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[发明专利]一种高熵合金电磁波吸收材料的制备方法及其应用-CN202310815020.3在审
发明人：靳佳玮;刘冬;麦志喜;冯均利;姜林文 -专利权人：宁波大学;深圳海关工业品检测技术中心
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B22F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高熵合金电磁波吸收材料的制备方法及其应用，涉及电磁波吸收材料制备技术领域，本发明将粉末状导电聚合物和铁粉、钴粉、镍粉金属粉末混合后，通过高能球磨法将导电聚合物掺杂入高熵合金中，制备出掺杂导电聚合物的高熵合金粉末，掺杂导电聚合物可以调控高熵合金的电磁参数，优化高熵合金的阻抗匹配，以达到提高电磁波吸收效率的效果，掺杂了导电聚合物的高熵合金，相比传统的高熵合金吸波材料，重量更轻，电磁波有效吸收带宽更大，本发明所制备的掺杂导电聚合物的高熵合金电磁波吸收材料，工艺流程简单，易于工业化，通过控制掺杂导电聚合物的质量比，灵活调控高熵合金的电磁参数，在电磁波吸收领域具有良好的应用前景。
一种合金电磁波吸收材料制备方法及其应用

[发明专利]一种应用于电磁波吸收的FeCoNi基多孔高熵合金材料及其制备方法-CN202210373663.2在审
发明人：羊建平;姜林文;杨文超;冯均利 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种本发明涉及一种FeCoNi基多孔高熵合金材料的制备及其应用。本发明通过高能球磨的方法将不同的金属单质粉(其中主元包括但不仅限于铝，铁，钴，镍)固溶成高熵合金粉末，再用碱溶液对高熵合金中的铝主元进行腐蚀处理，得到具有多孔形貌的高熵合金。多孔的结构可以有效地增加电磁波与材料的多重反射。同时，可通过调碱溶液和高熵合金中铝主元的相对含量来控制脱合金化的程度，从而达到优化电磁参数，进一步提升材料的微波吸收性能的目的。本发明所制备的多孔高熵合金微波吸收体具有多孔的结构，具有轻重量的特点。本发明制备工艺简单、周期短，得到的多孔高熵合金材料电磁参数可调控，在吸波材料领域具有一定的应用前景。
一种应用于电磁波吸收 feconi 基多孔高熵合金材料及其制备方法

[实用新型]一种带有易撕贴保护膜的面罩-CN202020764703.2有效
发明人： 姜林文 -专利权人：东莞市卓文包装材料有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： A41D13/11 文献下载
摘要：一种带有易撕贴保护膜的面罩，它涉及面罩技术领域。它包含头卡、与所述头卡固定连接的面屏以及固定设置于所述面屏上靠近所述头卡一侧的海绵块，其特征在于，所述面屏上远离所述海绵块一侧设置有用于保护所述面屏的第一保护贴膜；所述面屏上远离所述第一保护贴膜一侧并位于所述海绵块下方的第二保护贴膜；所述第一保护贴膜边缘上远离所述面屏一侧设置有便于用户将所述第一保护贴膜撕开以提高所述面屏清晰度的第一易撕贴；所述第二保护贴膜边缘上远离所述面屏一侧设置有便于用户将所述第二保护贴膜撕开以提高所述面屏清晰度的第二易撕贴。采用上述技术方案具有保护面屏，防止面屏被刮花，容易撕开保护膜、重量轻、透明度高的优势。
一种带有易撕贴保护膜面罩

[发明专利]导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法及其应用-CN201910543993.X有效
发明人： 姜林文;冯均利;李江涛;杨俊凡 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备方法及其应用，制备方法包括如下几个方面：颗粒尺寸均匀的钼坡莫粉体的制备，质子化的聚合物单体制备以及导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的制备。本发明通过原位化学氧化聚合的方法将高复磁导率的钼坡莫合金粉体与高复介电常数的导电聚合物单体进行有机复合，二者具有匹配的电磁性能，使得导电聚合物包覆钼坡莫复合材料具有优异的微波吸收性能，同时还可以通过调节聚合物单体的质子化程度来调控导电聚合物包覆钼坡莫复合材料的高频电磁参数，从而进一步提升材料的微波吸收性能；该复合材料可大幅度降低吸波剂的重量，在吸波材料领域具有一定的应用前景。
导电聚合物包覆钼坡莫复合材料制备方法及其应用

[外观设计]隔离面罩（易撕膜）-CN202030208016.8有效
发明人： 姜林文 -专利权人：东莞市卓文包装材料有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： 29-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：隔离面罩（易撕膜）。2.本外观设计产品的用途：用于面部防护。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
隔离面罩易撕膜

[发明专利]一种氧化镝透明陶瓷的制备方法-CN201610951703.1有效
发明人：吕滨;陈红兵;潘建国;姜林文;潘尚可 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镝透明陶瓷的制备方法，其先将氨水逐滴滴加到硝酸镝溶液中，在滴定结束后陈化得到白色沉淀；然后将过滤洗涤后的白色沉淀加入到萘酚黄硫溶液中反应，获得含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体；接着对含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体依次进行洗涤、干燥、研磨及过筛，再煅烧获得氧化镝纳米粉末；最后对氧化镝纳米粉末依次进行预压、冷等静压成型、高温无压烧结及机械加工获得氧化镝透明陶瓷；本发明方法的优点是获得的氧化镝纳米粉末具有较高的烧结活性且未产生严重的团聚现象，不仅可通过无压烧结技术制备出氧化镝透明陶瓷，而且可制备出高透过率的氧化镝透明陶瓷。
一种氧化透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种超微胶囊材料及其制备方法与应用-CN201810072488.7在审
发明人： 姜林文;杨姗姗;郑梦瑶;赵晗蕾;郝佩茜 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超微胶囊材料及其制备方法与应用，该超微胶囊材料的结构为核壳结构，其由作为内核的稀土钴磁体R2Co17微米级颗粒及作为外壳的质子化的聚吡咯组成；该超微胶囊材料制备过程为：对稀土钴磁体R2Co17块状体经粉碎和球磨后得到稀土钴磁体R2Co17微米级颗粒，在质子化的吡咯单体中加入稀土钴磁体R2Co17微米级颗粒，随后加入氧化剂过硫酸铵，搅拌后得到超微胶囊材料；优点是该超微胶囊材料通过复合高复磁导率的稀土钴磁体和高复介电常数的质子化的聚吡咯，有效地提高了该超微胶囊材料在微波S波段的吸波性能。
胶囊材料超微稀土钴磁体微米级颗粒质子化聚吡咯制备复介电常数氧化剂过硫酸铵核壳结构吸波性能制备过程吡咯单体磁导率块状体有效地内核球磨应用微波复合

[实用新型]一种气泡袋-CN201721039672.9有效
发明人： 姜林文 -专利权人：东莞市卓文包装材料有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B65D81/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气泡袋，包括袋体片和封檐，所述袋体片的数量为两块，且两块袋体片在侧面直接通过热压连接形成一体化结构，所述封檐固定安装在袋体片端部，在袋体片内侧固定安装有若干个气囊组，若干个所述气囊组紧密贴合连接，所述气囊组包括两个气囊，两个所述的气囊通过收缩松紧环连接，所述收缩松紧环中央还固定安装有隔离带，在隔离带两侧均设有连通软管，所述气囊内部均通过密封膜分为两个部分，两个所述的连通软管分别与两个气囊的不同部分直接连通，所述袋体片外表面固定安装有若干个气泡，所述气泡等间距均匀的呈矩阵分布在袋体片外表面，能够提供更好的缓冲空间，在表面上具有更强的力学韧性能力，大大提高了实际的防护能力。
袋体片气囊组气囊连通软管隔离带气泡袋松紧环封檐收缩本实用新型一体化结构防护能力缓冲空间间距均匀紧密贴合矩阵分布力学韧性气囊内部热压连接直接连通密封膜侧面

[发明专利]一种用金属氧化物为替代阳极制备金属纳米胶囊的方法-CN201210466336.8有效
发明人：王振华;耿殿宇;姜菁菁;王瀚;龚文杰;姜林文;王辉;汪嘉恒;张志东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种金属纳米胶囊的制备方法，该方法弥补了已有技术的不足，其特征是以金属氧化物粉为原料，并压制成块体放置在导电的坩埚上和坩埚一起为阳极，如坩埚为石墨或铜制成，阴极为石墨或钨。酒精或酒精和氢气作为还原剂，利用等离子体为热源，在氧化物的热解、电离、还原、蒸发和冷凝的过程中制备金属纳米胶囊。所得材料是由纳米级的金属为核，外面包裹该金属的氧化物组成的纳米胶囊，由于氧化物外壳的存在有效的提高纳米胶囊的耐氧化性。
一种金属氧化物替代阳极制备纳米胶囊方法

[发明专利]一种氟化镁钡单晶的生长方法-CN201110434476.2有效
发明人：武安华;徐军;苏良碧;李红军;钱国兴;姜林文;钱小波;王静雅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化镁钡单晶的生长方法，所述生长方法包括如下步骤：首先将BaF2和MgF2的混合粉体或BaMgF4粉体进行氟化处理；然后将氟化处理后的粉体和籽晶放入铂坩埚中，气密坩埚；再将铂坩埚置入单晶炉中，采用坩埚下降法生长氟化镁钡单晶。本发明所述的氟化镁钡单晶的生长方法具有如下优点：温场稳定，生长过程中无需通入CF4气体；生长的BaMgF4单晶完整性好，无宏观及微观缺陷；成品率高，晶体尺寸和外形容易控制；晶体不易开裂；另外，该方法工艺设备简单，操作方便，能耗明显降低，有利于实现工业化生产。
一种氟化镁钡单晶生长方法

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