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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于形成半导体器件接触孔的方法-CN200610090343.7无效
发明人： 李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种形成半导体器件接触孔的方法。在衬底上方形成导电图案。在衬底上方形成绝缘层以包埋导电图案。在绝缘层和导电图案上方顺序形成包括无定形碳层和氧化物基层的硬掩模。选择性刻蚀无定形碳层和氧化物层以形成掩模图案。利用掩模图案作为掩模刻蚀绝缘层以形成接触孔。
用于形成半导体器件接触方法

[发明专利]用于在半导体器件中形成接触孔的方法-CN200610083376.9无效
发明人：李敏硕;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供一种用于在半导体器件中形成接触孔的方法。用于在半导体器件中形成接触孔的方法包括：在底结构之上形成绝缘层；在绝缘层之上形成硬掩模图案；使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻绝缘层的一部分以形成开口；在硬掩模图案和通过蚀刻而图案化的绝缘层的侧壁之上形成间隔物；蚀刻绝缘层的剩余部分以形成暴露底结构一部分的接触孔；以及去除间隔物和硬掩模图案。
用于半导体器件形成接触方法

[发明专利]用于制造半导体装置的晶体管的方法-CN200510135164.6有效
发明人：金明玉;郑台愚;李圣权;张世亿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-27 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体装置晶体管的方法。该方法包括：在包括底部结构的基片上形成装置隔离层，从而限定有源区；蚀刻有源区至预定深度以形成多个凹陷结构，所述凹陷结构的每个具有平的底部部分，所述底部部分具有比顶部部分的大的临界尺度(CD)；并且在凹陷结构上顺序形成栅氧化物层和金属层；并且图案化栅氧化物层和金属层以形成多个栅结构。
用于制造半导体装置晶体管方法

[发明专利]在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法-CN200510117259.5有效
发明人：宣俊劦;李圣权;赵诚允 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种用于在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法。此方法包括下述步骤：在半完成之基板上形成层间绝缘层；蚀刻所述层间绝缘层以形成多个第一接触孔；在第一接触孔之侧壁上形成第一绝缘层；形成填充到第一接触孔内之多个存储节点接触塞；在所述存储节点接触塞上以与第一绝缘层不同之蚀刻率形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第三绝缘层；顺序地蚀刻第三绝缘层及第二绝缘层以形成暴露所述存储节点接触塞之多个第二接触孔；及在每个第二接触孔上形成所述存储节点。
半导体装置形成电容器存储节点方法

[发明专利]利用钨作为牺牲硬掩膜制造半导体器件的方法-CN200510073045.2有效
发明人：金光玉;曹允硕;文承灿;郑镇基;李圣权;宣俊劦;李东德;金镇雄;尹奎汉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用钨作为牺牲硬掩膜材料来制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在蚀刻目标层上形成一个层；在该层上形成光刻胶图案；通过使用该光刻胶图案为蚀刻掩膜连同使用含有CHF₃气体的等离子体来蚀刻该层以形成牺牲硬掩膜；以及通过使用至少该牺牲硬掩膜作为蚀刻掩膜来蚀刻该蚀刻目标层，由此获得预定图案。
利用作为牺牲硬掩膜制造半导体器件方法

[发明专利]用于控制总线请求信号的产生的装置、设备和方法-CN200510006407.6有效
发明人：朴昌大;南基哲;李圣权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G06F13/14 文献下载
摘要：一种设备、装置和方法，用于控制总线请求定时来分散总线访问定时，以便避免集中总线现象的有害效果。该装置可以包括：总线请求信号发生电路，可以在计数器的控制下产生总线请求信号；以及脉冲信号发生电路，可以产生脉冲信号作为总线请求信号发生电路所产生的总线请求信号的次数以及第一阈值的函数。该设备可以包括确定电路和控制电路。确定电路可以产生确定结果作为脉冲信号的函数，其中该确定结果表示用于产生总线请求信号的给定处理周期是否结束。控制电路根据确定结果，可以控制计数器来调节用于产生总线请求信号的处理周期。
用于控制总线请求信号产生装置设备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410088679.0无效
发明人：李敏硕;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-11-15 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明关于一种能够防止导电结构的硬屏蔽层，在自对准接触蚀刻制程期间受到损伤的半导体装置的制造方法。该方法包含下列步骤：在基板上形成包含导电层和硬屏蔽层的多个导电结构；在多个导电结构上，依序形成第一氮化物层、氧化物层、第二氮化物层、和蚀刻停止层；在蚀刻停止层上，形成层间绝缘层；及执行选择性蚀刻层间绝缘层、蚀刻停止层、第二氮化物层和氧化物层的自对准接触(SAC)蚀刻制程，直到SAC蚀刻制程停止在第一氮化物层，因此形成曝露第一氮化物层的接触孔。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于制造具有细微图案的半导体装置的方法-CN200410086522.4有效
发明人：李敏硕;郑台愚;李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法。具体地说，先平坦化形成在提供导电结构的基板结构上的层间绝缘层和蚀刻停止层。然后，使用光刻胶图案和抗反射涂层作为掩模，形成氮化物系材料制成的硬式掩模。在硬式掩模形成之后，移除光刻胶图案和抗反射涂层。接着，使用硬式掩模作为蚀刻掩模，进行SAC蚀刻过程以蚀刻层间绝缘层，从而得到暴露位在导电结构之间的蚀刻停止层的接触孔洞。通过使用全回蚀刻方法移除暴露的蚀刻停止层，之后应用清洗过程。
用于制造具有细微图案半导体装置方法

[发明专利]能防止湿式清洁过程导致之损坏的半导体装置的制造方法-CN200410078265.X有效
发明人： 李圣权;李敏硕 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置的制造方法，其能够防止层间绝缘层在湿式清洗过程期间受到损坏。具体地，该方法包含下列步骤：在基板上形成许多导电结构；然后在许多导电结构上形成蚀刻停止层和可流动绝缘层；在可流动绝缘层上形成光刻胶图案；通过使用光刻胶图案当作蚀刻掩模，蚀刻可流动绝缘层，而形成许多接触孔洞，因此会暴露出部分的蚀刻停止层；在接触孔洞上形成至少一个障壁层；移除该至少一个障壁层和位于接触孔洞的各个底部的蚀刻停止层，因此暴露出基板；及清洗接触孔洞。
防止清洁过程导致损坏半导体装置制造方法

[发明专利]红外线接收器-CN200410000199.4有效
发明人：尹炯埴;李圣权 -专利权人： AD技术有限公司
申请日： 2004-01-06 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H04B10/06 文献下载
摘要：一种红外线接收器包括：一包括光敏二极管并把光信号转换为电信号的红外线接收部分，一放大转换后的电信号的第一放大器，接收第一放大器的输出并能控制增益的第二放大器，用于滤除某一频率电信号的带通滤波器，比较一预设的参考直流电压和带通滤波器的输出的比较器，解调比较器输出的解调器，输出解调器输出信号的输出部分，接收解调器输出和比较器输出中的一个并检测信号的间隔时间的间隔时间检测部分；设计用来检测被间隔时间检测部分检测到的信号长度并按照包括在检测信号中的一间隔时间的维持时间是否超过一预设参考时间值来控制自动增益控制放大器增益的增益控制部分。
红外线接收器

[发明专利]利用氟化氩曝光光源制造半导体器件的方法-CN200310123524.1无效
发明人： 李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-24 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：于一半导体基板上形成一导电层；依序在该导电层上形成一第一硬掩模层、一第二硬掩模层及一第三硬掩模层；利用氟化氩曝光光源于该第三硬掩模层上形成一光刻胶图案，以便形成一预定的图案；使用该光刻胶图案作为蚀刻掩模对该第三硬掩模层进行蚀刻，形成一第一硬掩模图案；使用该第一硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第二硬掩模层进行蚀刻，形成一第二硬掩模图案；移除该第一硬掩模图案；以及使用该第二硬掩模图案作为蚀刻掩模对该第一硬掩模层和导电层进行蚀刻，并形成一具有该导电层以及该第二和第一硬掩模图案的叠层硬掩模图案，借此从该叠层硬掩模图案上移除尖顶形图案。
利用氟化曝光光源制造半导体器件方法

[发明专利]能防止图案崩坏的半导体装置-CN03158427.6无效
发明人： 李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-09-09 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种能防止图案崩坏的半导体装置，能防止在图案更脆弱的单元边缘区域内发生图案崩坏的现象。在本发明半导体装置中，晶片的边缘区域中的图案密度低于中心区域中的图案密度，其包括：以一预定距离配置在该晶片的该中心区域中的多个条型图案；在该边缘区域内形成的多个虚设图案；以及用于将该等条型图案中至少两个条型图案互相耦合的多个连接图案，其中该等多个虚设图案的该等连接图案以锯齿形式配置。
防止图案崩坏半导体装置

[发明专利]制造半导体器件的接触垫的方法-CN200310119703.8无效
发明人： 李圣权 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体器件的接触垫的方法，其包括步骤：在硅衬底上形成多个相邻的导电层图案；在导电层图案的顶部上形成绝缘层；在该绝缘层上沉积充当硬掩模的材料层；在该硬掩模材料层上导电层图案之间形成光致抗蚀剂图案，以形成接触孔；藉由使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻该硬掩模材料层以形成该硬掩模，从而定义用以形成接触的区域；去除该光致抗蚀剂图案；藉由使用该硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻该绝缘层而将该硅衬底暴露，从而形成开口部分；在该开口部分上形成聚合物层；藉由实施回蚀处理去除该硬掩模与该聚合物层以暴露该硅衬底；以及在暴露的硅衬底上形成接触垫。
制造半导体器件接触方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN03110475.4无效
发明人： 李圣权;金东锡 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法。其包括：形成多个图案于衬底上，其中图案藉层叠和图案化第一导电层、氮化硅掩模层和金属掩模层于衬底上形成；沿包括图案的外形沉积第一氧化硅层；蚀刻第一氧化硅层以形成具有较氮化硅掩模层顶部低的高度的氧化硅间隔壁，使得部分地露出图案横向侧的顶部，且同时蚀刻金属掩模层以露出氮化硅掩模层，其中金属掩模层防止氮化硅掩模层的损失；形成氮化硅间隔壁于氧化硅间隔壁的表面和图案的横向侧上；形成第二氧化硅层于形成有氮化硅间隔壁的整个结构上；选择性蚀刻第二氧化硅层以露出氮化硅层间隔壁及形成部分延伸至图案顶部的自对准接触孔；及通过以第二导电层填入自对准接触孔而形成自对准接触结构。
制造半导体器件方法

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