专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路装置-CN202110570456.1在审
  • 黄昌善;金己焕;石韩率;林钟欣;张起硕 - 三星电子株式会社
  • 2021-05-25 - 2022-01-28 - H01L27/11563
  • 公开了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括位于基底上的非易失性存储器单元的垂直堆叠件,该垂直堆叠件被构造为存储器单元的垂直NAND串。非易失性存储器单元的这种垂直堆叠件包括通过对应的电绝缘层彼此间隔开的多个栅极图案。虚设模制结构也设置在基底上。虚设模制结构包括具有通过对应的电绝缘层彼此间隔开的牺牲层的垂直堆叠件。设置了绝缘图案,绝缘图案填充具有牺牲层的垂直堆叠件中的牺牲层中的第一牺牲层的凹陷形状的凹进。该绝缘图案具有与所述牺牲层中的第一牺牲层的上表面共面的上表面。
  • 集成电路装置
  • [发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202011308644.9在审
  • 张起硕;黄昌善;闵忠基;徐基银;林钟欣 - 三星电子株式会社
  • 2020-11-20 - 2021-05-25 - H01L27/11582
  • 本发明涉及三维半导体存储器件及其制造方法。该三维半导体存储器件可以被提供,其包括:在第一基板上的外围电路结构,该外围电路结构包括外围电路;在外围电路结构上的第二基板;在第二基板上的电极结构,该电极结构包括堆叠在第二基板上的多个电极;以及穿透电极结构和第二基板的穿透互连结构。该穿透互连结构可以包括下绝缘图案、在下绝缘图案上的模制图案结构、在下绝缘图案与模制图案结构之间的保护图案、以及穿透插塞。该穿透插塞可以穿透模制图案结构和下绝缘图案,并且可以连接到外围电路结构。该保护图案可以处于比电极中的最下面一个的水平低的水平处。
  • 三维半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]超低压降型电压调节器-CN200810126601.1有效
  • 张起硕 - 泰金技术株式会社
  • 2008-06-17 - 2009-02-11 - G06F1/26
  • 本发明涉及一种电压调节器,尤其是一种可以另外供应内部电路的动作电源且控制上述动作电源以处理芯片动作,从而减少备用电源的消耗并且在设计时尽量缩小芯片尺寸,可以对芯片的过负荷或过电压做出快速反应并稳定而确实地加以中止,即使在低电压输出时也具有超低压降特性(Ultra Low Dropout)的超低压降型电压调节器。
  • 低压电压调节器
  • [发明专利]电压调节器及其制造方法-CN200810111091.0有效
  • 张起硕 - 泰金技术株式会社
  • 2008-06-13 - 2009-01-07 - G05F1/56
  • 本发明为一种电压调节器及其制造方法,具有输入端子、输出端子与接地端子,其包括:基准电压生成单元,通过上述输入端子生成基准电压;电压分配单元,通过由按照多个固定图案排列的金属配线,与把上述金属配线选择性地相互连接,并使其激活的导电性金属配线图案所组成的激活电阻与反馈电阻,把输出端子的电压加以分配;放大单元,接受上述基准电压生成单元的基准电压与上述反馈的电压分配单元的分配电压并把差分放大;以及晶体管,通过上述放大单元的输出电压把来自上述输入端子的电源传输给上述输出端子。,从而得以减少电压调节器的芯片尺寸并通过制造工序的缩短而降低生产成本。
  • 电压调节器及其制造方法

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