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[发明专利]有机光电转换元件-CN201880029188.9有效
发明人：齐藤阳介;竹村一郎;榎修;根岸佑树;长谷川雄大;茂木英昭;氏家康晴 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明在使用有机材料的光电转换元件中提高了量子效率和响应速率。在这一有机光电转换元件中，光电转换层包含由式1表示的p型分子。在式1中，A表示氧原子、硫原子或硒原子中的任一者，R1至R4中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，R1至R4中的剩余者各自表示氢原子，R5至R8中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，且R5至R8中的剩余者各自表示氢原子。#imgabs0#
有机光电转换元件

[发明专利]光检测元件和光检测装置-CN202310512225.4在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。
检测元件装置

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN201780016139.7有效
发明人：尾花良哲;中山典一;根岸佑树;长谷川雄大;榎修;齐藤阳介;竹村一郎;松泽伸行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：根据本发明的光电转换元件包括：第一电极和第二电极，它们彼此面对地布置着；以及光电转换层，它被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含由下列的通式(1)、通式(2)和通式(3)中的任一者表示的多环芳香族化合物中的至少一种：
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN202310099447.8在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态摄像元件和固态摄像装置。其中，固态摄像元件可包括：下电极；上电极，其与所述下电极相对；光电转换层，其设置在所述下电极与所述上电极之间，并包括第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在所述上电极与所述光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度范围在0体积％以上且小于0.05体积％。
固态摄像元件装置

[发明专利]固态摄像元件和固态摄像装置-CN201780042242.9有效
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K65/00 文献下载
摘要：[技术方案]根据本发明的实施例的第一固态摄像元件设置有：下电极；上电极，其与下电极相对设置；光电转换层，其设置在下电极与上电极之间，并含有第一有机半导体材料；以及上部中间层，其设置在上电极与光电转换层之间，并包括分子中具有卤素原子的第二有机半导体材料，所述第二有机半导体材料的浓度在0体积％以上且0.05体积％以下。
固态摄像元件装置

[发明专利]光电转换器和摄像装置-CN202180032345.3在审
发明人：榎修;菅野雅人;高桥千明;椙村知佳;齐藤阳介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的光电转换器包括：第一电极；第二电极；第一光电转换层；第二光电转换层；第一缓冲层；和第二缓冲层。第二电极与第一电极相对布置。第一光电转换层设置在第一电极和第二电极之间。第一光电转换层包含第一染料材料和第一载流子传输材料。第二光电转换层层叠在第一电极和第二电极之间的第一光电转换层的第二电极侧。第二光电转换层包含第二染料材料和第二载流子传输材料。第二染料材料具有与第一染料材料的光吸收波形不同的光吸收波形。第一缓冲层具有第一导电类型。第一缓冲层设置在第一电极和第一光电转换层之间。第二缓冲层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第二缓冲层设置在第二电极和第二光电转换层之间。
光电转换器摄像装置

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN202210905108.X在审
发明人：松泽伸行;长谷川雄大;尾花良哲;竹村一郎;山口哲司;榎修 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN201780043475.0有效
发明人：松泽伸行;长谷川雄大;尾花良哲;竹村一郎;山口哲司;榎修 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]光电转换元件和摄像元件-CN202080064448.3在审
发明人：平野英孝;长谷川雄大;榎修;八木岩;齐藤阳介;妹尾雅美 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本公开的实施方案的光电转换元件10A包括：第一电极21；第二电极23，其设置成与第一电极21相对；和光电转换层22，其设置在第一电极21和第二电极23之间，光电转换层22包括作为第一有机半导体材料的空穴传输材料，空穴传输材料吸收蓝色光。
光电转换元件摄像

[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备-CN201710880142.5有效
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换元件和电子设备-CN202011260773.5在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电转换元件，其包括：光电转换膜；配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和配置在所述光电转换膜和一个电极之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备-CN202011258958.2在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换膜和电子设备-CN202011258985.X在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换电子设备

[发明专利]光电转换膜和电子设备-CN202011259273.X在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换电子设备

[发明专利]光电转换膜和电子设备-CN202011261026.3在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电转换膜，其包含不吸收可见光的透明化合物；和有机染料化合物，所述有机染料化合物吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。
光电转换电子设备

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