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[发明专利]一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺-CN201410539258.9在审
发明人： 武安华;王卓;徐军;姜大朋;苏良碧;钱小波;陈险峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海交通大学
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺，所述工艺包括：对生长炉内抽真空至真空度小于6×10^-3Pa；以10～100℃/小时的升温速率升温至500～600℃后充入高纯保护氩气；继续升温至950～1050℃，保温至原料全部熔化；再以2～10℃/小时速率降温至800～850℃，保温至晶体完全结晶；当晶体结晶结束，将温度梯度调整为零，进行原位退火；退火结束，以5～20℃/小时速率降温至室温。本发明工艺具有温场稳定，生长过程中无需通入有毒气体，生长的BaMgF₄单晶完整性好，成品率高，晶体尺寸和外形可控，且对设备无苛刻要求、操作简单、环境友好、有利于实现工业化生产等优点。
一种温度梯度生长氟化镁钡单晶工艺

[发明专利]一种氟化镁钡单晶的生长方法-CN201110434476.2有效
发明人： 武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。
一种氟化镁钡单晶生长方法

[发明专利]一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法-CN201110029119.8无效
发明人： 武安华;申慧;徐家跃;侍敏丽;罗丽庆;储耀卿;葛增伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土正铁氧体纳米粉体的制备方法，该方法是溶胶-凝胶自燃法，包括如下具体步骤：配制稀土金属硝酸盐或盐酸盐水溶液、硝酸铁或氯化铁水溶液、柠檬酸水溶液；将配制的稀土金属硝酸盐或盐酸盐水溶液、硝酸铁或氯化铁水溶液与柠檬酸水溶液混合，加热并搅拌，使形成溶胶-凝胶前驱体；将得到的溶胶-凝胶前驱体置入550～650℃的加热炉中进行自燃合成；将得到的自燃产物在600～800℃下煅烧2～4小时。本发明所述的溶胶-凝胶自燃法具有能耗低，制备工艺简单，无需特殊设备，可操控性强，产品纯度高，适合规模化生产等优点。
一种稀土铁氧体纳米制备方法

[发明专利]一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法-CN201110029308.5无效
发明人： 武安华;徐军;郑燕青;施尔畏;钱国兴 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法，所述方法是坩埚下降法，是首先将初始原料按Ca4RO(BO3)3化学式配料混合均匀，预烧，再次混匀，和晶种放入铂坩埚，密封坩埚，置入Bridgman单晶炉内，熔化原料和晶种顶部，控制生长界面温梯在30～40℃/cm，径向温梯小于1℃/cm，以≤1mm/小时的速度下降坩埚；生长结束后，进行原位退火，再缓慢降至室温，即得与铂坩埚形状相同的Ca4RO(BO3)3完整晶体。本发明具有温场稳定，组份不易挥发，生长的晶体完整性好，无宏观及微观缺陷；晶体的生长方向、尺寸和外形容易控制，大尺寸晶体不易开裂，成品率高；工艺设备简单，操作方便，能耗及成本低，适合规模化生产等优点。
一种尺寸稀土硼酸盐晶体制备方法

[发明专利]一种稀土铁氧体磁光晶体生长方法-CN200910048392.8无效
发明人：申慧;徐家跃;武安华;金敏;张红玲;王红;李新华 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土铁氧体磁光材料RFeO₃晶体(R为Y、Gd、Tm、Nd、Sm、Eu、Ho、Yb等稀土元素)的生长方法，属于单晶生长领域。即R₂O₃和Fe₂O₃形成的初烧料与PbO+PbF₂+B₂O₃复合助熔剂混合均匀后，放入铂金坩埚内气密后，将坩埚置于下降炉内，升温熔化原料，通过控制炉温、调节坩埚底部的气流量或水流量、优化固液界面温度梯度和生长速度等参数，实现不同化学组成的该系列稀土磁光晶体的生长。本发明通过助熔剂降低了晶体生长温度，同时坩埚底部通气或通水造成局部过冷并快速成核，从而生长出大尺寸的RFeO₃单晶。同时具有设备简单、一炉多产、成本低有利于实现晶体的批量生产等。
一种稀土铁氧体晶体生长方法

[发明专利]磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法-CN200710171689.4无效
发明人：徐家跃;申慧;郁金星;武安华 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明涉及磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法，属于单晶生长领域。其特征是以氧化物为原料按照比例经过预烧、等静压成型和高温烧结得到原料棒，再将料棒置于无坩埚晶体生长炉中，在空气气氛中进行生长。本发明的特点在于，采用无坩埚技术生长RFeO₃晶体，并且不需要任何助熔剂，最大程度地减少了生长过程中助熔剂和坩埚对晶体的污染，可大大减少磁光晶体中的杂质缺陷，提高了晶体质量。
稀土铁酸盐晶体坩埚生长方法

[发明专利]氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法-CN200610025074.6无效
发明人：徐家跃;李新华;申慧;钱国兴;罗丽庆;武安华;林雅芳 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内，在下降炉中加热熔化原料；待原料完全熔化后，通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚，待全部熔体凝固并冷却到室温后，可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于，坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核，从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单，操作方便，可一炉生长多个晶体，有利于实现晶体生长的工业化。
氧化锌通气坩埚下降生长方法

[发明专利]一种制备碳化硅/碳，碳化硼/碳功能梯度材料的方法-CN01100449.5无效
发明人：葛昌纯;曹文斌;沈卫平;李江涛;武安华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2001-01-12 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B₄C/C功能梯度材料的方法。特征在于：向低原子序数陶瓷-碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂，对于SiC/C FGM，采用活性炭粉和B粉作SiC的烧结助剂，SiC的烧结助剂B+C含量应在1-10wt％(重量百分比)，碳材料添加剂B的含量应在1-10wt％。B₄C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计，B₄C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中，压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃，保温1-3小时。优点在于：具有优良的耐高温等离子体冲刷，抗热冲击和耐化学溅射性能。
一种制备碳化硅碳化功能梯度材料方法

[发明专利]锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法-CN03115421.2无效
发明人：徐家跃;周娟;武安华;华王祥;林雅芳;陆宝亮;童健;范世 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2003-02-14 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr3Ga2Ge4O14的化学组成均匀混合，在1130－1180℃预烧8－12小时，通过固相反应以去除CO2；将取向确定的籽晶放在坩埚底部，再装入合成好的原料，然后将坩埚置于下降法生长炉中；在1400－1500℃以上熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在30～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将单只或多只坩埚放入下降炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。
锗酸镓锶压电晶体坩埚下降生长方法

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