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[发明专利]一种利用电极表面微结构改造提升电致变色胶体光子晶体响应性能的方法-CN202310220811.1在审
发明人：葛建平;余文缘 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电极表面微结构改造提升电致变色胶体光子晶体响应性能的新方法。通过溅射沉积金属纳米颗粒、涂布沉积半导体纳米颗粒等方式，将电极表面改造为具有大量微小凸起的非平整结构。这些凸起的尖端结构使得电荷注入增多，局部电场增强，从而提升电致变色光子晶体的多项响应性能。与采用普通电极封装的电致变色光子晶体相比，本发明提出的采用改造电极封装的光子晶体具有更低的工作电压、更高的结构色饱和度、以及更好的电响应可逆性和稳定性，为光子晶体彩色电泳显示技术的发展提供了新路径。
一种利用电极表面微结构改造提升变色胶体光子晶体响应性能方法

[发明专利]光子晶体复合氧化铁纳米阵列光电极的复合材料制备方法-CN201811513619.7有效
发明人：马德琨;余文缘;杨东朋;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体复合氧化铁纳米阵列光电极的复合材料制备方法，通过研发由高丰度且廉价元素Fe、O组成的Fe2O3纳米阵列光电极，并将光子晶体复合到Fe2O3纳米阵列光电极上，实现Fe2O3的紫外吸收谱与光子晶体的反射峰相匹配，提高Fe2O3的光电催化活性。该复合材料在碱性条件下具有较好的光电催化活性。
光子晶体复合氧化铁纳米阵列电极复合材料制备方法

[发明专利]一种共修饰铋酸铜纳米棒光电阴极制备方法-CN201811217738.8有效
发明人：马德琨;马春艳;余文缘;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种共修饰铋酸铜纳米棒光电阴极制备方法,包括以下步骤：(1)运用丰富廉价的铋源，铜源，在碱性条件水热合成CuBi2O4纳米棒；(2)采用离子交替物理吸附法,把银离子负载在CuBi2O4纳米棒上；(3)以FTO导电玻璃为基底,采用滴涂法形成CuBi2O4/Ag膜，CVD法退火处理；(4)采用粒子转移技术将材料剥离转移到第二块FTO玻璃，超声处理。然后物理吸附氮掺杂碳量子点制备氮掺杂碳量子点和银共修饰CuBi2O4纳米棒光电阴极。通过本发明方法制备得到的光电阴极在可见光照射下,表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性,稳定性得到提升,可以有效应用于光电催化水分解产氢领域。
一种修饰铋酸铜纳米光电阴极制备方法

[发明专利]铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用-CN201810093800.0有效
发明人：马德琨;柴圆圆;余文缘;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C25B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟硫/硫化镉/二硫化钼纳米片光电极的制备及应用，制备方法为先采用水热合成方法合成得到CuInS₂纳米片光电极，然后通过水浴沉积的方法构筑得到CuInS₂/CdS异质结光电极，再采用水热的方法将MoS₂负载到CuInS₂/CdS异质结光电极的表面，得到最终产物CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片光电极。制备得到的CuInS₂/CdS/MoS₂纳米片可作为光电极光电还原对硝基苯胺。本发明的制备方法绿色、环保，适用于大规模生产，制备得到的产物在可见光照射下，不加入牺牲剂的条件下，加上一定的电压即可高效率的催化还原对硝基苯胺，制备对苯二胺，具有反应速度快，转化率高等优点，具有很好的使用价值和应用前景。
制备光电极纳米片二硫化钼纳米片对硝基苯胺硫化镉铜铟硫异质结应用反应速度快可见光照射催化还原对苯二胺水热合成最终产物电还原高效率牺牲剂水热水浴沉积合成构筑环保