专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种微型LED字符显示芯片的制作方法-CN202111263018.7在审
  • 于天宝;万金平;陈扬文;朱志甫;黄建民;赵捷 - 江西壹创军融光电科技有限公司
  • 2021-10-28 - 2022-01-28 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种微型LED字符显示芯片的制作方法,包括以下步骤:在外延片的表面制作P、N欧姆接触电极;在晶圆旋涂光刻胶,之后蚀刻去除非发光区,形成独立的发光字段;在晶片沉淀二氧化硅绝缘膜,制作通孔;在晶片表面依次设置聚酰亚胺膜与正型光刻胶膜;对晶片进行曝光显影,之后去除正型光刻胶,并对聚酰亚胺膜进行改性;在聚酰亚胺膜制作金属导线,分割晶片得到独立的微型LED字符显示芯片。本发明能够得到较厚的聚酰亚胺膜作为绝缘膜,避免单纯采用二氧化硅绝缘膜做为隔离层所造成的金属导线与半导体侧面的漏电,同时聚酰亚胺膜通过曝光、显影等工艺就能够得到与所设计的图形相应的绝缘膜,工艺成本低,适合于批量化生产。
  • 一种微型led字符显示芯片制作方法
  • [实用新型]一种反人脸识别的可穿戴眼镜装置-CN202121309577.2有效
  • 万金平;万志群;李东;吴观丽 - 江西壹创军融光电科技有限公司
  • 2021-06-11 - 2021-11-23 - G02C11/00
  • 本实用新型公开了一种反人脸识别的可穿戴眼镜装置,包括镜框,镜框通过卡扣装置安装有红外发光芯片,红外发光芯片设置于镜框远离穿戴者的外框侧,卡扣装置包括开设于镜框上的安装槽,安装槽两侧侧壁上开设有限位槽,安装槽开口端处间隙配合有基板,红外发光芯片安装于基板的中部,基板靠近穿戴者的一侧设置有卡杆,卡杆中部通过开设弧形槽卡接有限位杆,限位杆远离卡杆的一端固定连接有弹簧,弹簧远离卡杆的一端与限位槽底壁相连接,本实用新型新型巧妙地将红外发光芯片置于眼镜上,芯片发出强烈的红外光,相对于人脸识别装置产生眩光效应,使得人脸细节信息无法被人脸识别装置分辨,达到防止偷拍的效果。
  • 一种反人脸识别穿戴眼镜装置
  • [发明专利]一种光学透射式AR眼镜显示芯片及其制作方法-CN201810374340.9有效
  • 万金平;于天宝;高洪新;刘芳娇 - 江西壹创军融光电科技有限公司
  • 2018-04-24 - 2020-09-04 - H01L27/15
  • 一种光学透射式AR眼镜显示芯片及其制作方法,在蓝宝石基板上生长LED发光层的蓝光或绿光LED外延片上,按所设计的象素单元尺寸进行P外延层的刻蚀,形成PN结独立的LED像素;继续向下刻蚀外延结构N型外延层,实现LED显示芯片内的行与行之间电性隔离沟道;在行与行隔离沟道中进行隐型切割,形成激光束方向上的变质区。在LED外延片表面沉淀一层二氧化硅或氮化硅绝缘隔膜,再在绝缘隔膜的每一发光像素顶部位置处加工一通孔。蒸镀ITO层并形成ITO导电线条;提升ITO的透光率并实现ITO薄膜在通孔处与P型LED外延层形成欧姆接触;在芯片的每行及每列的两端制作Cr/Pt/Au/In复合金属接触端点,研磨、切割后与外部控制电路端点进行精密对准和倒装共晶焊接,形成应用的LED显示芯片。
  • 一种光学透射ar眼镜显示芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法-CN201810285397.1有效
  • 万金平;于天宝 - 江西壹创军融光电科技有限公司
  • 2018-04-02 - 2020-08-07 - H01L33/00
  • 一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构及其制作方法,所述外延结构从下向上依次为:N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、P型GaAs外延层、N型GaAs外延层、N型AlInP限制层、MQW量子阱发光层、P型AlInP限制层和P型GaP窗口层。其制作方法包括(1)提供GaAs衬底并清洗;(2)生长P‑GaAs外延层;(3)生长N‑GaAs外延层;(4)生长N‑GaAs外延层;(5)生长N‑AlInP外延层;(6)生长MQW发光层;(7)生长P‑AlInP外延层;(8)生长P‑GaP外延层。本发明通过利用反向NP结形成发光MQW量子阱发光层和衬底材料的电性隔离,同时设计了较薄的P型GaP扩展层,有利于实现LED微显示矩阵的寻址电路,并防止了对发光单元的进行切割隔离时的单元像素的损伤、脱落,保持LED微显示阵列的完整。
  • 一种基于砷化镓衬底平面led外延结构及其制作方法

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