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[发明专利]基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件及其制备方法-CN201911299226.5有效
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化锆和氧化镧的透明薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的导电玻璃衬底、介电层、半导体层、上金属电极，所述上金属电极包括源电极和漏电极，所述介电层材料为氧化锆和氧化镧的混合氧化物。采用溶液法制备TFT的绝缘层和半导体层，实现低成本大面积的TFT制备，设备和原料投资较少；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
基于氧化锆氧化透明薄膜晶体管器件及其制备方法

[发明专利]通过离子凝胶提高抗辐射性的薄膜晶体管及其制备方法-CN202110720103.5在审
发明人： 方欲晓;赵春;杨莉;刘伊娜;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过离子凝胶提高抗辐射性的薄膜晶体管，其包括自下而上依次层叠设置的衬底、绝缘层、源漏电极、半导体层、离子凝胶层以及栅电极，在离子凝胶层和半导体层之间的界面及离子凝胶层和栅电极之间的界面形成有双电子层，双电子层可以有效组织辐射引发的电子隧穿现象，提高器件的抗辐射性，该器件可承受兆拉德(二氧化硅)级别的辐照；离子凝胶、双电子层的液体性质，使得其能够自我恢复或修复，器件的稳定性强和使用寿命长；采用纯溶液法制备半导体层和离子凝胶层，操作简单方便，设备和原料投资较少，可用于大面积器件的制备，实现大规模工业应用；在低温下以极低的成本制备具备高抗辐射性的薄膜晶体管，制备工艺简单安全环保。
通过离子凝胶提高辐射性薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高性能LDPE/PET微纤增强共混物的制备方法-CN201610969245.4有效
发明人：徐建平;方欲晓;董银春;沈帆;丁永红 -专利权人：常州大学怀德学院
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明属于材料加工技术领域，本发明提供一种高性能的LDPE‑g‑(DAP‑co‑GMA)增容低密度聚乙烯/聚对苯二甲酸乙二醇酯微纤增强共混物的制备方法。以LDPE为连续相，PET为分散相并采用以邻苯二甲酸二烯丙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯共接枝LDPE接枝物LDPE‑g‑(DAP‑co‑GMA)为新型增容剂制备LDPE/PET增容共混物，使PET分散相取向、成纤，并在后续制品中结构得到较多保存，从而达到PET微纤原位增强LDPE的目的。采用本发明的方法可显著提高LDPE的力学性能，这对于拓展LDPE的应用领域具有极其重要的意义。
一种性能 ldpe pet 增强共混物制备方法

[实用新型]一种CTM存储器-CN201920491559.7有效
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型属于电子器件技术领域，公开了氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机混合CTM存储器及其制备方法，CTM存储器包括由下至上层叠设置的下电极，基底，存储层和上电极层；所述存储层为含有氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机材料混合层。本实用新型采用溶液法制备存储层，实现低成本CTM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。此外，本实用新型采用的制备方法制备出的存储层同时具有隧穿层，存储层和阻挡层的作用，降低了工艺难度，减少了复杂工艺导致的器件性能的退化。
一种 ctm 存储器

[实用新型]一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件-CN201920977069.8有效
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极。本案可提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
一种双氧水提高辐射性薄膜晶体管器件

[实用新型]微纳线制备装置及微纳结构-CN201920252988.9有效
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：一种微纳线制备装置及微纳结构，属于微电子技术领域。所述微纳线制备装置包括液相纳米材料存储装置和微纳线布施机构；所述液相纳米材料存储装置设有至少一个出液孔，微纳线布施机构与出液孔一一对应设置；所述微纳线布施机构包括至少两根柔性线材，柔性线材表面具有规则分布的微型结构，柔性线材根部固定在液相纳米材料存储装置上，两根柔性线材为一组、端部下垂落于衬底上并相互顶靠，端部顶靠的两根柔性线材在衬底上投影后的夹角范围为1°～5°。本实用新型基于液相纳米材料的重力、与柔性线材的拉普拉斯压力差和不对称保持力，能够实现微纳线的快速制备。
柔性线材纳米材料存储装置制备装置出液孔衬底顶靠微电子技术领域一一对应设置本实用新型规则分布快速制备微纳结构微型结构不对称压力差投影

[实用新型]一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件-CN201920491337.5有效
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，包括下电极、基底、氧化物层和上电极；所述基底下部设置有下电极；所述基底上部设置有氧化物层；所述氧化物层上面设置有上电极；所述氧化物层为硅酸铪。本实用新型采用高介电常数材料硅酸铪制备半导体器件，具有较好的抗辐射性，满足了半导体器件需要长时间在辐射环境下稳定可靠工作的需求；减少了器件的功耗，在相同的等效厚度下，减少了器件的漏电；在提高抗辐射性的同时，其制备工艺与传统半导体工艺兼容，控制了制备成本。
氧化物层硅酸铪本实用新型抗辐射性电极下电极基底金属氧化物半导体电容器传统半导体工艺高介电常数材料制备半导体器件半导体器件漏电辐射环境制备工艺功耗制备兼容

[发明专利]一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法-CN201910559526.6在审
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件及制备方法，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极；制备方法具体步骤包括：a）制备得到前驱体溶液；b）制备双氧水前驱体溶液；c）将双氧水前驱体溶液超声震荡15‑60分钟；d）清洗高掺硅衬底；e）将配备好的双氧水前驱体溶液旋涂在清洗好的高掺硅衬底上；f）将旋涂好双氧水前驱体溶液的高掺硅衬底置于热板上退火形成介电层；g）制备半导体层；h）沉积上金属电极和栅电极。本案提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
双氧水制备前驱体溶液薄膜晶体管器件硅衬底上金属电极抗辐射性半导体层介电层栅电极旋涂清洗退火超声震荡传统工艺依次设置有效控制漏电极源电极沉积热板兼容配备

[发明专利]一种CTM存储器及其制备方法-CN201910292547.6在审
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于电子器件技术领域，公开了氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机混合CTM存储器及其制备方法，CTM存储器包括由下至上层叠设置的下电极，基底，存储层和上电极层；所述存储层为含有氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机材料混合层。本发明采用溶液法制备存储层，实现低成本CTM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。此外，本发明采用的制备方法制备出的存储层同时具有隧穿层，存储层和阻挡层的作用，降低了工艺难度，减少了复杂工艺导致的器件性能的退化。
存储层制备存储器纳米颗粒硅酸锆氧化锆有机无机材料溶液法制备层叠设置电子器件复杂工艺工业应用工艺难度器件性能低成本电极层混合层隧穿层下电极阻挡层基底退化投资

[发明专利]一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件及制备方法-CN201910291852.3在审
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件及制备方法，包括下电极、基底、氧化物层和上电极；所述基底下部设置有下电极；所述基底上部设置有氧化物层；所述氧化物层上面设置有上电极；所述氧化物层为硅酸铪；制备具体步骤包括：a）清洗基底；b）制备氧化物薄膜；c）制备上电极和下电极层。本发明采用高介电常数材料硅酸铪制备半导体器件，具有较好的抗辐射性，满足了半导体器件需要长时间在辐射环境下稳定可靠工作的需求；减少了器件的功耗，在相同的等效厚度下，减少了器件的漏电；在提高抗辐射性的同时，其制备工艺与传统半导体工艺兼容，控制了制备成本。
氧化物层硅酸铪制备电极基底金属氧化物半导体电容器抗辐射性下电极传统半导体工艺高介电常数材料制备半导体器件制备氧化物薄膜制备具体步骤半导体器件漏电辐射环境下电极层制备工艺功耗清洗兼容

[发明专利]微纳线制备装置及微纳结构-CN201910149242.X在审
发明人： 方欲晓;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：一种微纳线制备装置及微纳结构，属于微电子技术领域。所述微纳线制备装置包括液相纳米材料存储装置和微纳线布施机构；所述液相纳米材料存储装置设有至少一个出液孔，微纳线布施机构与出液孔一一对应设置；所述微纳线布施机构包括至少两根柔性线材，柔性线材表面具有规则分布的微型结构，柔性线材根部固定在液相纳米材料存储装置上，两根柔性线材为一组、端部下垂落于衬底上并相互顶靠，端部顶靠的两根柔性线材在衬底上投影后的夹角范围为1°～5°。本发明基于液相纳米材料的重力、与柔性线材的拉普拉斯压力差和不对称保持力，能够实现微纳线的快速制备。
柔性线材纳米材料存储装置制备装置微纳结构出液孔衬底顶靠微电子技术领域一一对应设置规则分布快速制备微型结构不对称压力差投影

[发明专利]一种高性能HDPE/PET微纤增强共混物的制备方法-CN201610968492.2在审
发明人：徐建平;方欲晓;董银春;沈帆;丁永红 -专利权人：常州大学怀德学院
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能HDPE/PET微纤增强共混物的制备方法。本方法采用难挥发、毒性低、反应活性高的邻苯二甲酸二烯丙酯为共单体，GMA为接枝单体，制备HDPE‑g‑(DAP‑co‑GMA)接枝物并增容HDPE/PET共混物，通过适当的加工方法使PET分散取向、成纤，并在后续制品中结构得到较多保存，从而达到PET微纤原位增强HDPE的目的。本发明制备的高性能HDPE/PET微纤增强共混物，使得HDPE的拉伸强度显著提高，这对于扩展HDPE的应用领域具有极其重要的意义。
一种性能 hdpe pet 增强共混物制备方法

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