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[实用新型]一种刻蚀设备-CN201922166627.5有效
发明人：马风柱;曾议锋;李兴光;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种刻蚀设备，包括：刻蚀腔室，供晶圆容置其中；以及遮挡装置，所述遮挡装置可移动地设置于所述刻蚀腔室内，能够分别在所述晶圆之外的主刻蚀工位和在所述晶圆上方的边缘刻蚀工位停留,当所述遮挡装置停留在所述边缘刻蚀工位时，所述遮挡装置能够对所述晶圆表面用于形成器件结构的中心区域进行遮挡，而露出所述晶圆的外缘区域，通过遮挡装置的设置，将主刻蚀功能和边缘刻蚀功能集成于同一刻蚀设备，降低了制造成本的同时，提高了晶圆的刻蚀制程效率。
一种刻蚀设备

[实用新型]一种用于刻蚀机的抽气出口的闸门装置-CN201921164672.0有效
发明人：张大龙;许凯;马风柱;曾议锋;刘希飞;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于刻蚀机的抽气出口的闸门装置，其特征在于，包括：多个可旋转叶片，其被配置为通过旋转调节抽气出口的开合度；以及叶片转动装置，其被配置为致使可旋转叶片转动。通过本实用新型，可以实现均匀的工艺气体抽取，从而提高刻蚀均匀性和腔体环境稳定性。
本实用新型可旋转叶片抽气出口叶片转动装置刻蚀均匀性工艺气体腔体环境旋转调节闸门装置开合度刻蚀机配置转动抽取

[实用新型]清洁装置及干法刻蚀设备-CN201921146687.4有效
发明人：许凯;张大龙;曾议锋;吴越;李兴光;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种清洁装置及干法刻蚀设备，所述清洁装置包括传送单元；以及设置于所述传送单元一端的可旋转式清洁单元；其中，所述传送单元被配置为，非工作状态时，处于折叠状态，工作状态时，处于展开状态，使得所述可旋转式清洁单元对准所述静电吸盘。当干法刻蚀设备包括该清洁装置时，不需要开腔，即可实现对静电吸盘的清洁，且由于所述传送单元可实现折叠状态和展开状态的切换，在不需要进行清洁时，所述传送单元处于折叠状态，故不会对将晶圆放置在静电吸盘这一过程产生干涉，进一步的，由于所述清洁装置采取的是可旋转式清洁单元，可实现对静电吸盘的多角度清洁，因此，也保证了清洁效果。
传送单元静电吸盘清洁装置可旋转式清洁单元折叠状态干法刻蚀设备展开状态开腔本实用新型多角度清洁非工作状态过程产生清洁效果清洁晶圆对准干涉配置保证

[实用新型]一种顶针装置及晶圆升降系统-CN201920649295.3有效
发明人：朱勇;王敏磊;栾剑峰;刘家桦;叶日铨;曾议锋 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种顶针装置，包括：顶针、压点信号开关及筒体；进一步的，本实用新型还提供一种晶圆升降系统，包括：静电吸盘、马达及多个所述顶针装置，所述顶针装置受到大于所述阈值的压力时，所述顶针装置的顶针接触到所述顶针装置的压点信号开关，并且导通压点信号开关发出一停止运动信号，所述马达接收到所述停止运动信号并控制所述顶针装置停止上升，从而避免了晶圆与静电吸盘之间仍有较大的静电或者仍有静电时，晶圆被所述顶针装置顶破的异常情况，减少了生产成本的损失，提高了工作效率。
顶针装置信号开关压点顶针本实用新型静电吸盘停止运动静电晶圆马达工作效率升降系统导通筒体种晶生产成本

[实用新型]升降装置-CN201920517573.X有效
发明人： 曾议锋;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种升降装置，其将负载是否被吸附在载台上的宏观表现转换为驱动器的驱动电流的微观变化，进而可根据驱动器的驱动电流的变化控制推杆的升降，从而可避免晶圆推杆顶破的情况发生，大大提高了产品良率。
驱动器推杆驱动电流升降装置本实用新型变化控制产品良率宏观表现微观变化晶圆吸附升降转换

[实用新型]用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备-CN201821486872.3有效
发明人： 曾议锋;阚保国;刘家桦;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该实用新型涉及一种用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备，其中所述聚焦环包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，其特征在于，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。本实用新型中用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备的聚焦环的内环设置有吸附结构，通过吸附结构吸附粘附在聚焦环上的副产物，提高副产物与聚焦环的内环的表面之间的粘着力，减小副产物从聚焦环的内环脱落的可能性。
聚焦环半导体处理设备内环副产物吸附结构吸附半导体处理过程本实用新型表面设置减小粘附