“徐廷中”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果31个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法-CN202110462429.2有效
发明人：王鸿雁;李学琛;关卫军;吴永顺;魏于昆;山涛;王爱华;付磊;赵立波;韩香广;皇咪咪;徐廷中;杨萍;王李;陈翠兰;罗国希;王永录;蒋庄德 -专利权人：陕西省计量科学研究院;西安交通大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法，感器芯片包括承压薄膜、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底等。具体结构为在硅基底背面刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀四块钻石形区域形成十字梁。芯片背腔相邻的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙所对应的芯片正面形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上，利用重掺杂欧姆接触区、金属引线以及金属焊盘将压敏电阻条连接形成惠斯通电桥，十字梁的存在可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
一种十字应力集中传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种压阻梁应力集中微压传感器芯片及其制备方法-CN202110462455.5有效
发明人：赵立波;李学琛;韩香广;李伟;乔智霞;皇咪咪;徐廷中;杨萍;王李;陈翠兰;王鸿雁;关卫军;吴永顺;罗国希;王永录;魏于昆;山涛;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压阻梁应力集中微压传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括硅基底和玻璃基底，所述硅基底背面刻蚀有背腔，背腔的底面为承压薄膜，所述承压薄膜正面设置有第一压阻梁、第二压阻梁、第三压阻梁和第四压阻梁；所述第一压阻梁、第二压阻梁、第三压阻梁和第四压阻梁上分别布置有一个压敏电阻条，所述压敏电阻条的长度方向和其所在的压阻梁的长度方向相同，所述压敏电阻条通过金属引线以及金属焊盘连接形成惠斯通电桥。解决了传统梁结构上的压敏电阻条垂直梁结构所在直线布置，因此梁结构的宽度必须大于压敏电阻条的宽度导致梁结构不能做到较窄的问题。
一种压阻梁应力集中传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法-CN202010479167.6有效
发明人：赵立波;皇咪咪;陈翠兰;徐廷中;李学琛;杨萍;卢德江;王鸿雁;吴永顺;魏于昆;山涛;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;陕西省计量科学研究院
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离槽阵列结构的压力传感器芯片及其制备方法，属于MEMS压阻式压力传感器领域，传感器芯片由浮雕薄膜结构层和背腔结构层组成，浮雕薄膜结构层分为浮雕层和薄膜层，浮雕层由位于薄膜内部带圆角的十字形结构组成，浮雕结构与薄膜边缘相接处布置有压敏电阻条，压敏电阻条的有效长度沿着压阻系数最大的晶向，且每个压敏电阻条内部间隙布置隔离槽阵列结构，使应力集中在制备压敏电阻条的位置上，提高了传感器的灵敏度。金属引线将四个压敏电阻条两两连接形成两个电阻，且将压敏电阻条与布置在基底上的四个焊盘连接，并与外置相同阻值的两个电阻连接组成惠斯通全桥实现电信号的输入输出。背腔是C型腔结构，制作工艺简单。
一种隔离阵列结构压力传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种组合式薄膜pMUTs及其制备方法-CN201811037084.0有效
发明人：赵立波;徐廷中;李支康;郭帅帅;李杰;赵一鹤;赵玉龙;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种组合式薄膜pMUTs及其制备方法，组合式薄膜结构由圆形薄膜以及环绕在圆形薄膜周向，并与之同心的环形薄膜组成，其整体结构从上至下依次包括上电极、振动薄膜压电驱动层、下电极、振动薄膜结构层、薄膜支撑结构以及基底结构；用于超声波发射工作模式时，通过对圆形薄膜以及环形薄膜以一定的相位差进行激励，造成圆形薄膜‑流体介质‑环形薄膜之间的耦合作用，大幅提高单元超声发射功率；用于超声波接收工作模式时，圆形薄膜和环形薄膜均发生振动，产生可探测的电信号，同时通过圆形薄膜与环形薄膜结构在流体介质中的谐振频率偏差，实现超声的宽带宽接收性能。本发明提出的组合式薄膜结构pMUTs，具有高发射功率和宽带宽接收性能。
一种组合式薄膜 pmuts 及其制备方法

[发明专利]具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法-CN202110462410.8有效
发明人：赵立波;李学琛;韩香广;乔智霞;皇咪咪;李伟;徐廷中;杨萍;高漪;王鸿雁;关卫军;吴永顺;李支康;朱瑄;王久洪;魏于昆;山涛;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
具有应力集中结构传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种微压传感器芯片及其制备方法-CN202010476549.3有效
发明人：王鸿雁;赵立波;吴永顺;魏于昆;山涛;皇咪咪;徐廷中;陈翠兰;李学琛;蒋庄德 -专利权人：陕西省计量科学研究院;西安交通大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微压传感器芯片及其制备方法，传感器芯片主要构成包括应力膜、基底、压阻条、金属引线、防过载保护组件等。具体结构为在芯片结构基底上制作具有应力调节槽和应力集中槽的应力膜。应力膜边缘均匀分布四条应力集中槽，四个压敏电阻条布置在相邻两条应力集中槽端部之间，金属引线将压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥。芯片背腔的十字支撑梁和凸块两者之间的间隙进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果；主要制备流程包括：对经清洗后的SOI硅片制作压敏电阻条，再采用P型重掺杂制作欧姆接触区，然后制作金属引线和焊盘，再干法刻蚀应力集中槽和应力调节槽，接着制作芯片的背腔结构，最后将制作的芯片结构基底与防过载玻璃进行键合。
一种传感器芯片及其制备方法

[发明专利]一种通孔电容式微加工超声换能器及其制备方法-CN201910410680.7有效
发明人：赵立波;李杰;李支康;卢德江;赵一鹤;徐廷中;郭帅帅;刘子晨;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高发射功率、低工作电压的通孔式结构超声换能器及其制备方法，通孔式结构超声换能器包括振动薄膜、支柱，绝缘层以及下电极，其中，振动薄膜通过重掺杂形成上电极，其形状尺寸与空腔结构相一致，所述支柱刻蚀有空腔结构，所述空腔结构包括通孔空腔和常规空腔，通孔空腔的存在将传统结构单元中原本独立的常规空腔开通，促使各个单元通过通孔连接，将传统单元原有的周边固支改为四角固支，进而降低刚度，增大静电力作用区域，进而降低工作电压，提高机电耦合系数，增大发射功率以及填充比。
一种电容式微加工超声换能器及其制备方法

[发明专利]CMUTs谐振式生化传感器的低电压阻抗匹配方法及匹配网络-CN201910460830.5有效
发明人：赵立波;赵一鹤;李支康;李杰;杨萍;徐廷中;刘子晨;郭帅帅;卢德江;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了CMUTS谐振式生化传感器的低电压阻抗匹配方法及匹配网络，CMUTs谐振式生化传感器的低电压阻抗匹配方法，包括电压源，LC调谐网络，CMUTs等效电路网络以及负载网络。电压源，主要为LC调谐网络，CMUTs等效电路网络以及负载网络提供交流电压。通过LC调谐网络对CMUTs等效电路网络在并联谐振频率处电抗进行阻抗匹配，使其串并联谐振频率过零点。本发明使CMUTs在低电压下具有过零点的串并联谐振频率，所述阻抗匹配方法简单方便，能够使CMUTs在小于30V直流偏置电压下谐振，反射损失S11在谐振工作频率点减小到‑25dB～‑40dB之间，提高回波损耗S21大于‑3dB，降低了CMUTs功耗并提高传输效率。
cmuts 谐振生化传感器电压阻抗匹配方法匹配网络

[发明专利]具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法-CN202010478838.7有效
发明人：赵立波;皇咪咪;徐廷中;陈翠兰;李学琛;杨萍;卢德江;王鸿雁;吴永顺;魏于昆;山涛;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;陕西省计量科学研究院
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明公开了具有应力集中结构的压阻式压力传感器芯片及其制备方法，传感器芯片由浅槽薄膜结构层和背腔结构层组成。浅槽薄膜结构分为浅槽结构和薄膜结构，浅槽结构由沿薄膜边缘分布的四条浅槽和位于薄膜内部分布的正方形浅槽组成，应力集中在两条浅槽结构端部之间，分布的正方形浅槽则进一步集中和调节了应力分布，提高了传感器的灵敏度。在应力集中处均匀布置四个压敏电阻条，金属引线将四个压阻条连接组成半开环惠斯通全桥，并将电桥与布置在基底上的五个焊盘连接实现电信号的输入输出。背腔由半岛和岛屿组成，两者之间的空隙与两条浅槽结构端部相对应；半岛和岛屿提高应力的集中效果，并提高了传感器的刚度，使传感器的线性度得到提高。
具有应力集中结构压阻式压力传感器芯片及其制备方法

[发明专利]变频自聚焦混合驱动收发一体化PMUT单元及其制备方法-CN201910702717.3有效
发明人：赵立波;徐廷中;郭帅帅;李支康;杨萍;李杰;赵一鹤;刘子晨;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明公开了变频自聚焦混合驱动收发一体化PMUT单元及其制备方法，其将传统CMUT单元的塌陷工作模式与PMUT单元的驱动方式进行结合。在超声发射状态，通过调节偏置电压控制处于振动薄膜塌陷区域与传感器基底的贴合状态，实现对振动薄膜刚度的大范围调控。同时，结合PMUT输出灵敏度不受空腔高度约束的结构设计灵活性，实现PMUT单元的变频高能超声输出。在超声接收状态，通过各个PMUT单元处于塌陷模式下的电容变化量来对入射超声波进行感知，从而极大提高传感器的接收灵敏度。
变频自聚焦混合驱动收发一体化 pmut 单元及其制备方法

[发明专利]一种高品质因子压电悬臂梁密度传感器芯片及其工作方法和制备方法-CN202010333818.0有效
发明人：赵立波;黄琳雅;徐廷中;谭仁杰;李支康;杨萍;卢德江;王永录;王久洪;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质因子压电悬臂梁密度传感器芯片及其工作方法和制备方法，包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器，其中硅微悬臂梁谐振器包括微悬臂梁悬空结构、固支梁结构、压阻梁结构以及压阻衔接梁结构。通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜，双压电电极用于通入一定频率的交变电压并基于逆压电效应产生压电驱动力，四根压阻梁上的四个敏感电阻条通过压阻衔接梁上的金属引线连接构成惠斯通全桥，用于检测谐振应力并通过布置惠斯通电桥将其转化为电压信号输出，通过压电激励方式可以得到悬臂梁面外振动模态，该密度传感器芯片在流体中具备高灵敏度、高品质因子，能够显著提升流体密度测量的使用范围，测量精度与灵敏度高。
一种品质因子压电悬臂梁密度传感器芯片及其工作方法制备

[发明专利]一种内嵌拱形薄膜驱动的PMUT单元及其制备方法-CN202010537206.3有效
发明人：赵立波;郭帅帅;徐廷中;李支康;杨萍;李杰;赵一鹤;刘子晨;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌拱形薄膜驱动的PMUT单元及其制备方法，PMUT单元包括由上至下依次设置的振动薄膜、驱动层和衬底，驱动层包括支撑结构和驱动结构，衬底包括背腔、基底，其中背腔由驱动层和基底围合形成；驱动结构具有水平部分和多个拱形部分，拱形部分记为内嵌拱形驱动膜，内嵌拱形驱动层位于背腔正上方，水平部分下端面和基底上端面相接。该PMUT单元实现在振动薄膜面积相同情况下，提高谐振频率的目的，并使电极以及驱动层被密封在背腔中，与外界接触的只有起振动与支撑作用的振动薄膜，完全隔绝了PMUT芯片敏感元件部分与外界的直接接触，使PMUT更具耐久性。
一种拱形薄膜驱动 pmut 单元及其制备方法

[发明专利]一种电极形状调控的高超声波收发性能CMUTs-CN201910697282.8有效
发明人：李支康;赵立波;李杰;郭帅帅;胡开明;张文明;徐廷中;赵一鹤;刘子晨;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;上海交通大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极形状调控的高超声波收发性能CMUTs。常规CMUTs的上电极为圆形或多边形，至少覆盖悬空薄膜的中心区域；与常规CMUTs的上电极结构不同，本发明CMUTs的中空电极中心区域设置通孔，电极未覆盖悬空薄膜的中心区域。本发明所述中空电极设计可通过静电软化效应减小悬空薄膜中心与固支于支柱区域之间的薄膜区域的刚度，保持薄膜中心区域刚度不变，使得悬空薄膜发生类活塞式振动，从而增大整个悬空薄膜的平均位移，提高超声波的发射强度和接收灵敏度。本发明所提出的中空电极CMUTs解决了常规CMUTs超声发射与接收性能相互制约的问题，能有效实现超声波发射和接收性能的同时提高，且结构与工艺简单，可用于超声生物特征识别、3D超声姿态识别等空气耦合应用领域。
一种电极形状调控高超声波收发性能 cmuts

[发明专利]一种多功能薄膜高灵敏度CMUTs气体传感器及其制备方法-CN201910696430.4有效
发明人：李支康;赵立波;罗国希;赵一鹤;李杰;徐廷中;郭帅帅;刘子晨;贾钦相;王书蓓;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学;西安交通大学苏州研究院
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01N29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多功能薄膜高灵敏度CMUTs气体传感器及其制备方法，本发明采用石墨烯、二硫化钼以及MXenes(二维过渡金属碳化物或氮化物)等同时具有高弹性模量、气体敏感性以及导电性的多功能材料作为CMUTs敏感元件，即单层悬空薄膜同时用作CMUTs振动薄膜、上电极以及敏感材料层，实现了振动薄膜、上电极以及敏感材料层等多层复合薄膜的一体化设计，可有效减小薄膜质量、提高单元一致性以及谐振频率，进而可实现CMUTs气体传感器检测极限及检测灵敏度等综合性能的大幅提高。
一种多功能薄膜灵敏度 cmuts 气体传感器及其制备方法

[发明专利]CMUTS谐振式生化传感器的频率追踪电路-CN201910464805.4有效
发明人：赵立波;赵一鹤;李支康;李杰;杨萍;徐廷中;刘子晨;郭帅帅;卢德江;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：本发明公开了CMUTS谐振式生化传感器的频率追踪电路，包括偏置网络、阻抗匹配网络、CMUTs网络、负载电容网络以及BJT放大反馈网络。偏置网络为CMUTs提供直流电压且避免电流过载。阻抗匹配网络进行调谐使CMUTs形成串并联谐振区域。基于BJT和负载电容网络，形成振荡信号正反馈，实现CMUTs并联谐振点振荡信号实时输出。本发明使CMUTs在低电压下形成串并联谐振区域，所述谐振电路简单方便，启动时间为微秒级，可实时输出CMUTs谐振频率，对基于CMUTs谐振式生化传感器的便携式和实时检测应用具有重要意义。
cmuts 谐振生化传感器频率追踪电路

1
2
3
下一页»
尾页
共 31 条