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- [发明专利]超结功率器件及其制备方法-CN202010537277.3在审
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季明华;刘聪慧;王欢;杨龙康;张汝京
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2020-06-12
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2021-12-17
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H01L21/336
- 本发明提供一种超结功率器件及其制备方法，可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、形成第二导电类型阱之前或之后通过阱掩膜版，及在形成接触结构之前或之后通过接触掩膜版，即可形成包括元胞区第二导电类型浮岛及终端区第二导电类型浮岛，及终端区第二导电类型柱及终端区第二导电类型柱，无需进行多次外延工艺，且无需进行深沟道刻蚀，制备工艺简单，成本低，成品率及可靠性较高；元胞区第二导电类型浮岛及元胞区第二导电类型柱，可提高功率器件的击穿电压，降低米勒电容和输入电容，降低导通电阻，且终端区第二导电类型浮岛及终端区第二导电类型柱可提高终端耐压结构功效，减小终端所需的面积，以减小高压器件的整体面积。
- 功率器件及其制备方法
- [发明专利]沟槽栅结构及形成方法-CN202010356464.1在审
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季明华;杨龙康;徐怀花;王欢;张汝京
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2020-04-29
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2021-10-29
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H01L21/28
- 本发明提供了一种沟槽栅结构及形成方法，方法包括如下步骤：提供第一晶面族晶面的衬底；形成第一沟槽，其底面包含第一晶面族的晶面，其侧壁包含第二晶面族的晶面；在第一沟槽侧壁形成隔离层；对第一沟槽底部进行具有晶面选择性的湿法刻蚀并形成第二沟槽，其表面包含第三晶面族晶面；第三晶面族晶面原子排列密度高于第一晶面族和第二晶面族；去除隔离层，在第一沟槽侧壁及第二沟槽表面形成热氧化层，第二沟槽表面热氧化层厚度大于第一沟槽侧壁。本发明采用晶面选择性湿法刻蚀使沟槽底部呈特定晶面，并在热氧化后在沟槽底部形成更厚的栅氧化层，从而避免了底部栅氧化层较薄引发的器件失效问题，提升了器件击穿电压，改善了器件的可靠性。
- 沟槽结构形成方法
- [实用新型]一种新型双套管紫外灯管-CN202120130211.2有效
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张汝京;余洁闻;季明华;苏畅
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青岛昇瑞光电科技有限公司
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2021-01-18
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2021-10-19
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H01J61/34
- 本实用新型提供一种新型双套管紫外灯管，该新型双套管紫外灯管对第二电极做了较大改进，相比于传统的双套管紫外灯管，该新型双套管紫外灯管的第二电极能够紧密地贴合在第二石英玻璃管的内表面或外表面，有效解决了第二电极发生偏移的问题；同时，第二电极的设计增近了第二电极和第一电极的距离，相当于增大了第二电极和第一电极之间的电场强度，真空管腔内的汞蒸气或惰性气体更容易被电离激发出紫外线；作为第二电极的金属筒、金属网、或金属膜能够将真空管腔中发出的紫外线起到较强的反射作用，避免紫外线在灯管内被吸收或损耗。此外，将第一电极设置在第一石英玻璃管的内表面，能够有效地防止第一电极出现脏污而影响出光。
- 一种新型套管紫外灯管
- [发明专利]冷热冲击测试装置及测试方法-CN202010116819.X在审
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张汝京;蒋小金;孙明圣
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2020-02-25
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2021-09-10
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G01N3/60
- 本发明提供一种冷热冲击测试装置及方法。该装置包括腔体、真空泵及驱动单元；真空泵与腔体相连通，用于使腔体在工作过程中保持真空；腔体包括冷冲击室、热冲击室及样品承载室，冷冲击室和热冲击室位于样品承载室的两侧；样品承载室内设置有用于承载测试样品的样品承载盘，驱动单元与样品承载盘相连接，用于驱动样品承载盘，以将测试样品送至冷冲击室和/或热冲击室进行冲击测试。采用本发明的冷热冲击测试装置可在真空环境下进行冷热冲击测试，有助于降低功率损耗，提高测试效率及设备产出率，降低生产成本。依本发明的冷热冲击测试装置进行的冷热冲击测试方法操作简单，有助于提高测试精度及效率。
- 冷热冲击测试装置方法
- [实用新型]一种便携式具有消毒杀菌功能的驱蚊灯-CN202020849469.3有效
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张汝京;郑婷婷
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青岛昇瑞光电科技有限公司
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2020-05-20
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2021-03-16
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A01M29/10
- 本实用新型公开了一种便携式具有消毒杀菌功能的驱蚊灯，包括外壳体、灯体和供电电路，灯体和供电电路设置在外壳体的内部；外壳体包括壳体和壳盖，壳体的内部设置有供电电路和灯体，灯体包括印制电路板、第一灯珠和第二灯珠，印制电路板设置在壳体上，第一灯珠和第二灯珠分别设置在印制电路板上，壳体还设置有和手机充电口适配的接口；壳盖上设置有切换开关，供电电路与切换开关、和手机充电口适配的接口及印制电路板连接。该驱蚊灯同时具有驱蚊和紫外线消毒杀菌的功能，利用切换开关可以切换驱蚊模式和紫外线消毒杀菌模式；该驱蚊灯还包括和手机充电口适配的接口，直接利用手机为驱蚊灯供电，不需要提供额外的电源，提高了驱蚊灯的实用性。
- 一种便携式具有消毒杀菌功能驱蚊灯
- [发明专利]半导体器件结构及其制作方法-CN201811021268.8有效
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肖德元;张汝京
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2018-09-03
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2020-12-08
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H01L27/092
- 本发明提供一种半导体器件结构及其制作方法，结构包括：衬底；P型半导体沟道及N型半导体沟道，悬空于衬底上；栅介质层，包围P型半导体沟道及N型半导体沟道；栅电极层，包围栅介质层；P型源区及P型漏区，连接于P型半导体沟道的两端；N型源区及N型漏区，连接于N型半导体沟道的两端；其中，P型半导体沟道的P型离子掺杂浓度自P型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，N型半导体沟道的N型离子掺杂浓度自N型半导体沟道的表面朝中心逐渐减小，P型半导体沟道的截面宽度大于N型半导体沟道的截面宽度。本发明可以在单位面积下实现器件的多层堆叠，有效缩短沟道长度，降低短沟道效应，提高器件的负载能力及栅极对沟道的控制能力。
- 半导体器件结构及其制作方法
- [发明专利]三维电容器结构及其制作方法-CN201910334591.9在审
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张汝京;尹晓明;汪燕
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2019-04-24
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2020-10-30
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H01G4/30
- 本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法，结构包括：基底；堆叠结构，包括交替层叠的导电层及介质层，其两侧具有第一台阶结构及第二台阶结构；隔离层，形成于所述堆叠结构上，其形成有第一通孔组及第二通孔组并填充导电材料，第一通孔组通过第一台阶结构实现堆叠结构中奇数级导电层的引出，第二通孔组通过第二台阶结构实现堆叠结构中偶数级导电层的引出；第一电极及第二电极，形成于隔离层上。本发明的三维电容器呈自下而上的导电层与介质层三维堆叠而成，不需要在衬底上刻蚀高深宽比的电容孔及对高深宽比的电容孔的填充，大大降低了工艺难度以及工艺成本。本发明通过控制堆叠的层数可以实现非常高的电容密度。
- 三维电容器结构及其制作方法
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