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- [发明专利]功能转印体、功能层的转印方法、封装物以及功能转印膜辊-CN201380002892.2有效
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古池润;山口布士人
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旭化成电子材料株式会社
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2013-06-10
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2014-04-30
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B32B3/30
- 功能转印体(14)具备具有纳米结构的凹凸结构(11)的载体(10)和设置于凹凸结构(11)上的功能层(12)。在凹凸结构(11)的表面预先设置功能层(12)，使功能层(12)直接对接于被处理体(20)的一主面上，然后从功能层(12)除去载体(10)，在被处理体(20)上转印功能层(12)。凹凸结构(11)的平均间距在1nm以上1500nm以下，功能层(12)包含树脂，且功能层(12)的露出面侧的表面粗糙度(Ra)，与凹凸结构(11)的凸部顶端位置和所述功能层的露出表面的距离(lor)的比例(Ra/lor)在1.2以下。进一步地，功能层(12)配置于凹部(1la)的内部，其露出面在温度20℃且遮光下是非液体状态。可以在被处理体(20)上高精度地赋予功能。
- 功能转印体方法封装以及转印膜辊
- [发明专利]焊料糊剂、半导体装置及其制造方法-CN201310063995.1无效
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木山朋纪;田中轨人;柏木利典;白鸟刚
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旭化成电子材料株式会社
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2013-02-28
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2014-04-02
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B23K35/24
- 本发明提供一种焊料糊剂、半导体装置及其制造方法。提供一种糊剂材料，其不使用需要镀覆浴的复杂的电解镀工艺，通过在金属面上对含有Ni合金颗粒的焊料糊剂进行热处理，就在该金属面上形成连续且均匀厚度的焊料层。前述焊料糊剂，其为包含以下成分的焊料糊剂：(1)作为低熔点金属颗粒的Sn颗粒或者Sn合金颗粒，该Sn合金颗粒含有Sn和选自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au组成的组中的至少一种金属、并且具有低于240℃的熔点；(2)作为高熔点金属颗粒的Ni合金颗粒，其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔点；和(3)助熔糊，相对于100质量份的该(1)低熔点金属颗粒，该焊料糊剂含有15质量份～42质量份的该(2)高熔点金属颗粒。
- 焊料半导体装置及其制造方法
- [发明专利]聚硅氧烷缩合反应物-CN201310589077.2无效
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森山丽子;斋藤秀夫;高田省三;土井一郎
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旭化成电子材料株式会社
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2010-06-24
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2014-03-19
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C09D183/10
- 本发明提供一种缩合反应物溶液，其为特别优选用于在形成于基板的开口宽度窄且高长宽比的沟槽内填埋的缩合反应物溶液，其适用期长，在作为沟槽填埋用使用时对沟槽内的填埋性良好，焙烧而形成氧化硅时的固化收缩率小，耐裂纹性和耐HF性优异。本发明提供一种缩合反应物溶液，其包含如下成分：(I)缩合反应物：通过使至少含有(i)以缩合换算量计为40质量%以上99质量%以下的来自由下述通式(1)表示的硅烷化合物的聚硅氧烷化合物、和(ii)1质量%以上60质量%以下的二氧化硅颗粒的缩合成分进行缩合反应而获得；以及(II)溶剂，且该由通式(1)表示的硅烷化合物为至少含有通式(1)中的n为0的4官能硅烷化合物、和通式(1)中的n为1的3官能硅烷化合物的2种以上的硅烷化合物。R1nSiX14-n (1)[式(1)中，n为0～3的整数、R1为氢原子或碳原子数1～10的烃基，X1为卤素原子、碳原子数1～6的烷氧基或乙酰氧基]。
- 聚硅氧烷缩合反应物
- [发明专利]聚烯烃系多孔膜及其制造方法-CN201180062735.1有效
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伊东己行
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旭化成电子材料株式会社
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2011-11-25
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2013-09-11
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C08J9/00
- 本发明涉及聚烯烃系多孔膜的制造方法，其依次包括以下工序：（A）工序：由聚烯烃系树脂组合物成型无孔原卷的原卷成型工序；（B）工序：在-20℃～（Tm-30）℃（Tm为无孔原卷的熔点（℃））下将（A）工序中获得的无孔原卷沿所述原卷的挤出方向（MD）冷拉伸而多孔化的MD冷拉伸工序；（D）工序：将经过（B）工序的膜沿垂直于MD的方向（TD）冷拉伸的TD冷拉伸工序；以及（H）工序：热定形工序，其中，（H）工序中的热定形温度T2（℃）满足下述式（1）和（2）：T2>T1…（1）；（Tm-3）≥T2≥（Tm-40）…（2）（式中，T1表示（D）工序中的拉伸温度（℃），Tm表示无孔原卷的熔点（℃）。）。本发明还涉及由聚烯烃系树脂组合物形成的聚烯烃系多孔膜，其孔表面积为35.0～42.0m2/g、且双折射率为2.0×10-2～4.0×10-2。
- 烯烃多孔及其制造方法
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