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- [发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备-CN202080107211.9在审
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张志利;饶进;刘涛;李海军;鲁微;李水明;汤岑;贺强;马俊彩;樊春华;术洋溢
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华为技术有限公司
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2020-12-15
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2023-08-01
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H01L29/778
- 提供一种高电子迁移率晶体管(100),包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108),GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104),沟道层(104)邻接势垒层(103),电路层包括源极(106)、漏极(105)和介质层(107),介质层(107)设于源极(106)和漏极(105)之间,介质层(107)背离势垒层(103)的一侧设场板(108),场板(108)在沟道层(104)上的正投影为场板(108)投影,沟道层(104)包括调制区(1041)和非调制区,非调制区包围调制区(1041),调制区(1041)与场板(108)投影至少部分重合,调制区(1041)内的二维电子气的浓度小于非调制区内的二维电子气的浓度,从而能够提升了器件的器件增益及确保器件的高功率密度。同时还提供一种高电子迁移率晶体管(100)的制作方法、一种芯片和一种电子设备。
- 电子迁移率晶体管及其制作方法芯片电子设备
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