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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种电力设备节能型箱式变压器-CN202320156681.5有效
发明人：薛依北;李庚旭 -专利权人：河北连通电气设备有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01F27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力设备节能型箱式变压器，包括箱体，所箱体的前端设置有与其相适配的箱门，所述箱体的上部设置有顶盖，所述箱体的下半部固定设置有水平的隔板，所述隔板与所述箱体的底板之间设置有蓄水箱，所述隔板上部设置有变压器组件；所述箱体的一个侧板内侧均匀设置有多个散热风扇，箱体的另一个侧板上开设有散热口，散热口上设置有百叶格栅；隔板在靠近多个所述散热风扇的部位固定设置有倒U字形的冷却主管，冷却主管的中部均匀间隔的设置有多个水平的并且与其相连通的冷却支管。本实用新型可有效提高对变压器组件的降温效率，避免由于箱式变压器内部温度升高，降低能耗，保证变压器组件的工作性能和使用寿命。
一种电力设备节能型箱式变压器

[发明专利]衬底对准装置以及使用该装置对准衬底的方法-CN200680054966.7无效
发明人：李大帅;金彩雄;李庚旭;陆心万;金镇亨 -专利权人：斗山MECATEC株式会社
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本说明书公开了一种用于对准衬底的装置和方法。该装置包括：基准板，其具有形成于下表面的边缘的台阶；夹具，其能够贯穿基准板的该边缘升高和降低并具有弯曲的下端，以允许将衬底装载在其上；用于支持框架的掩模框架支持器，该框架具有连接到其上的金属掩模；对准板，其连接到掩模框架支持器并且能够升高和降低；以及精密对准机构，其用于精密地将衬底和金属掩模相互对准。可以将衬底的下垂量减少到常规装置的下垂量的1/5或更少的水平。该装置进一步包括穿过基准板的磁体，从而允许衬底和金属掩模相互形成紧密接触。
衬底对准装置以及使用方法

[发明专利]去除交叉孔毛口的修边工具及利用该工具去除毛口的方法-CN200810002782.7无效
发明人：高圣林;李庚旭 -专利权人：建国大学校产学协力团
申请日： 2008-01-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B23D79/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除交叉孔毛口用的修边工具及使用方法，具体地说，包括：修边体，由安装在旋转驱动装置上的圆筒状箝位柄(clamping shank)和在上述箝位柄外侧延长形成的可弹性移动的一对弹性臂组成；工具端(tool tip)，在接近上述各弹性臂端部的外侧面形成，其一侧具有正旋转时将部分毛口去除的第一刀片，另一侧具有逆旋转时将剩下的毛口去除的第二刀片。如上述结构组成的本发明，可有效去除如交叉孔在除倾斜面钻孔时所发生的毛口。
去除交叉孔毛口工具利用方法

[发明专利]含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法-CN01100202.6无效
发明人：裵金钟;崔兑僖;金相秀;李化成;李来寅;李庚旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2001-01-05 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si_1-xGe_x层。Si_1-xGe_x层与未形变的硅有源层形成第一结，并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。
含硅锗层互补金属氧化物半导体器件形成方法

[发明专利]用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法-CN93121528.5无效
发明人：朴奎灿;李礼承;潘天洙;李庚旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1993-12-29 - 公布日： 1997-10-22 - 主分类号： G11C11/404 文献下载
摘要：以绝缘体附硅制造DRAM的方法，步骤为；在第一硅衬底上划分单元区域与外围区域并形成存储器件区域的下凹；隔离各电元件形成第一绝缘层以划分有源与无源区；有源区与电容器在第一绝缘层上连接处形成电容的电介质层；电介质层上成型多晶硅层以形成存储节点；极板节点上形成第二绝缘层并以热处理平整化；已平整的绝缘层上形成第三导电层达预定厚度并将其抛光平整；以第二绝缘层为蚀刻阻挡层；平整第一硅衬底背面显露有源区；并在形成位线同时形成开关元件。
绝缘体方法制造动态随机存取存储器

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