专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板的装载方法-CN202110767723.4在审
  • 李东律;李京哲;赵成华 - 三星显示有限公司
  • 2021-07-07 - 2022-01-11 - H01L21/687
  • 公开一种基板的装载方法。本发明的基板的装载方法包括如下步骤:准备包括基板装载器和支撑销组件的基板装载装置,支撑销组件在基板装载器上布置为多个,并且各个支撑销组件配备有至少一个固定部、旋转部以及引导部,旋转部可旋转地结合于固定部而支撑基板,引导部布置在固定部和旋转部而引导旋转部的旋转;在基板装载器上安置基板;基板的下表面与所述旋转部上部接触;旋转部根据基板的负载而旋转;以及引导部工作而使基板被平坦地布置。
  • 装载方法
  • [发明专利]发光器件及其制造方法-CN201710048782.X有效
  • 玄在星;李东律;朴正圭 - 三星电子株式会社
  • 2017-01-22 - 2021-08-03 - H01L33/00
  • 可以制造的发光器件包括:在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括:根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层,并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。
  • 发光器件及其制造方法
  • [发明专利]X射线拍摄装置及方法-CN201680041480.3有效
  • 李东律;禹材熹 - 奥齿泰因普兰特株式会社
  • 2016-07-12 - 2021-06-01 - A61B6/00
  • 本发明涉及使旋转部滑移来变更所述感测部和就诊人员头部的间隔,由此可以多样地细微调节放大率的X射线拍摄装置及方法,所述旋转部以维持相向的X射线源部和感测部的间隔的状态进行支撑。在用于此的本发明的X射线拍摄装置及方法中,所述X射线拍摄装置包括:旋转部,具有相向的X射线源部和感测部,并以能够沿着X射线照射方向进行移动的方式通过移动机构来设置于旋转轴;以及运转部,以维持所述X射线源部和感测部的间隔的状态变更所述感测部和就诊人员头部的间隔,来调节放大率。
  • 射线拍摄装置方法
  • [发明专利]制造半导体发光器件的方法-CN201510612160.6有效
  • 韩尚宪;李东律;金承贤;金长美;尹晳胡;李尚准 - 三星电子株式会社
  • 2015-09-23 - 2018-01-02 - H01L33/00
  • 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法,包括形成第一导电类型的半导体层;通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层;以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层;以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。
  • 制造半导体发光器件方法

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