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- [发明专利]三态内容寻址存储器-CN202310561689.4在审
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王宗巍;李劲杉;蔡一茂;杨韵帆
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北京大学
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2023-05-18
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2023-09-22
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G11C15/04
- 本发明提供一种三态内容寻址存储器，包括氧化物半导体阵列、与氧化物半导体阵列连接的外围写字线驱动电路、TCAM输入、预充电与比较电路，以及逻辑电路；其中，写字线驱动电路用于驱动氧化物半导体阵列的写字线；TCAM输入用于输入待查询数据；预充电与比较电路用于对与待查询数据相对应的读字线进行预充，并将读字线电压与预设的参考电压进行比较，输出比较结果；逻辑电路用于根据比较结果确定与待查询数据相对应的存储地址。利用上述发明能够提高三态内容寻址存储器执行搜索的能效与并行度。
- 三态内容寻址存储器
- [发明专利]一种基于电荷再分配的存内计算电路-CN202310555036.5在审
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蔡一茂;杨韵帆;王宗巍
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北京大学
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2023-05-17
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2023-07-25
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G11C7/12
- 本发明提供了一种基于电荷再分配的存内计算电路，属于半导体(Semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non‑volatile Memory)与存内计算(Compute‑In‑Memory)技术领域。本发明基于电荷再分配的存内计算电路，利用电荷再分配实现向量矩阵乘法计算，整个计算过程中只有电荷转移过程且没有直流电流，极大降低计算功耗；本发明中的多功能输出单元及外围电路，同时具备钳位求和、正负列求差、模拟移位相加与模数转换功能，相比分别独立实现以上模块，降低了系统面积开销。
- 一种基于电荷再分计算电路
- [发明专利]一种加权求和存内计算电路及存储器-CN202310350594.8在审
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王宗巍;杨韵帆;蔡一茂;黄如
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北京大学
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2023-04-04
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2023-07-18
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G06N3/065
- 本发明提供一种加权求和存内计算电路及存储器，其中的电路包括：呈对称分布的第一阵列(阵列A)和第二阵列(阵列B)，以及外围电路；其中，当使用第一阵列进行存内计算时，首先把第一阵列和第二阵列通过外围电路断开连接，向第一阵列输入预充电压及脉冲信号，并通过第一阵列执行按位矩阵向量乘法运算；随后第一阵列和第二阵列通过外围电路实现连接，第一阵列和第二阵列组成开关电容电路，以通过第二阵列获取与脉冲信号对应的模拟求和及模拟加权求和运算，并输出运算结果。当使用第二阵列进行存内计算时，过程与上述过程相似。利用上述发明能够保持位线上的电压稳定，减少ADC的开启次数，提高系统的能效与面积效率。
- 一种加权求和计算电路存储器
- [发明专利]一种平衡电压降影响的存储器阵列-CN202310364014.0在审
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王宗巍;杨韵帆;蔡一茂;单林波;黄如
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北京大学
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2023-04-07
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2023-07-04
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G11C8/12
- 本发明提供了一种平衡电压降影响的存储器阵列，包括一个m行的存储器阵列，分为a个“子块”，每个“子块”内有行的存储单元；编号为{1，3，5，…，a‑1}的子块定义为“奇数子块”，编号为{2，4，6，…，a}的子块定义为“偶数子块”；“奇数子块”中的存储单元从上到下编号为1、2、3、…、“偶数子块”中的存储单元从上到下编号为…、3、2、1；选取所有“奇数子块”和“偶数子块”中编号相同的存储单元组成存储器阵列的子阵列，依次开启子阵列进行计算，每个“子阵列”中所有行器件连到底部模数转换器的总电阻和相等；有效平衡存储器阵列每次计算中的电压降影响，降低存储器阵列向量矩阵乘法计算的偏差。
- 一种平衡电压影响存储器阵列
- [发明专利]一种高灵活性存储计算阵列-CN202211396106.9在审
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蔡一茂;杨韵帆;王宗巍;鲍盛誉
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北京大学
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2022-11-09
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2023-03-21
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G11C5/06
- 本发明提出一种高灵活性存储计算阵列，属于半导体非挥发性存储器与存内计算技术领域。本发明1T1R阵列的字线方向与输入方向垂直,字线驱动用于控制1T1R阵列的字线输入电源电压或地电压，以打开或关闭一列字线，输入单元设有输入寄存器、电压多路选择器和行多路选择器，电压多路选择器根据输入寄存器的值在线性稳压器产生的多个电压中选择一个作为输入，行多路选择器与1T1R阵列的源线连接，1T1R阵列的位线通过输出单元内的列多路选择器连接到钳位电路与模数转换器。利用本发明提供的高灵活性存储计算阵列，可以节省不必要的功耗，且无需数模转换器就能实现多值输入，提高了计算速度，减少了阵列开启次数与因此带来的功耗。
- 一种灵活性存储计算阵列
- [发明专利]一种分布式逐次逼近型模数转换器及其运算方法-CN202211361259.X在审
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王宗巍;杨韵帆;蔡一茂
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北京大学
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2022-11-02
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2023-01-31
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H03M1/46
- 本发明提出了一种分布式逐次逼近型模数转换器及其运算方法，属于半导体CMOS超大规模集成电路中的存内计算技术领域。本发明把传统SAR‑ADC中用于产生参考电压的电容型DAC与SAR逻辑电路独立出来，让存内计算系统内的多个ADC单元共用。并且在每个DSADC单元中仅需一个SA与两个寄存器，一个存储比较器输出结果，一个存储比较器下一次开启的序号。本发明DSADC单元中的SA开启次数随读出位数线性增加，所需功耗与面积都远小于SAR‑ADC与Flash‑ADC。假如输出数据存在稀疏性时，本发明能利用输出数据的稀疏性特点进一步降低功耗与提高转换速度。本发明降低了当存内计算系统内需要使用多个模数转换器时，所使用的多个模数转换器消耗的总面积与功耗。
- 一种分布式逐次逼近型模数转换器及其运算方法
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