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[发明专利]正极活性物质的制造方法及二次电池、以及车辆-CN202280014457.0在审
发明人：吉谷友辅;平原誉士;宫入典子;早川昌彦;门马洋平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：提供一种充放电容量大的正极活性物质。另外，提供一种新颖的正极活性物质。在利用共沉淀法得到包含镍、钴及锰的钴化合物(还被称为前体)之后，以第一温度对混合锂化合物和钴化合物而得的混合物进行加热，在粉碎或研碎的混合物之后，以比第一温度高的第二温度再进行加热，在混合添加物之后进行第三加热处理，由此制造正极活性物质。第一温度的范围为400℃以上且700℃以下的范围。第二温度的范围为高于700℃且为1050℃以下的范围。
正极活性物质制造方法二次电池以及车辆

[发明专利]显示装置-CN201910618314.0在审
发明人：轴丸美佳;久保田大介;宫入典子;永田贵章 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种降低外光的反射的显示装置或输入/输出装置。该显示装置包括第一衬底(101)及第二衬底(102)。第一衬底(101)包括第一表面。晶体管(109)位于第一表面上。第二衬底(102)包括第二表面。具有凸部的第一结构体(180)、具有凸部的第二结构体(180)、覆盖第一结构体(180)及第二结构体(180)的黑矩阵(186)以及滤色片(181、182、183)位于第二表面上。第一表面面对第二表面。黑矩阵(186)具有反映第一结构体(180)的凸部及第二结构体的凸部的多个凸部。第一结构体(180)的平面形状与第二结构体(180)的平面形状互不相同。
结构体凸部衬底第二表面第一表面显示装置平面形状黑矩阵输入/输出装置晶体管滤色片反射覆盖

[发明专利]显示装置-CN201580031427.0有效
发明人：轴丸美佳;久保田大介;宫入典子;永田贵章 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种降低外光的反射的显示装置或输入/输出装置。该显示装置包括第一衬底(101)及第二衬底(102)。第一衬底(101)包括第一表面。晶体管(109)位于第一表面上。第二衬底(102)包括第二表面。具有凸部的第一结构体(180)、具有凸部的第二结构体(180)、覆盖第一结构体(180)及第二结构体(180)的黑矩阵(186)以及滤色片(181、182、183)位于第二表面上。第一表面面对第二表面。黑矩阵(186)具有反映第一结构体(180)的凸部及第二结构体的凸部的多个凸部。第一结构体(180)的平面形状与第二结构体(180)的平面形状互不相同。
显示装置