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[外观设计]车载支架（L9）-CN202330292800.5有效
发明人： 汪传勇 -专利权人： 汪传勇
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 14-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车载支架（L9）。2.本外观设计产品的用途：用于固定和夹持手机。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
车载支架 l9

[发明专利]一种大颗粒SiC料合成装置以及工艺-CN202310658082.8有效
发明人：曹建伟;盛永江;欧阳鹏根;李荣臻;胡建荣;汪传勇;黄俊 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B01J6/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大颗粒SiC料合成装置及工艺，属于SiC制备技术领域，包括坩埚和载体组件。所述坩埚具有盛放硅粉、碳粉的空腔，所述载体组件包括由石墨材料形成的固定部和载体部，所述固定部与所述坩埚的开口相适配，且所述固定部沿所述空腔的方向开设有孔槽，所述载体部悬挂至所述孔槽，并向所述空腔内的硅粉、碳粉进行延伸。该装置能够配合本工艺得到3mm的SiC颗粒（一般不低于40%），具体的，在本工艺条件下，部分颗粒尺寸还可达6mm以上，其中，3mm颗粒占比可以达到70％，因此有效的改善SiC粉料的粒径影响生长气氛中的Si/C比以及生长的速度。
一种颗粒 sic 合成装置以及工艺

[发明专利]一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法-CN202310514297.2有效
发明人：盛永江;欧阳鹏根;吴瑶瑶;胡建荣;汪传勇;黄俊;唐永刚 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装及方法，属于碳化硅晶片氢气刻蚀技术领域，包括外壳，以及位于外壳内的刻蚀组件。刻蚀组件包括气体管道和基座，气体管道穿过外壳，并与基座呈相对设置，基座上设有固定座，固定座具有第一状态和第二状态，在第一状态下，固定座的上端面为一微凸界面，以支持翘曲的碳化硅晶片，在第二状态下，固定座逐渐软化，且支持和引导随固定座软化而趋于平坦的碳化硅晶片，其中，固定座与气体管道之间设有预定距离，以配置为对固定座上的晶片进行刻蚀。该工装能够保证晶片在刻蚀过程中平整度，而且使晶片表面气流密度一致，减少产生温度梯度的情况，有效的提高晶片刻蚀的效果。
一种用于碳化硅晶片氢气刻蚀工装方法

[发明专利]一种双向生长碳化硅晶体的装置-CN202310350285.0有效
发明人：曹建伟;欧阳鹏根;李哲;汪传勇;黄俊 -专利权人：内蒙古晶环电子材料有限公司;宁夏创盛新材料科技有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种双向生长碳化硅晶体的装置，属于晶体生长技术领域，该双向生长碳化硅晶体的装置包括下坩埚组件和上坩埚组件。其中，下坩埚组件中下坩埚体具有一向上开口的第一腔室，第一多孔石墨板设置于第一腔室，且第一多孔石墨板和第一腔室的下部配合构成第一容料腔；上坩埚组件中上坩埚体具有一向下开口的第二腔室，第二多孔石墨板设置于第二腔室，且第二多孔石墨板和第二腔室的上部配合构成第二容料腔，上坩埚体设置于下坩埚体上时，第一腔室和第二腔室连通，且第一容料腔和第二容料腔之间能够放置至少一块籽晶件，通过本装置的设置，使得籽晶可在双向进行生长，以获得较厚的晶体。
一种双向生长碳化硅晶体装置

[实用新型]用于生长碳化硅晶体的组件以及碳化硅晶体生长的热系统-CN202223449652.2有效
发明人：曹建伟;盛永江;欧阳鹏根;汪传勇;黄俊;唐永刚 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于生长碳化硅晶体的组件以及碳化硅晶体生长的热系统，包括包括依次层叠设置的石墨籽晶托层、有机膜层和籽晶层，所述石墨籽晶托层与所述有机膜层的接触面为第一粗糙面，所述籽晶层与所述有机膜层的接触面为第二粗糙面，所述有机膜层嵌入到所述第一粗糙面以及所述第二粗糙面中。本实用新型的用于生长碳化硅晶体的组件通过设置接触面粗糙的石墨籽晶托层和籽晶层与有机膜层贴合，能使生长出的碳化硅晶体具有优异的质量及产率。
用于生长碳化硅晶体组件以及晶体生长系统

[外观设计]桌面无线充(贵妃椅-F3)-CN202230576173.3有效
发明人： 汪传勇 -专利权人： 汪传勇
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：桌面无线充(贵妃椅‑F3)。2.本外观设计产品的用途：用于桌面无线充电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
桌面无线贵妃 f3

[实用新型]一种用于生长蓝宝石晶体的长晶炉结构-CN201420687188.7有效
发明人：吉爱华;徐祥奇;钱梅仙;汪传勇;于海群 -专利权人：江苏苏博瑞光电设备科技有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生长蓝宝石晶体的长晶炉结构，坩埚（5）设置在壳体（11）内，籽晶杆（12）内设置热交换器（1），籽晶杆（12）的底端设置籽晶夹头（3），籽晶杆（12）穿过壳体（11）的上盖伸入壳体（11）内；壳体（11）的上盖内设置加热器（2）；坩埚（5）的顶面下表面、底面上表面均设置有第一密封条（5a），坩埚（5）的侧面的上、下面均设置有第二密封条（5b），第一密封条（5a）和第二密封条（5b）为带有磁性的密封条，第一密封条（5a）与第二密封条（5b）磁性相反；本实用新型确保了长晶炉密封良好及炉内温度的一致性，将坩埚改为分立体结构，便于维修，节约了能耗，提高了保温效果和晶体成品率。
一种用于生长蓝宝石晶体长晶炉结构

[实用新型]一种应用于导模法生长宽厚片晶体的实用模具-CN201420244795.6有效
发明人：杜小红;钱梅仙;汪传勇;于海群;张寒贫 -专利权人：江苏苏博瑞光电设备科技有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于导模法生长宽厚片晶体的实用模具,包括第一侧板（1）、第二侧板（2）、隔板（3）和隔条（4）；若干隔板（3）相互平行设置，通过隔条（4）竖直设置在隔板（3）之间，将隔板（3）之间的缝隙隔开形成若干毛细缝；隔板（3）设置在第一侧板（1）和第二侧板（2）之间，隔板（3）、第一侧板（1）和第二侧板（2）通过铆钉（5）固定，铆钉（5）横穿隔板（3）、第一侧板（1）和第二侧板（2）。本实用新型多条毛细缝增加了单位时间内的供料量，使供料速度明显提高，因此可以提高晶体生长拉速，从而提高生产效率。
一种应用于导模法生长宽厚晶体实用模具

[实用新型]一种导模法生产蓝宝石单晶热场-CN201320872381.3有效
发明人：于海群;钱梅仙;汪传勇 -专利权人：江苏苏博瑞光电设备科技有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种导模法生产蓝宝石单晶热场，其特征在于：所述热场由不锈钢筒体1、保温装置、圆筒形石墨加热器12、坩埚8、长晶模具14、模具固定板6、籽晶引送装置、导流装置组成；上述各装置采用可拆卸方式连接。本实用新型的热场设计均采用模块化，结构简单、易于拆装；侧壁开窗，采用CCD视频成像监控系统，易于实时监测晶体生长过程；本热场经过试验验证，保温性能较好，温度的反应时间能较好的达到长晶需求。
一种导模法生产蓝宝石单晶热场

[发明专利]一种多片式导模法蓝宝石晶片生长工艺-CN201410104117.4无效
发明人： 汪传勇;钱梅仙;左然;于海群 -专利权人：江苏苏博瑞光电设备科技有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多片式导模法蓝宝石晶片生长工艺，包括以下步骤，S01，蓝宝石原料处理；S02，装炉；S03，抽真空及充氩气；S04，升温；S05，引晶及缩颈；S06，扩肩；S07，等径生长；S08，降温。本发明采用EFG法（Edge-DefinedFilm-FedGrowth，EFG），通过设计最佳的模具分布与装炉工艺，结合科学的晶体生长控制程序，运用合理的周向及轴向温度梯度，同步生长出多片的优质片状蓝宝石单晶。
一种多片式导模法蓝宝石晶片生长工艺

[发明专利]一种具有中红外发光性能的晶体材料及其制备方法-CN201310484965.8无效
发明人：王静雅;蒋先涛;苏良碧;徐军;唐慧丽;钱小波;汪传勇;姜大朋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有中红外发光性能的晶体材料及其制备方法，该发光晶体材料是在Bi4Ge3O12晶体中掺杂了2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子的晶体材料。其制备方法包括如下步骤：a)按Bi4Ge3O12的化学计量比称取Bi2O3粉体和GeO2粉体后，加入掺杂氧化物的粉体，混合均匀；b)将步骤a)中得到的混合粉体制成坯体，在500～800℃下烧结5～20小时后进行研磨，得到有掺杂的Bi4Ge3O12粉体；c)将步骤b)中得到的Bi4Ge3O12粉体制备成中红外发光晶体材料。本发明制备的晶体材料，吸收边位于300nm，在300～1600nm范围没有明显的吸收峰，荧光范围为1800～3020nm，覆盖波段超过1000nm，可应广泛用于通讯、医疗和军事等领域。
一种具有红外发光性能晶体材料及其制备方法

[发明专利]一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法-CN201310485662.8无效
发明人：唐慧丽;蒋先涛;苏良碧;徐军;吴锋;汪传勇;姜大朋;王静雅;钱小波 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有中红外宽带发光性能的晶体材料及其制备方法，所述晶体材料是在Bi12GeO20晶体中掺杂有2～4μm波段内不具有发光性能的金属离子的材料。其制备方法包括如下步骤：a)按Bi12GeO20的化学计量比称取Bi2O3粉体和GeO2粉体后，加入掺杂粉体，混合均匀；b)将步骤a)中得到的混合粉体制成坯体，在500～800℃下烧结5～20小时后进行研磨，得到有掺杂的Bi12GeO20粉体；c)将步骤b)中得到的Bi12GeO20粉体制备成中红外宽带发光晶体材料。本发明制备的晶体材料吸收边位于300nm，在300～1100nm范围没有明显的吸收峰，荧光范围为1800～3020nm，覆盖波段超过1000nm，可应广泛用于通讯、医疗和军事等领域。
一种具有红外宽带发光性能晶体材料及其制备方法

[发明专利]适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统-CN201310095356.3有效
发明人：李红军;陈伟超;唐慧丽;徐军;钱小波;胡克艳;王静雅;汪传勇;吴锋;唐飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。在晶体生长过程中，晶体和熔体的比例不断变化，由于熔体和晶体的介电常数不同，晶体生长过程中测得的电容值不同，从而监控电容值可以即时监控晶体和熔体混合物的介电常数，进而推导出晶体和熔体的比例，在一定程度上可即时反馈晶体生长状况，从而可以辅助监控晶体的生长状况。
适用于高温氧化物晶体生长辅助监测系统

[发明专利]提拉泡生法生长晶体的装置-CN201310116108.2有效
发明人：陈伟超;李红军;钱小波;徐军;唐慧丽;胡克艳;王静雅;汪传勇;吴锋;唐飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提拉泡生法生长晶体的装置，所述装置包括：夹持籽晶的复合型籽晶杆（2），所述复合型籽晶杆（2）包括可相互分离或接合的主水冷杆（19）与籽晶夹具（21），所述主水冷杆（19）和籽晶夹具（21）能够独立地上下运动和顺逆旋转运动；容纳有用于生长晶体的熔体的坩埚（11）；以及温场调节单元，所述温场调节单元包括发热体（7）、上保温罩（8）、侧保温层（3）和下保温层（10），所述上保温罩（8）位于所述坩埚（11）的上方且能够升降，所述发热体（7）位于所述坩埚（11）和侧保温层（3）之间。
提拉泡生法生长晶体装置

[发明专利]钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法-CN201310027583.2有效
发明人：苏良碧;詹曜宇;李红军;王庆国;钱小波;姜大朋;汪传勇;王静雅;徐军 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体，所述激光晶体MeF2（Me=Ca、Sr、Ba等）中还掺杂有与所述钕离子Nd3+共掺的三价阳离子M3+（M=Y、Sc、La、Gd、Lu等）。本发明在钕离子掺杂的二价阳离子氟化物激光晶体中通过共掺三价阳离子M3+，在保持其宽带发射光谱特性的前提下，降低Nd离子的荧光猝灭效应，提高荧光量子效率，并实现发光波长、发射截面和荧光寿命的调控。
离子掺杂二价阳离子氟化物激光晶体及其制备方法

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