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[发明专利]模数转换器和控制方法-CN201680003054.0有效
发明人：木岛雅史;水田悟;谷井努;松波弘之 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：模数转换器包括数模转换器、比较器和寄存器。数模转换器被配置为输出参考电压和模拟信号的电压之间的差分电压。比较器被配置为输出与由数模转换器输出的差分电压对应的比较信号。寄存器被配置为使数模转换器生成N对差分电压(N≥1)、第(N+1)对差分电压，并且被配置为输出与在(N+1)个比较信号中具有最小电压的比较信号对应的数字信号。
转换器控制方法

[发明专利]衬托器-CN200580010359.6无效
发明人：木本恒畅;松波弘之;藤原广和 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种用于半导体外延生长、能同时得到多张一致性较高的外延膜的衬托器。本发明的一种衬托器，是用于半导体外延生长的衬托器，包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在外侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在内部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。本发明的另一种衬托器包括：筒型衬托器，具有多个面，所述面在内侧自由地载置多个衬底；和下述部件，其在外周部配置前述筒型衬托器，具有相对于前述筒型衬托器的各前述面以向与该面相同的方向倾斜的方式对置配置的面。
衬托

[发明专利]场效应晶体管-CN200480009832.4有效
发明人：藤川一洋;原田真;松波弘之;木本恒畅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：在SiC单晶衬底(1)上，形成电场驰豫层(12)和p－型缓冲层(2)。电场驰豫层(12)被形成在p－型缓冲层(2)和SiC单晶衬底(1)之间，以使它与SiC单晶衬底(1)接触。在p－型缓冲层(2)上，形成n型半导体层(3)。在n型半导体层(3)上，形成p型半导体层(10)。在p型半导体层(10)上，n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)彼此以预定的距离分开形成。在位于n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)之间的p型半导体层(10)的区域的一部分上，形成p+型栅极区域层(6)。
场效应晶体管

[发明专利]二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法-CN03820514.9无效
发明人：大谷茂树;木下博之;松波弘之;须田淳;天野浩;赤崎勇;上山智 -专利权人：独立行政法人物质·材料研究机构;京都陶瓷株式会社
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB₂ (其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB₂单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10－10)面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
二硼化物单晶衬底使用半导体装置及其制造方法

[发明专利]横型接合型场效应晶体管及其制造方法-CN02828201.9有效
发明人：藤川一洋;原田真;弘津研一;初川聪;星野孝志;松波弘之;木本恒畅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2002-12-02 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。
接合场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]横向结型场效应晶体管-CN02802129.0有效
发明人：原田真;弘津研一;松波弘之;木本恒畅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种横向结型场效应晶体管，包括由n－型掺杂区形成的n－型半导体层(3)和在n－型半导体层(3)上由p－型掺杂区形成的p－型半导体层。另外，在p－型半导体层中设置延伸到n－型半导体层(3)中的p⁺－型栅区层(7)，它含有p－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度，还设置n⁺－型漏区层(9)，与p⁺－型栅区层(7)隔开预定的距离，它们含有n－型杂质，杂质浓度高于n－型半导体层(3)的杂质浓度。采用这种结构，可以提供横向结型场效应晶体管在保持较高击穿电压特性的同时，使导通电阻被进一步减小。
横向场效应晶体管

[发明专利]碳化硅半导体器件-CN03152590.3有效
发明人：片冈光浩;竹内有一;内藤正美;拉杰什·库马尔;松波弘之;木本恒畅 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏取向{0001}表面，该偏取向{0001}表面的偏轴方向是<11－20>。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向<11－20>方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。
碳化硅半导体器件

[发明专利]面结型场效应晶体管及其制造方法-CN00818361.9无效
发明人：原田真;弘津研一;松波弘之;木本恒畅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2000-09-11 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：一种面结型场效应晶体管及其制造方法,可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括第二导电型的栅极区域(2),其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10),其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5),其与栅极区域连接,限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3),其设在背面；第一导电型的漂移区域(4),其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。
面结型场效应晶体管及其制造方法