的蚀刻液有效组分挥发的问题，可以广泛应用于二氧化硅薄膜蚀刻领域。
一种润湿缓冲氧化物蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种显示面板用Ag蚀刻液、其制备方法与应用-CN202311199059.3在审
发明人：侯军;彭仁杰;吕航;滕越 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示面板用Ag蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：有机羧酸50‑75份；氧化剂8‑18份；螯合剂1‑3份；含钠化合物1‑2份；超纯水15‑25份。本发明还涉及所述显示面板用Ag蚀刻液的制备方法和使用方法。本发明显示面板用Ag蚀刻液中的螯合剂优选DTPA和DBCO，可以有效防止Ag离子在溶液中析出，附着在蚀刻后的基板表面造成污染；同时，DTPA和DBCO螯合Ag效果比其他同类物质更好，能够显著提高蚀刻液的使用寿命。本发明中的显示面板用Ag蚀刻液采用柠檬酸体系，蚀刻性能温和，不损伤基板上的单元，且蚀刻后无蚀刻残留。本发明中的蚀刻液相较于传统磷酸体系，粘度更低，流动性更好，达到蚀刻效果更佳，有利于后续的清洗工艺。
一种显示面板 ag 蚀刻制备方法应用

[发明专利]一种油性金刚石抛光液、其制备方法及用途-CN202211298553.0有效
发明人：侯军;孙西;李传强 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种油性金刚石抛光液、其制备方法及用途。本发明油性金刚石抛光液包括重量配比如下的各组分：金刚石磨料0.1‑1份；油性剂70‑90份；润滑剂2‑15份；分散剂0.5‑5份；润湿剂0.1‑2份；螯合剂0.1‑2份。所述金刚石磨料为类多晶、多晶、单晶和聚晶中的两种或多种混合磨料。所述油性剂为烷烃与矿物油的混合物。本发明还公开了油性金刚石抛光液的制备方法，及其在蓝宝石抛光领域的用途。本发明油性金刚石抛光液安全、环保、高效，对蓝宝石衬底无腐蚀。在相同磨料下，本发明油性金刚石抛光液与水性抛光液相比较，具有较高的移除率以及较低的粗糙度。
一种油性金刚石抛光制备方法用途

[发明专利]一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途-CN202211725425.X有效
发明人：武文东;侯军;赵晓莹;孙昊然 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液、其制备方法及用途，本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：酸2.0‑10.0份；多卤素有机物1.0‑5.0份；2‑氟‑6‑吡啶甲酰氯1.0‑15.0份；表面活性剂0.001‑5.0份；有机溶剂5.0‑30.0份；水10.0‑40.0份。本发明还公开了高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液的制备方法及其在蚀刻半导体晶圆表面氧化硅层领域的用途。本发明高选择性蚀刻晶圆表面氧化层的蚀刻液能对金属硅化物进行保护，选择性蚀刻氧化硅层，提高蚀刻均一性。
一种选择性蚀刻表面氧化制备方法用途

[发明专利]一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液及其制备方法-CN202310761188.0在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：49％的氢氟酸5‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合改性剂0.5‑10份；润湿流平剂0.1‑1份；去离子水20‑60份。复合改性剂是阴阳离子表面活性剂的复配物；润湿流平剂为氟改性有机硅聚合物。同时本发明提供了利用上述蚀刻液对二氧化硅结构片进行蚀刻的方法。本发明采用复合改性剂不仅可以提高表面活性，降低表面张力，还可以提高各组分在基材表面的吸附量，表面吸附层分子排列更加紧密。复合改性剂和润湿流平剂一方面可以使溶液体系表面张力降低；另一方面可以使蚀刻角度减小，孔结构可控。同时氟的引入可显著降低蚀刻液的表面张力，提高对基材的润湿性，整体复合了流平、润湿和消泡功能。
一种用于纳米尺寸氧化蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种半导体晶圆金属电极保护液、其制备方法与用途-CN202310768833.1在审
发明人：侯军;任浩楠;吕晶;申海艳;隋新 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆金属电极保护液、其制备方法与用途，所述半导体晶圆金属电极保护液包括重量配比如下的各组分：聚合物0.1‑5份；肟类化合物0.05‑1份；pH调节剂0.1‑5份；润湿剂0.1‑3份；醇类10‑25份；去离子水60‑90份。本发明还公开了所述半导体晶圆金属电极保护液的制备方法及其在半导体晶圆制造清洗领域的用途。本发明半导体晶圆金属电极保护液具有优异的保护性和稳定性，可在半导体晶圆经过剥离液清洗后直接使用，有效地保护金属电极，提高半导体器件的性能和可靠性，且清洗后无残留。
一种半导体金属电极保护制备方法用途

[发明专利]一种LED粗化液，其制备方法与应用-CN202310780436.6在审
发明人：侯军;田继升;武文东;曲延琦;孙昊然 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LED粗化液，其制备方法与应用，所述LED粗化液包括重量配比如下的各组分：无机酸10‑20份；有机酸10‑20份；烷基盐类化合物0.01‑0.1份；铵盐20‑40份；超纯水20‑60份。所述烷基盐类化合物为烷基溴化铵和/或烷基磺酸钠。本发明还公开了LED粗化液的制备方法。本发明LED粗化液具有粗化颗粒细密、LED表面粗化均匀的特性，能应用于Mini/Micro‑LED领域，能够有效增加红黄光Mini/Micro‑LED的外量子效率，提高提亮比，解决由于折射率过大而造成的AlGaInP外延发光效率低的问题。解决了现有技术中技术问题。
一种 led 粗化液制备方法应用

[发明专利]一种Ag蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310771296.6在审
发明人：侯军;滕越;彭仁杰;吕航;姚建民 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明提供一种Ag蚀刻液、其制备方法与用途。本发明Ag蚀刻液包括重量配比如下的各组分：无机酸40‑80份；有机酸10‑50份；缓蚀剂0.05‑1.5份；螯合剂0.1‑2份；缓冲剂1‑7.5份；超纯水30‑50份。本发明还公开了Ag蚀刻液的制备方法及其在蚀刻ITO‑Ag‑ITO复合层领域的用途。所述无机酸选自磷酸、硫酸、碳酸、硼酸、氢溴酸、碘酸、次碘酸、氢氟酸和硝酸中的一种或多种。所述无机酸优选为磷酸和硝酸。本发明Ag蚀刻液对ITO‑Ag‑ITO有稳定的刻蚀速率，且对绝缘层与光刻胶均无损伤，能在OLED像素电极制造过程中使用，Ag层蚀刻后无毛刺与内缩。
一种 ag 蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795462.6在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;孙昊然 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]纳米胶体粒子、制备方法及包含其的清洗剂和清洗方法-CN202111671217.1有效
发明人：侯军;吕晶 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C11D1/75 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米胶体粒子、制备方法、用途，及包含该纳米胶体粒子的清洗剂及其制备方法和清洗方法等，所述纳米胶体粒子包括纳米二氧化硅、胶体稳定剂和二氧化硅吸附剂，所述清洗剂包括所述纳米胶体粒子、pH调节剂、表面活性剂、润湿剂和超纯水。所述纳米胶体粒子具有优异的稳定性和清洗效果，特别适用于硬脆材料表面如硅片、蓝宝石衬底片、光学级玻璃、砷化镓衬底片、精密陶瓷等的清洗，具有广阔的应用前景和替代潜力。
纳米胶体粒子制备方法包含洗剂清洗

[发明专利]一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法-CN202210455509.X有效
发明人：侯军;李传强;褚雨露;孙西 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01F7/441 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铝磨料、制备方法、用途及包含其的硅片研磨液和研磨方法。所述氧化铝磨料是二维片状类圆形氧化铝磨料，是由硝酸铝、尿素、氨水、十二烷基醚硫酸钠和柠檬酸钠水热合成，其表面形貌多孔且平滑无尖锐棱角，颗粒大小均匀，粒径尺寸分布窄。所述硅片研磨液包括重量配比如下的各组分：分散剂0.1‑5份、多元醇0.1‑10份、pH调节剂1‑10份、悬浮剂0.1‑5份、表面活性剂0.05‑0.1份、防锈剂0.001‑0.05份、消泡剂0.05‑0.5份、氧化铝磨料10‑20份、α相氧化铝5‑20份、水60‑80份。本发明硅片研磨液具有磨料悬浮性好、不易划伤和研磨效率高的优点。
一种氧化铝磨料制备方法用途包含硅片研磨

[发明专利]一种晶圆保护涂层清洗设备-CN202211003619.9有效
发明人：侯军;褚雨露;张楠;贺剑锋;李传友 -专利权人： 浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2022-08-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆保护涂层清洗设备，属于半导体清洗设备技术领域，包括钢结构框架，钢结构框架内设有浸泡箱体、喷淋箱体和清洗箱体，钢结构框架上设有行走框架，行走框架上安装有升降提篮，升降提篮内固定安装有若干个夹持盘，每个夹持盘上均设有若干个用于夹持晶圆的夹爪；清洗箱体的底部设有升降柱，升降柱的顶端固定安装有回转盘，回转盘的上表面设有若干个吸盘，升降柱的底端通过旋转接头连接真空泵，清洗箱体内设有清洗液喷淋管，清洗箱体的顶部封盖有盖板，清洗箱体的底部设有排液管。本发明解决了晶圆无法有序稳固、无法实现封闭状态下清洗，导致浸泡和清洗效果不好的技术问题，广泛应用于晶圆保护涂层清洗中。
一种保护涂层清洗设备

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