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[发明专利]具有通路结构的半导体器件及其制造方法-CN202310467107.6在审
发明人：金恩成;白在职;洪元赫;郑明勋;李钟振;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：至少一个晶体管、正面结构和背面结构，正面结构相对于晶体管与背面结构相对设置；以及前通路，形成在晶体管的一侧并将正面结构连接到背面结构，其中前通路形成在由彼此垂直连接的下通路孔和上通路孔形成的通路孔中，以及其中通路孔在其侧表面具有弯曲结构，在该弯曲结构处，下通路孔连接到上通路孔。
具有通路结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法-CN202211395917.7在审
发明人： 李钟振;刘承勇;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。该半导体装置包括：下布线结构；上层间绝缘层，设置在下布线结构上且包括上布线沟槽，上布线沟槽暴露下布线结构的部分；以及上布线结构，包括上衬和在上布线沟槽中在上衬上的上填充层，其中，上衬包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部和沿着上布线沟槽的底表面延伸的底部，上衬的侧壁部包括钴(Co)和钌(Ru)，并且上衬的底部由钴(Co)形成。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]电子设备和控制电子设备中的电源的方法-CN202210207376.4在审
发明人：朴翔煜;朴埈奭;李钟振;张虎郎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：提供了电子设备和控制电子设备中的电源的方法。一种电子设备，包括片上系统(SoC)和电源管理集成电路(PMIC)。该SoC包括多个电源域以及对该电源域执行动态电压和频率缩放(DVFS)的DVFS控制器。该PMIC包括直流(DC)‑DC转换器以及控制多个DC‑DC转换器的控制逻辑，并且所述DC‑DC转换器的每个将对应的输出电压提供给该电源域中的相应的电源域。该控制逻辑将提供具有目标电平的目标输出电压的目标DC‑DC转换器指定为全局DC‑DC转换器，并且通过共享由该全局DC‑DC转换器提供的目标输出电压，将目标输出电压提供给多个电源域之中对应于全局DC‑DC转换器的电源域以及消耗目标输出电压的至少一个第一电源域。
电子设备控制中的电源方法

[发明专利]半导体装置-CN202110532732.5在审
发明人： 李钟振;金京旭;金洛焕;刘承勇;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。
半导体装置

[发明专利]检验盒、测量装置、用于补偿测量装置用的光源的光强度的系统和方法以及记录介质-CN201680083930.5有效
发明人：金元东;李硕起;李钟振;洪周杓 -专利权人：五常医疗保健有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N21/03 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方式的检验盒可以用于测量装置的盒子，根据测量装置的使用而补偿光强变化，该测量装置用于基于光的反应特性测量生物样本的分析材料，该反应特征性包括光的反射、吸收和投射中的至少一项，该光从一光源发出，其中，测量装置提供测量盒插入的内部空间，在该测量盒中，生物样本和至少一个试剂相互反应，并且在测量盒插入到内部空间中之后，基于从光源发出的光对生物样本与至少一种试剂已经反应后的材料的反应特性信息来测量生物样本的分析材料。
检验测量装置用于补偿光源强度系统方法以及记录介质

[发明专利]半导体装置-CN202010945564.8在审
发明人：洪元赫;李钟振;金洛焕;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010776850.6在审
发明人：刘承勇;李钟振;金洛焕;郑恩志;洪元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。
半导体装置

[发明专利]电子设备和用于电子设备的系统-CN202010471392.5在审
发明人：崔佑宁;金东润;伊万·加尔金;朴知勋;李钟振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H04W52/02 文献下载
摘要：一种电子设备，包括：窄带物联网(NB‑IoT)电路；用于控制窄带物联网电路的共享中央处理器；用于存储来自共享中央处理器的数据或代码的共享存储器；以及由共享中央处理器控制的通信装置。该通信装置将数据或代码存储在共享存储器中。
电子设备用于系统

[发明专利]包括浮栅的非易失性半导体器件、制造非易失性半导体器件的方法及相关系统-CN200810008714.1有效
发明人：李世薰;崔晶东;张桐熏;李钟振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种存储器件包括衬底中的相邻隔离层之间的衬底上的第一浮栅电极，该第一浮栅电极的至少一部分在相邻隔离层的一部分上面突出；第二浮栅电极，在相邻隔离层的至少一个上，电连接到第一浮栅电极；该第一和第二浮栅电极上方的介电层；以及该介电层及第一和第二浮栅电极上方的控制栅。
包括非易失性半导体器件制造方法相关系统

[发明专利]具有一对鳍的半导体器件及其制造方法-CN200710166997.8无效
发明人：金锡必;朴允童;李钟振;金元柱;具俊谟;宋承桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。
具有一对半导体器件及其制造方法

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