专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202310641261.0在审
  • 储金星;杨晶杰;周文杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-17 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法,包括:基体,基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面;第一导电型的漂移层,设于第一主面和第二主面之间;第二导电型的阱区层,与漂移层相比设于第一主面侧;第一导电型的发射极层,选择性地设于阱区层的第一主面侧;基体设有从第一主面将阱区层和发射极层贯穿而达到漂移层的栅极沟槽;在栅极沟槽内隔着栅极绝缘膜配置有栅极电极和屏蔽电极,屏蔽电极与栅极电极相比位于第二主面侧;栅极绝缘膜的位于屏蔽电极与栅极电极之间部分的厚度不变。根据本发明实施例的半导体装置不仅能够形成双栅结构,以减小开关损耗,并且能够有效抑制屏蔽电极与栅极电极之间的漏电流。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202310641257.4在审
  • 储金星;杨晶杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-17 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体装置,包括:基体,具有第一主面及与所述第一主面相反侧的第二主面;第一导电型的漂移层,设于所述第一主面和所述第二主面之间;第二导电型的阱区层,与所述漂移层相比设于所述第一主面侧;第一导电型的发射极层,选择性地设于所述阱区层的所述第一主面侧;所述基体设置有从所述第一主面将所述阱区层和所述发射极层贯穿而达到所述漂移层的第一栅极沟槽,以及从所述第一主面将所述发射极层贯穿而达到所述阱区层的第二栅极沟槽;在所述第一栅极沟槽和所述第二栅极沟槽内均隔着栅极绝缘膜配置有栅极电极。根据本发明实施例的半导体装置能够增大Cge/Cgc比值,具有开关损耗小等优点。
  • 半导体装置
  • [发明专利]快恢复二极管-CN202310800555.3在审
  • 储金星;杨晶杰;周文杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-22 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种快恢复二极管,快恢复二极管包括:第一导电型的衬底;第一导电型的漂移层,漂移层包括第一浓度掺杂层、第二浓度掺杂层和第三浓度掺杂层,第一浓度掺杂层设置于衬底,第二浓度掺杂层设置于第一浓度掺杂层远离衬体的一侧,第三浓度掺杂层设置于第二浓度掺杂层远离衬体的一侧,第二浓度掺杂层的掺杂浓度不大于第一浓度掺杂层的掺杂浓度且小于第三浓度掺杂层的掺杂浓度,第一浓度掺杂层的掺杂浓度向远离衬底的方向逐渐减小;第二导电型的阳极层,阳极层设置于第三浓度掺杂层的背向衬底的一侧。根据本发明实施例的快恢复二极管具有耐压性好、反向恢复峰值电流小和电路稳定性高等优点。
  • 恢复二极管
  • [发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202310460113.9在审
  • 储金星;杨晶杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-08-22 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法,包括:半导体基体,具有第一主面及与第一主面相反的第二主面;发射极金属层和栅极金属层,间隔设置于第一主面之上;漂移层,设置于第一主面与第二主面之间;场环层,设置于栅极金属层区域且与漂移层相比设置于第一主面侧,场环层的上表面构成为第一主面的部分,场环层与发射极金属层电连接;第一沟槽,在半导体基体的厚度方向上从场环层的上表面向下延伸;第一栅极电极层,隔着第一氧化绝缘层与场环层的上表面相对设置,且隔着第一氧化绝缘层设置于第一沟槽内而与场环层相对设置,第一栅极电极层与栅极金属层电连接。本发明的半导体装置降低了瞬间电流和电压,提高了抗干扰能力,抑制了噪声。
  • 半导体装置及其制作方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202310443425.9在审
  • 储金星;周文杰;杨晶杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-04-23 - 2023-07-28 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种半导体装置,包括:半导体基体,具有第一主面及与第一主面相反的第二主面;漂移层,设于第一主面与第二主面之间;阱层,设于比漂移层更靠近第一主面;发射极层,设于阱层的第一主面侧;发射极电极,其与发射极层电连接;有源沟槽,其在半导体基体的厚度方向上从第一主面将发射极层及阱层贯穿而到达漂移层内;分裂栅电极,其设于有源沟槽内,分裂栅电极与发射极电极电连接;栅极电极,其设于有源沟槽内,栅极电极仅设于分裂栅电极的相对两侧中的一侧;绝缘膜,栅极电极、分裂栅电极和有源沟槽的内壁之间相互间隔设置且通过绝缘膜彼此绝缘。半导体装置减少了寄生电容,降低了半导体装置的输入电容和输出电容,以及减小开关损耗。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件及电子装置-CN202310195352.6在审
  • 储金星;周文杰;杨晶杰 - 海信家电集团股份有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-05-09 - H01L23/544
  • 本申请提供半导体器件及电子装置,涉及半导体的领域。半导体器件具有第一安装面,以及与第一安装面相背的第二安装面;半导体器件还包括多个焊盘,多个焊盘的部分设置于第一安装面,多个焊盘的另一部分设置于第二安装面;多个焊盘中设置于第一安装面的部分用于连接基板,多个焊盘设置于第二安装面的部分设置有接触图案,接触图案可用于识别半导体器件的规格信息。本申请解决了不同类型的半导体器件的识别难度大,易出现半导体器件连接错误的问题。
  • 半导体器件电子装置
  • [发明专利]打印墨盒及喷墨打印装置-CN202210132868.1在审
  • 杨晶杰 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-02-14 - 2022-05-27 - B41J2/175
  • 本发明提供了一种打印墨盒及喷墨打印装置,所述打印墨盒包括:打印墨箱,用于存储喷墨打印所用的墨水;自动加墨箱,与所述打印墨箱连接,在所述打印墨箱需要加墨时,自动对所述打印墨箱添加墨水。本发明通过在所述打印墨盒内设置所述自动加墨箱,利用所述自动加墨箱对所述打印墨箱进行补墨,实现了所述打印墨盒自动补墨的功能,避免了现有技术中由于手动补墨造成的墨水污染、加墨时间长、墨水中残留气泡、加错墨等问题。
  • 打印墨盒喷墨装置
  • [发明专利]显示面板-CN202210116594.7在审
  • 杨晶杰 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-02-07 - 2022-05-27 - H01L51/52
  • 本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括:显示器件层,所述显示器件层包括薄膜晶体管和发光材料;封装层,设于所述显示器件层上,用于封装所述显示器件层;以及紫外阻光层,设于所述显示器件层和所述封装层之间,用于阻挡外界的紫外光进入所述显示器件层。本发明通过在显示器件层和封装层之间设置紫外阻光层,利用所述紫外阻光层阻挡外界的紫外光,避免了所述薄膜晶体管或所述发光材料由于受到紫外光的照射而性能衰减的问题,提高了所述显示面板的使用寿命。
  • 显示面板
  • [发明专利]一种纳米酶抗氧化剂及其制备方法-CN201811433523.X有效
  • 李常艳;石向成;杨晶杰;张雁冰 - 内蒙古大学
  • 2018-11-28 - 2021-02-09 - A61K9/50
  • 本发明提供了一种纳米酶抗氧化剂的制备方法,属于生物化学与生物物理技术领域,包括以下步骤:将镧系金属硝酸盐水溶液和聚丙烯酸水溶液分别进行超声,得到镧系金属硝酸盐超声溶液和聚丙烯酸超声溶液;所述镧系金属硝酸盐水溶液为硝酸铈水溶液和/或硝酸钆水溶液;将聚丙烯酸超声溶液与镧系金属硝酸盐超声溶液混合进行碱基反应,得到纳米酶抗氧化剂。本发明通过高分子材料聚丙烯酸对形成的镧系氧化物和氢氧化物进行包覆,增加其生物兼容性。
  • 一种纳米抗氧化剂及其制备方法

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