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[发明专利]确定2DEG浓度沿栅宽分布的方法及系统-CN202111495770.4有效
发明人：陈雷雷;闫大为;顾晓峰 -专利权人： 无锡芯鉴半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种确定2DEG浓度沿栅宽分布的方法，包括利用器件的C‑V曲线计算得到2DEG平均浓度，基于2DEG平均浓度与栅极宽边的乘积，得到2DEG沿栅极宽边的总浓度；在器件的栅极施加不等的电压来调节器件的电致发光强度，获取不等栅压下的器件发光图；根据器件发光图得到不等栅压下电致发光强度沿栅极宽边的分布状态，基于电致发光强度沿栅极宽边的分布状态计算得到总光强随栅压的变化关系，并确定某一栅压下沿栅极宽边的总光强和2DEG总浓度，得到单位光强下的2DEG浓度；基于单位光强下的2DEG浓度和电致发光强度计算得到沿栅极宽边分布的2DEG浓度。本发明能够测试出2DEG浓度在器件内的实际分布，对提高临界电压、临界场强等器件参数的精确度有重要意义。
确定 deg 浓度沿栅宽分布方法系统

[发明专利]一种器件沟道载流子平均自由程检测方法及系统-CN202210056687.5在审
发明人：陈雷雷;闫大为;顾晓峰 -专利权人： 无锡芯鉴半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件沟道载流子平均自由程检测方法及系统。本发明涉及一种确定沟道中载流子平均自由程的方法，包括利用C‑V曲线计算得到施主浓度，在器件电极施加偏置电压得到热点产生的临界电压Vc，基于临界电压Vc与施主浓度ND求出耗尽区临界场强；利用光谱仪测得器件所产生热点的电致发光光谱，求出光谱的特征峰能量；基于耗尽区临界场强和光谱特征峰能量求出载流子平均自由程。本发明结合光学和电学的手段确定了沟道中载流子平均自由程，对研究材料和器件的物理特性具有重要意义。
一种器件沟道载流子平均自由程检测方法系统

[发明专利]一种高功率器件栅电荷提取测试方法-CN202111145623.4在审
发明人：闫大为;陈雷雷;王燕平;李金晓 -专利权人： 无锡芯鉴半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率器件栅电荷提取测试方法，包括：将高功率测试条件划分成高电流小电压条件和高电压小电流条件，在输出特性曲线ID‑VDS上提取出高电流小电压条件和高电压小电流条件下的漏电流对应的栅极电压VGP1和VGP2；分别获取输入电容CISS随VGS、VDS的变化曲线CISS‑VGS、CISS‑VDS以及米勒电容CRSS随VGS、VDS的变化曲线CRSS‑VGS、CRSS‑VDS；选取曲线CISS‑VGS，计算得到高电流小电压条件和高电压小电流条件下的QGS和Q’GS，选取曲线CRSS‑VGS和CRSS‑VDS，计算得到高电流小电压条件和高电压小电流条件下的QGD；将QGS、Q’GS和QGD进行拼接，得到高功率条件下的栅电荷特性曲线VGS‑QG。本发明能够避免对设备的高功率要求，同时还减小了由于器件发热而导致的数据误差，具有很好的应用价值。
一种功率器件电荷提取测试方法