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[发明专利]一种基于光热响应的液滴操控超滑表面及其制备方法-CN202211591342.6有效
发明人：张琛;李凯;文通;徐晨曦;王凯歌;白晋涛 -专利权人：西北大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明属于超滑表面技术领域。本发明提供了一种基于光热响应的液滴操控超滑表面及其制备方法。在硅片上顺次制备第一层微结构和第二层微结构后喷涂聚乙烯吡咯烷酮溶液，然后进行烘烤，得到具有双层微结构的硅片；将疏水改性四氧化三铁纳米颗粒、聚二甲基硅氧烷预聚物和固化剂混合，得到混合物；将混合物倒在具有双层微结构的硅片上顺次进行除气泡、固化处理后从硅片上剥离，得到四氧化三铁‑聚二甲基硅氧烷液滴操控超滑表面基底；将四氧化三铁‑聚二甲基硅氧烷液滴操控超滑表面基底浸注硅油，得到基于光热响应的液滴操控超滑表面。本发明具有双层微结构的液滴操控超滑表面对液滴的操控次数可达614次，具有良好的耐久性。
一种基于光热响应操控表面及其制备方法

[发明专利]分离式低温磁屏蔽装置-CN202111323313.7有效
发明人：张露;刘习凯;文通;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离式低温磁屏蔽装置，包括：磁屏蔽主体和磁屏蔽上盖，两者均由磁屏蔽单元层、低温单元层以及退磁线圈单元组成。磁屏蔽单元用于屏蔽外界磁场，由外到内依次为金属屏蔽层、高磁导率屏蔽层以及超导屏蔽层。低温单元层内设有液氮或液氦，从而能够为磁屏蔽单元层提供低温环境。退磁线圈用于消除磁屏蔽单元层中的剩磁。磁屏蔽主体为“凹”字型的筒状结构，磁屏蔽主体的内部设有工作区；磁屏蔽上盖为反“凹”字型结构，从而与磁屏蔽主体相互配合，使得工作区内形成封闭的常温零磁空间。本发明不仅能够为待测的高精度磁传感器提供一种极低的磁场测试工作环境，同时有效解决了现有超导屏蔽无法提供常温零磁空间的技术难题。
分离低温屏蔽装置

[发明专利]一种程控消磁电流源高精度电流控制方法-CN202310754440.5在审
发明人：李海涛;杨思怡;文通;郑世强;张迪;余世城 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种程控消磁电流源高精度电流控制方法。首先，根据基尔霍夫定律建立程控消磁电流源非线性负载下的数学模型，基于该数学模型构建程控消磁电流源的状态空间表达式。然后，针对程控消磁电流源系统中非线性负载参数时变导致的电流波动、电子元件参数摄动等多种扰动，设计级联扩张状态观测器对集总扰动进行观测，并且通过前馈通道对观测的集总扰动进行补偿。最后，设计基于级联扩张状态观测器和滑模控制相结合的复合控制器，抑制集总扰动对程控消磁电流源输出电流的影响，实现高精度的消磁电流输出。本发明实现了非线性负载参数时变等多种扰动存在下的高精度消磁电流输出，从而提高磁屏蔽装置的消磁性能。
一种程控消磁电流高精度控制方法

[发明专利]一种大惯量负载永磁电机无位置传感器控制的可靠启动系统-CN202310711455.3在审
发明人：陈宝栋;李少琪;孙沛儒;文通;张海峰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02P21/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种大惯量负载永磁电机无位置传感器控制的可靠启动系统，属于永磁同步电机的控制领域。根据电机的总转矩需求，动态地调整输入参考频率的高效启动；为了确定电机的总转矩需求，采用基于电压电流模型的磁链观测器，针对计算磁链过程中存在的积分误差和电流采样误差，提出一种非线性磁链观测器，对误差进行校正，从而精确估计总转矩需求；将总转矩需求与额定电流下最大安全转矩对比，通过单向比例控制器动态调整输入参考频率，将转子限制在安全区内，直至将转子拖动至目标转速；为了实现从位置开环到闭环的平滑切换，采用基于虚拟坐标系角度误差补偿的切换方案。基于本系统，无位置传感器控制的永磁同步电机在带大惯量负载时也能实现快速、可靠地启动。
一种惯量负载永磁电机位置传感器控制可靠启动系统

[发明专利]一种基于解耦控制的三轴主动磁补偿系统及参数设计方法-CN202310616618.X在审
发明人：李海涛;田鸽;崔培玲;文通;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G05B11/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于解耦控制的三轴主动磁补偿系统及参数设计方法，属于主动磁屏蔽的技术领域。基于解耦控制的三轴主动磁补偿系统采用三轴PID磁场控制器对磁屏蔽舱内中心点三轴磁场分量进行闭环控制。三轴PID磁场控制器的参数设计包括三个步骤，首先利用扫频法获得三轴主动磁补偿系统的数学模型，然后将该模型的耦合通道等效到主通道得到三轴主动磁补偿系统解耦状态下的数学模型，最后，根据三轴主动磁补偿系统的解耦模型设计三轴PID磁场控制器参数。本发明的基于解耦控制的三轴主动磁补偿系统可实现三轴主动磁补偿系统变量间解耦，对磁屏蔽舱周围环境中的干扰磁场进行抑制，提高磁屏蔽舱中心磁场的动态稳定性。
一种基于控制主动补偿系统参数设计方法

[发明专利]一种医学磁屏蔽箱及其消磁方法-CN202310651189.X在审
发明人：计亚兵;徐梦瑶;汤继强;刘坤;文通;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种医学磁屏蔽箱，包括用于提供磁屏蔽功能的第一屏蔽层板组，所述第一屏蔽层板组包括第一内坡莫合金屏蔽板、第一外坡莫合金屏蔽板以及设于该二者之间的第一铝镁合金屏蔽板，所述第一屏蔽层板组的内外两侧环绕有消磁线圈；同时，本发明还公开了一种用于医学磁屏蔽箱的消磁方法通过控制电路向电源输出对应的消磁信号，使电源向消磁线圈通入消磁电流以完成消磁过程。采用本发明的设计即可通过机械结构设计优化提供一种低剩磁医学磁屏蔽箱装置，相较现有技术，本发明磁屏蔽效果好且结构简单。
一种医学屏蔽及其消磁方法

[发明专利]一种内外补偿线圈组合的主动磁场补偿复合控制系统及方法-CN202310649147.2在审
发明人：崔培玲;李衍宾;刘习凯;文通;郑世强;周新秀 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种内外补偿线圈组合的主动磁场补偿复合控制系统及方法，该系统包括磁屏蔽舱、外部线圈控制系统、内部线圈控制系统。通过外部线圈控制系统补偿磁屏蔽舱内部的剩余磁场和磁场扰动，通过内部线圈控制系统补偿磁屏蔽舱内部的磁场噪声；内外补偿线圈组合控制，降低了磁屏蔽舱的成本，提高了磁屏蔽舱内部磁场控制精度，扩大了内部可用空间利用率。本发明中的复合控制系统结构简单，易于实现，在实际应用中很方便，适用于实现极弱磁场高精度控制。
一种内外补偿线圈组合主动磁场复合控制系统方法

[发明专利]一种六自由度超导位移探测器-CN202111008096.2有效
发明人：刘习凯;张露;文通;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01H11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种六自由度超导位移探测器，包括六自由度超导磁力弹簧振子、与六自由度超导磁力弹簧振子连接的超导回路、与超导回路连接的电流检测器、与电流检测器连接的可调增益放大器、与可调增益放大器连接的加减法器以及与加减法器连接的数据采集系统；六自由度超导磁力弹簧振子包括六块线圈基座、由六块线圈基座围成的腔体、位于腔体中的一个超导块以及设置在每个线圈基座的内表面上的至少两个超导线圈，每个超导回路由一个超导线圈与对应的一个电感La串联组成，通过超导线圈与超导块的相互作用，实现六自由度位移探测功能，结构简单，仅使用单个超导块实现六自由度位移探测的功能，大幅简化多自由度超导位移探测器的研制过程。
一种自由度超导位移探测器

[发明专利]磁场平衡消磁装置、方法及电子设备-CN202310462762.2在审
发明人：李海涛;王增辉;余世城;贺赞;文通;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01F13/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁场平衡消磁装置、方法及电子设备，包括：电流生成模块，用于产生消磁电流，输入消磁模块，还用于发送控制指令至电流源模块；电流源模块，用于根据控制指令提供环境磁场补偿电流，输入消磁模块；消磁模块，用于根据消磁电流和环境磁场补偿电流进行磁场消磁。本发明能够利用突变磁场对磁屏蔽装置整体磁化，保证磁屏蔽装置在不同环境磁场下消磁效果的一致性，降低消磁后内部剩余磁场强度值，实现磁场平衡消磁。
磁场平衡消磁装置方法电子设备

[发明专利]一种磁屏蔽装置消磁过程的建模方法及系统-CN202310461595.X在审
发明人：文通;王增辉;李海涛;韩邦成;贺赞;余世城 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁屏蔽装置消磁过程的建模方法及系统，涉及磁屏蔽领域。方法包括：给定消磁电流函数的参数值，生成消磁电流，并将消磁电流输入到消磁线圈中；采集磁屏蔽装置消磁过程中内部磁场波动数据，基于带遗忘因子的递推最小二乘法对磁场波动函数中的参数进行拟合，获取最优解；根据消磁电流参数、消磁电流函数、磁场波动参数及磁场波动函数，建立磁屏蔽装置消磁过程的磁场电流模型。本发明针对磁屏蔽装置消磁过程的非线性特性，通过数据拟合得到磁屏蔽装置整体消磁模型，可以据此计算优化消磁电流，有效降低磁屏蔽装置内部剩磁值。
一种屏蔽装置消磁过程建模方法系统

[实用新型]磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置-CN202223234913.9有效
发明人：李洪滨;章懰;曲建华;张臻臻;王坤;郑世强;文通;王世维 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置，其特征在于包括：磁悬浮电机系统偏心工况调节辅助台，可使磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况；磁悬浮电机系统偏心参数测量系统，用于测量当磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况时的运行参数；磁悬浮电机系统偏心参数数据库，用于保存磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况时的运行参数；磁悬浮电机系统偏心故障辨识模块，用于获取待测磁悬浮电机系统的实际偏心工况及偏心大小。该装置可实现在不拆解磁悬浮电机系统的情况下由可轻易测量获得的运行参数对磁悬浮电机系统偏心故障完成辨识，操作方便，辨识效率高。
磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置

[发明专利]磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置及方法-CN202211531875.5在审
发明人：李洪滨;章懰;曲建华;张臻臻;王坤;郑世强;文通;王世维 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置，其特征在于包括：磁悬浮电机系统偏心工况调节辅助台，可使磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况；磁悬浮电机系统偏心参数测量系统，用于测量当磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况时的运行参数；磁悬浮电机系统偏心参数数据库，用于保存磁悬浮电机系统中的转子在配套定子中处于不同的偏心工况时的运行参数；磁悬浮电机系统偏心故障辨识模块，用于获取待测磁悬浮电机系统的实际偏心工况及偏心大小。该装置可实现在不拆解磁悬浮电机系统的情况下由可轻易测量获得的运行参数对磁悬浮电机系统偏心故障完成辨识，操作方便，辨识效率高。
磁悬浮电机系统偏心故障辨识装置方法

[发明专利]一种三轴正交线圈误差参数的标定方法-CN202310147653.1在审
发明人：崔培玲;吴浩廷;刘习凯;文通;李玉鹏;周新秀 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种三轴正交线圈误差参数的标定方法，该标定方法应用于零磁装置，三轴正交线圈设置于零磁装置的内部，紧贴零磁装置的内壁，该标定方法包括：对零磁装置内分布的匀强磁场坐标系进行标定；基于标定后的匀强磁场坐标系，对三轴正交线圈的磁场发生方向进行标定；建立三轴正交线圈的正交误差模型，对正交误差模型中的误差参数进行标定。由此，通过对零磁装置内的匀强磁场坐标系进行标定，消除了匀强磁场坐标系与磁场测量仪表的正交坐标系之间的误差，在此基础上再对三轴线圈的磁场发生方向以及误差参数进行标定，有利于提高测量精准度。
一种正交线圈误差参数标定方法

[发明专利]一种开放式磁屏蔽室及其构建方法-CN202310089728.5在审
发明人：刘习凯;毋琛;文通;方云飞;李海涛;郑世强 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种开放式磁屏蔽室及其构建方法，所述开放式磁屏蔽室为由六面网格墙围成的立方体结构或长方体结构，所述网格墙包括若干条等间距平行布置的横向磁屏蔽带以及若干条等间距平行布置的纵向磁屏蔽带，所述若干条横向磁屏蔽带的宽度相同，所述若干条纵向磁屏蔽带的宽度相同，所述若干条横向磁屏蔽带与若干条纵向磁屏蔽带交织连接以形成阵列式开孔结构，该结构可以在满足与传统封闭式磁屏蔽室拥有同样的磁屏蔽效能的同时，能够大幅降低磁屏蔽材料的用量，减少了磁屏蔽室制造成本，阵列式开孔结构增加了磁屏蔽室的透光和透气性，减少内部的幽闭感，更适用于涉及人员封闭在磁屏蔽室内部。
一种开放式屏蔽及其构建方法

[发明专利]一种小线圈常数双平面匀场线圈的设计步骤及方法-CN202211687511.6在审
发明人：韩邦成;陈忆闽;文通;刘习凯;方云飞;上官晟翌 -专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种小线圈常数双平面匀场线圈的设计步骤及方法，涉及弱磁补偿的匀场线圈技术领域，本方法包括步骤S1：建立正向和反向的两组匀场线圈平面结构模型，并处在同一目标平面，通过建模软件建立线圈平面的三维结构图；S2：确定目标场尺寸参数，离散并有序排列目标场点坐标参数；S3：根据毕奥—萨伐尔定理，建立匀场线圈三角形网格顶点与目标场点的磁场矩阵；S4：利用线圈总功率为Tikhonov正则化约束条件，得到匀场线圈区域各网格顶点的流函数值，将离散的网格顶点流函数值拟合表面谐波函数得到匀场线圈平面连续流函数。本方法能够解决因双平面线圈设计的线圈常数太大且边界元法离散造成线圈绕组畸形的问题。
一种线圈常数平面设计步骤方法

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