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[发明专利]一种高线性度多比特相位插值器-CN202310115106.5有效
发明人： 杨仲盼 -专利权人：南京沁恒微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种高线性度多比特相位插值器，包括正交相位产生器、两种夹角产生器；正交相位产生器包括第一输出端和第二输出端，分别输出两路相邻的正交信号，两输出端均分别连接至两种夹角产生器的两输入端，一类夹角产生器、二类夹角产生器的输出端直接连接或者级联后连接末级夹角产生器，所述末级夹角产生器为两种夹角产生器中的一种，输出相位移动信号。本发明具有360°相位移动功能，精准实现相位移动，具有高线性度、高精度，电路结构简单，移相步进和位数灵活可控，可有效降低系统的相位噪声和抖动，增加serdes通讯系统的抖动容限，有效提升系统的稳定性和数据传输效率。
一种线性比特相位插值器

[发明专利]一种通信协议自适应信道均衡器及其均衡方法-CN202210519728.X有效
发明人：庞玉帛;欧阳翔;刘德良;杨仲盼 -专利权人：南京沁恒微电子股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信协议自适应信道均衡器及其均衡方法，包括CTLE补偿电路、比较器缓存数据单元及CDR相位跟踪模块、CDR锁定状态判断模块、CTLE自适应算法模块、CTLE曲线选择模块，CDR锁定状态判断模块用于判断CDR相位跟踪模块的锁定状态，输出CDR锁定状态信号；CTLE自适应算法模块与CTLE曲线选择模块分别用于在CDR相位跟踪模块为锁定状态和失锁状态时调节CTLE补偿电路。本发明实现成本低、精度高、误差小、可靠性高。
一种通信协议自适应信道均衡器及其均衡方法

[发明专利]以太网接收端自适应模拟均衡器及自适应模拟均衡方法-CN202111398964.2在审
发明人： 杨仲盼 -专利权人：南京沁恒微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H03H21/00 文献下载
摘要：本发明公开了以太网接收端自适应模拟均衡器及自适应模拟均衡方法，利用信道的幅度和带宽的相关性在传统的模拟均衡器的基础上去除了带宽对应的算法检测单元，通过协议规定得出不同长度网线的信道模型，根据信道模型得出VGA的增益控制字与CTLE带宽控制字对应关系的映射表，增益检测调节单元通过检测多比特数字信号的幅度，设置增益控制字调节VGA增益的同时，再由带宽调节单元根据增益带宽映射表实现调节CTLE带宽补偿的功能。本发明与传统的模拟均衡器方案相比，具有调节时间快，收敛效率高以及环路控制结构简单等特点。
以太网接收自适应模拟均衡器均衡方法

[实用新型]一种开关数字移相器-CN202022942107.1有效
发明人：黄家乐;杨仲盼;诸小胜;胡建飞 -专利权人：思诺威科技（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03H11/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关数字移相器，属于电子电路设计技术领域。本实用新型的开关数字移相器，采用串联的双极型晶体管构造180°移相单元的开关电路，改善180°移相单元的线性度，使得180°移相单元可以布置在移相器的第一级别，其余移相单元也采用双极型晶体管作为开关，可以按照任意顺序级联于180°移相单元之后，并且在其余移相单元之间级联隔离器，能够降低干扰，在面向卫星通信、5G通信、相控阵系统等应用领域时，能够显著改善高频移相损耗高、移相单元线性度差以及互相干扰等缺陷。
一种开关数字移相器

[实用新型]一种矢量合成开关移相器-CN202022942324.0有效
发明人： 杨仲盼;黄家乐;诸小胜;王永利 -专利权人：思诺威科技（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种矢量合成开关移相器，属于电子电路设计技术领域。该矢量合成开关移相器，包括正交分相器、180°移相开关器、合路器和开关移相器；其中开关移相器是多比特开关移相器，包括多个级联连接的开关移相单元，因此实现了多比特数字控制，即0°至90°的移相范围内采用开关型移相器实现移相特性、90°至360°采用矢量合成技术实现移相特性。在实现360°移相范围时，具有更好的线性度和更小的面积，解决了传统的开关型移相器采用多级级联的方式造成其各级之间相互影响的问题，可实现高精度的移相功能。
一种矢量合成开关移相器

[实用新型]低电压余度线性区电流镜-CN201820674335.5有效
发明人： 杨仲盼 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种低电压余度线性区电流镜，包括：第一MOS管、第二MOS管和运算放大器，其中，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与所述运算放大器的输出端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别接地，所述运算放大器的正极输入端与所述第一MOS管的漏极和电流输入端相连，以形成正反馈环路；所述运算放大器的负极输入端与所述第二MOS管的漏极和电流输出端相连，以形成负反馈环路；其中，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极的电位相同，以使得工作在线性区的第一MOS管和第二MOS管保持相同的状态以达到电流镜像复制。本实用新型的电流镜输出节点电压可以低至几十mV,解决了电路功耗受限于电压余度的问题。
漏极运算放大器电流镜本实用新型低电压线性区源极输出节点电压放大器电位电流输出端电流输入端负反馈环路负极输入端输出端相连正极输入端电流镜像电路功耗在线性区和运算正反馈接地受限复制

[实用新型]离散式激光驱动器尾电流源-CN201721243169.5有效
发明人： 杨仲盼;吴烜;曹正军;施家鹏;张翠云 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种离散式激光驱动器尾电流源，包括：n个BJT电流镜、n个差分驱动单元、一个偏置电流源和一个发光二极管。其中，每个所述BJT电流镜与一个所述差分驱动单元连接，以将该BJT电流镜作为相应的差分驱动单元的尾电流源。所述偏置电流源与所述发光二极管相连，以将该所述偏置电流源作为所述发光二极管的尾电流源。本实用新型通过BJT电流镜以二进制形式的分组重构技术实现低节点电容和调制电流全动态范围内的高带宽。
尾电流源电流镜发光二极管偏置电流源差分驱动本实用新型激光驱动器离散式二进制形式单元连接调制电流技术实现电容低节点高带宽重构分组

[发明专利]低电压余度线性区电流镜-CN201810424037.5在审
发明人： 杨仲盼 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种低电压余度线性区电流镜，包括：第一MOS管、第二MOS管和运算放大器，其中，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别与所述运算放大器的输出端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别接地，所述运算放大器的正极输入端与所述第一MOS管的漏极和电流输入端相连，以形成正反馈环路；所述运算放大器的负极输入端与所述第二MOS管的漏极和电流输出端相连，以形成负反馈环路；其中，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极的电位相同，以使得工作在线性区的第一MOS管和第二MOS管保持相同的状态以达到电流镜像复制。本发明的电流镜输出节点电压可以低至几十mV,解决了电路功耗受限于电压余度的问题。
漏极运算放大器电流镜低电压线性区源极输出节点电压放大器电位电流输出端电流输入端负反馈环路负极输入端输出端相连正极输入端电流镜像电路功耗在线性区和运算正反馈接地受限复制

[实用新型]兼顾精度和面积的12位电流镜电路-CN201721253366.5有效
发明人：施家鹏;杨仲盼;曹正军 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种兼顾精度和面积的12位电流镜电路，包括：高四位电流镜电路组、中四位电流镜电路组、低四位电流镜电路组、输入电流偏置电路；所述输入电流偏置电路分别连接高四位电流镜电路组、中四位电流镜电路组，所述高四位电流镜电路组与中四位电流镜电路组、低四位电流镜电路组并联，且所述低四位电流镜电路组连接尾电流源，所述输入电流偏置电路连接头电流源。本实用新型凭借对12bit电流镜进行分段设计，并在中间四位采用了先等分后开关选通的方法，保证了高八位编码下输出电流的严格单调，并且在确保精度的情况下，减小了双极型晶体管的数量，极大的节省了芯片面积。
电流镜电路偏置电路输入电流本实用新型双极型晶体管分段设计输出电流尾电流源电流镜电流源连接头位编码组连接并联减小选通单调芯片保证

[发明专利]兼顾精度和面积的12位电流镜电路-CN201710884905.3在审
发明人：施家鹏;杨仲盼;曹正军 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种兼顾精度和面积的12位电流镜电路，包括高四位电流镜电路组、中四位电流镜电路组、低四位电流镜电路组、输入电流偏置电路；所述电流镜偏置电路分别连接高四位电流镜电路组、中四位电流镜电路组，所述高四位电流镜电路组与中四位电流镜电路组、低四位电流镜电路组并联，且所述低四位电流镜电路组连接尾电流源，所述输入电流偏置电路连接头电流源。本发明凭借对12bit电流镜进行分段设计，并在中间四位采用了先等分后开关选通的方法，保证了高八位编码下输出电流的严格单调，并且在确保精度的情况下，减小了双极型晶体管的数量，极大的节省了芯片面积。
兼顾精度面积 12 电流电路

[发明专利]离散式激光驱动器尾电流源-CN201710882645.6在审
发明人： 杨仲盼;吴烜;曹正军;施家鹏;张翠云 -专利权人：南京美辰微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出了一种离散式激光驱动器尾电流源，包括n个BJT电流镜、n个差分驱动单元、一个偏置电流源和一个发光二极管。其中，每个所述BJT电流镜与一个所述差分驱动单元连接，以将该BJT电流镜作为相应的差分驱动单元的尾电流源。所述偏置电流源与所述发光二极管相连，以将该所述偏置电流源作为所述发光二极管的尾电流源。本发明通过BJT电流镜以二进制形式的分组重构技术实现低节点电容和调制电流全动态范围内的高带宽。
离散激光驱动器电流

[实用新型]一种双路噪声抵消型电流复用低噪声放大器-CN201320460700.X有效
发明人：吴建辉;杨仲盼;薛晨辉;陈超;白春风;刘智林;尹海峰;徐哲 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。
一种噪声抵消电流低噪声放大器

[发明专利]一种双路噪声抵消型电流复用低噪声放大器-CN201310326221.3有效
发明人：吴建辉;杨仲盼;薛晨辉;陈超;白春风;刘智林;尹海峰;徐哲 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。
一种噪声抵消电流低噪声放大器

[发明专利]一种可重构滤波器-CN201310066135.3有效
发明人：吴建辉;徐哲;李红;陈超;刘智林;尹海峰;杨仲盼 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构滤波器，包括滤波模块、频谱搬移阵列网络、模式切换模块，其中，频谱搬移阵列网络对滤波模块输出信号进行线性频率移动，模式切换模块用于调整滤波模块与频谱搬移阵列网络的连接方式，实现低通滤波器与复数带通滤波器间的切换，滤波模块通过模式切换模块与频谱搬移阵列网络连接。本发明不仅满足低功耗射频系统的对功耗的要求，同时有效的减小了芯片面积从而节约电路成本；并且能适应低电压低功耗的设计要求；能够根据系统要求随时调节增益与中心频率。
一种可重构滤波器

[发明专利]带宽恒定的增益线性可变增益放大器-CN201210590866.3有效
发明人：吴建辉;尹海峰;李红;陈超;白春风;刘智林;徐哲;杨仲盼 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H03G3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种带宽恒定的增益线性可变增益放大器，该可变增益放大器包含共源级放大器和增益调节网络；共源级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第五N型金属氧化物晶体管、第一P型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管和第一电流源；增益调节网络包括第二至第八N型金属氧化物晶体管、第二至第十电流源和第一至第十五开关。该结构的放大器具有带宽恒定的特点，同时通过不同的控制字，能够使增益达到精确的线性效果。
带宽恒定增益线性可变放大器

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