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[发明专利]电池单元充放电装置-CN202110366183.9在审
发明人：戴志成;邓志江;林氦 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及电池单元充放电装置，涉及电源领域，交流电通过AC/DC隔离变换模块转换成直流母线上的稳定的直流电，直流母线连接非隔离双向DC/DC转换器和功率多级可调放电装置，非隔离双向DC/DC转换器可将直流母线电压转换成宽范围的可控直流电压给不同电压等级的电池单元充电，也可用于电池单元放电，通过将多余电池能量转换至直流母线，再由功率多级可调放电装置以不同的功率等级放电消耗掉，非隔离双向DC/DC转换器可将其第二端的电压升至或降至目标电池电压，并使第二端的电压控制精度在几十毫伏级别，而同时兼容不同型号的电池单元电压，适应极宽的电压范围，而不用单独使用不同型号的充放电装置，使设计简单，兼容性好。
电池单元放电装置

[发明专利]一种功率半导体特性参数测试系统-CN202110202946.6在审
发明人：王异凡;龚金龙;杨青;刘黎;王一帆;孙明;林氦;邓志江;曾振源;张斌;陈少华;宋琦华;周迅;张显堡;黄继来 -专利权人：国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学绍兴微电子研究中心;国网浙江桐乡市供电有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
一种功率半导体特性参数测试系统

[发明专利]电池模组端电压调节电路及装置-CN202110344295.4在审
发明人：林氦;邓志江 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及电池模组端电压调节电路，涉及电源领域，包括：交流整流单元，其输入端接收交流电，输出端连接直流母线，用于将所述交流电变换为直流母线电压；电池充放电单元，其第一端连接所述直流母线，第二端连接电池模组，用于将所述第一端的所述直流母线电压变换为所述第二端的直流电压而为电池模组充电，或将所述第二端的直流电压变换为所述第一端的所述直流母线电压；以及耗能放电单元，连接所述直流母线，电池模组通过所述电池充放电单元和所述耗能放电单元放电，以使设计简单，且可标准化。
电池模组端电压调节电路装置

[发明专利]一种功率器件高低压测试设备-CN202110111925.3在审
发明人：王异凡;龚金龙;刘黎;杨青;林氦;邓志江;曾振源;张斌;陈少华;孙明;王一帆;宋琦华;林敏;钱昊;刘微;张雄清 -专利权人：国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学绍兴微电子研究中心
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于功率器件参数测试设备技术领域，具体涉及一种功率器件高低压测试设备。针对现有功率器件测试设备，或者需要手动切换连线，测试效率低，容易出错，或者体积大、成本高、使用寿命低、连接复杂、测试准确度不高的不足，本发明采用如下技术方案：一种功率器件高低压测试设备，包括：低压仪表设备单元；低压控制单元；高压仪表设备单元；高压控制单元；器件适配单元，所述器件适配单元包括器件组装连接器、适配连接器、位置控制器以及信号处理器；测试主控单元，所述测试主控单元根据测试需求发送指令。本发功率器件高低压测试设备的有益效果是：实现自动测试多种项目。
一种功率器件低压测试设备

[发明专利]一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构-CN201911394278.0有效
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;车录锋;余辉;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
一种基于抛物线 mmi 紧凑基波交叉结构

[发明专利]一种半导体功率器件测试加热台-CN202110159395.X在审
发明人：胡建力;林氦;邓志江 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件测试加热台，从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层，所述陶瓷层的厚度不大于5mm；所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽，每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头，所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设，所述温度探头沿所述条形槽的长度方向均匀埋设，所述温度探头与所述陶瓷层的底面接触；所述条形槽内的空隙用填充导热材料进行填充；所述陶瓷层的上方设有用于夹持半导体器件的夹具，使用时在所述半导体器件与所述陶瓷层之间涂上导热材料。本发明质量较轻，移动方便；温度分布均匀，准确可控，调温快速，有利于半导体器件的准确测试。
一种半导体功率器件测试加热

[发明专利]一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法-CN201911392536.1有效
发明人：郝寅雷;邓鑫宸;蒋建光;牛梦华;车录锋;李宇波;余辉;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
一种电压段式玻璃掩埋波导连续生产方法

[发明专利]一种硅基磁光非互易条形光波导-CN202011526381.9在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
一种硅基磁光非互易条形波导

[发明专利]一种硅基磁光非互易脊形光波导-CN202011526413.5在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
一种硅基磁光非互易脊形光波导

[发明专利]一种具有横向磁光效应的二氧化硅基磁光条形光波导-CN202011529130.6在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向磁光效应的二氧化硅基磁光条形光波导，在光学晶片上采用微细加工工艺形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部与波导下包层之间的条形掺锗二氧化硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在光学晶片上的二氧化硅层中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现二氧化硅基磁光非互易条形光波导的制作。
一种具有横向磁光效应二氧化硅基磁光条形波导

[实用新型]一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器-CN202020752781.0有效
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃掩埋段式转换器

[实用新型]一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器-CN202020752784.4有效
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本实用新型可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃表面段式转换器

[发明专利]内置滤光器的叠层太阳能电池-CN202010993684.5在审
发明人：兰东辰 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，涉及光伏发电技术，通过使太阳能电池采用双片叠层电池结构，且每片叠层电池的子电池层间设置滤光器，可将过剩的光子反射出一叠层电池从而被另一叠层电池吸收，这使得一叠层器件中子电池光生电流匹配且多余的光子能被另一叠层利用，又将子电池背面自发的辐射反射回该子电池，可提高对太阳光谱的利用，还能降低对反射光谱的要求，可降低成本且扩大应用范围。
内置滤光太阳能电池

[发明专利]一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器-CN202010386136.6在审
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃表面段式转换器

[发明专利]一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器-CN202010386539.0在审
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人： 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃掩埋段式转换器

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