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[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法-CN202210625244.3在审
发明人：郑智轩;陈介方;王圣祯;沈杰一;贾汉中;朱峯庆;林孟汉;杨丰诚;林佑明;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种形成半导体存储器结构的方法。所述方法包括在衬底上方形成堆叠件，并且堆叠件包括垂直交替布置的第一介电层和第二介电层。方法还包括形成穿过堆叠件的第一介电柱，以及蚀刻堆叠件以形成第一沟槽。第一介电柱的侧壁暴露于第一沟槽。方法还包括去除第一介电柱以形成贯通孔，去除堆叠件的第二介电层以在第一介电层之间形成间隙，以及在间隙中形成第一导线。本申请的实施例提供了半导体存储器结构及其形成方法。
半导体存储器结构及其形成方法

[发明专利]镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积-CN201910921686.0有效
发明人：郭家邦;李亚莲;沈杰一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积。公开了镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：在导电特征之上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口以显露所述刻蚀停止层；以及使用包括抑制剂的刻蚀剂通过所述开口刻蚀所述刻蚀停止层。在所述导电特征上形成包括所述抑制剂的抑制剂膜。所述方法还包括：沉积延伸到所述开口中的导电阻挡层；在沉积所述导电阻挡层之后，执行去除所述抑制剂膜的处理；以及沉积导电材料以填充所述开口的剩余部分。
镶嵌工艺金属阻挡选择性沉积