“李丙仁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有改进的编程和擦除操作的存储器装置及其操作方法-CN201910738948.X有效
发明人： 李丙仁;朴熙中;沈根守;李相宪;卓在日 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：具有改进的编程和擦除操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：具有共享源极线的多个存储块的存储器单元阵列；用于对多个存储块当中的被选存储块执行编程操作和擦除操作的外围电路；以及用于控制外围电路的控制逻辑。控制逻辑将外围电路控制为使得多个存储块当中的未选存储块中所包括的多个源极选择晶体管当中的与源极线相邻的一些源极选择晶体管在编程操作期间的源极线预充电操作中被浮置。
具有改进编程擦除操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的操作方法-CN202011018123.X在审
发明人： 李丙仁;金殷洪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：半导体装置和半导体装置的操作方法。一种半导体装置包括连接在源极线和位线之间的存储器串。该存储器串包括沿着第一沟道层层叠的第一存储器单元、沿着第二沟道层层叠的第二存储器单元、以及连接在第一存储器单元和第二存储器单元之间的至少一个开关存储器单元。一种操作该半导体装置的方法包括：对第一存储器单元中的所选第一存储器单元进行编程；选择第二存储器单元中的要进行编程的第二存储器单元；将编程电压施加到与所选第二存储器单元连接的字线；截止开关存储器单元以使得第一沟道层和第二沟道层彼此电隔离；以及将通过电压施加到与第一存储器单元和第二存储器单元中的未选存储器单元连接的字线。
半导体装置操作方法

[发明专利]存储器装置以及该存储器装置的操作方法-CN201811517174.X在审
发明人：李熙烈;李丙仁;李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储器装置以及该存储器装置的操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个串；外围电路，其联接到存储器单元阵列并且被配置用于依次对所述多个串执行编程电压施加操作、编程验证操作和空穴注入操作；以及控制逻辑，其被配置用于控制外围电路的操作，其中，在空穴注入操作期间，控制逻辑控制外围电路的操作以在所述多个串中的每一个的源极选择晶体管下方的沟道处生成栅诱导漏极泄漏GIDL。
存储器装置外围电路存储器单元阵列空穴控制逻辑源极选择晶体管编程验证操作编程电压操作期间沟道处漏极配置泄漏诱导施加

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310108983.6在审
发明人： 李丙仁;金泰均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：多个栅结构，每个栅结构形成在衬底上并且包括顺序层叠的隧道绝缘层、浮栅、栅间电介质层以及控制栅；以及层间电介质层，所述层间电介质层覆盖多个栅结构、并且具有形成在相邻的栅结构之间的空气间隙，其中，空气间隙的底表面位于比隧道绝缘层的表面更低的水平。
非易失性存储器及其制造方法

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top