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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110441232.0在审
发明人：罗翊仁;丘世仰;张庆弘;施江林 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括融熔接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第一装置晶圆与所述第二装置晶圆为相同类型的装置晶圆。本发明也提供一种半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110442227.1在审
发明人：罗翊仁;丘世仰;张庆弘;施江林 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括介电质对介电质接合接口和金属对金属接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第二装置晶圆电性耦合至所述第一装置晶圆，且所述第一装置晶圆与第二装置晶圆为相同类型的装置晶圆。本发明也提供一种半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN201910963664.0有效
发明人：施江林;吴珮甄;张庆弘;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一晶粒、一第二晶粒、一第一重新分布层、一第二重新分布层、一第一互连结构以及一第二互连结构。该第二晶粒叠置在该第一晶粒上，该第一重新分布层配置在该第一晶粒的一第一基底与该第二晶粒的一第二层间介电层之间，且该第二重新分布层配置在该第二晶粒的一第二基底上。该第一互连结构将该第一重新分布层连接到该第一晶粒的多个第一金属线的其中一个，且该第二互连结构将该第二重新分布层连接到在该第二层间介电层中的多个第二金属线的其中一个。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201811602473.3有效
发明人： 张庆弘;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置及其制作方法。该半导体装置包括一半导体晶圆、多个半导体芯片、以及多个第一保护坝。该半导体晶圆具有被多个竖直切割道及多个水平切割道区隔开来的多个功能区。该半导体芯片分别装设于所述功能区。所述第一保护坝设于所述竖直切割道及所述水平切割道，且与所述半导体芯片相间隔。该第一保护坝的高度不小于该半导体芯片的高度。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010577648.0在审
发明人：施江林;丘世仰;张庆弘;吴佩甄 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括半导体集成电路装置与重分布层结构。半导体集成电路装置具有顶面与延伸至顶面的电极。重分布层结构形成于半导体集成电路装置的顶面上。重分布层结构包括氧化层、氮化层、介电层、凹槽与穿孔。氧化层形成于顶面上。氮化层形成于氧化层上。介电层形成于氮化层上，并且具有大于氧化层与氮化层合计厚度的厚度。凹槽形成在介电层的顶侧上且重叠于电极。穿孔形成于凹槽的底部。穿孔从凹槽的底部通过介电层、氮化层与氧化层垂直地延伸至电极的部分。导电材料填充满穿孔与凹槽。如此，半导体结构的RLC表现得以获得改善。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202010946678.4在审
发明人：施江林;吴珮甄;张庆弘;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体部件、一重布线层、一接合介电质以及一隔离层。该重布线层设置在该半导体部件上，并电性耦接到该半导体部件。该接合介电质设置在该半导体部件上，以围绕该重布线层的一顶部。该隔离层设置在该半导体部件与该接合介电质之间，以围绕该重布线层的一底部。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]晶粒组件及其制备方法-CN202011140647.6在审
发明人：施江林;吴珮甄;张庆弘;丘世仰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供一种晶粒组件及其制备方法。该晶粒组件包括堆叠在一起的第一晶粒、第二晶粒、和第三晶粒。该第一晶粒包括多个第一金属线，其面对该第二晶粒的多个第二金属线，以及位于所述多个第二金属线之下的第二基板，其面对该第三晶粒的多个第三金属线。该晶粒组件还包括至少第一插塞、第一重分布层、和第二重分布层。该第一插塞穿过该第二基板以连接到所述多个第二金属线的至少一者。第一重分布层将所述多个第一金属线的至少一者物理性连接到所述多个第二金属线的至少一者，且第二重分布层将所述多个第三金属线的至少一者物理性连接到该第一插塞。
晶粒组件及其制备方法

[发明专利]一种准真实结构冰雹的建模方法及试验方法-CN202011580012.8在审
发明人：罗刚;张峰旗;陈伟;胡天辰;侯仁语;张庆弘;王昊鲲;张田朴 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种准真实结构冰雹的建模方法，采用统一本本构模型建立冰雹有限元模型的常规做法，通过建模、试验、验证、分析等手段获得不同密度冰的动态力学性能和本构模型，建立具有不同层厚的准真实结构冰雹几何模型，采用不同密度的冰的本构模型描述分层力学性能，建立数字化可快速编辑的准真实结构冰雹模型。本发明还提供了使用上述分层冰球模型的试验方法。
一种真实结构冰雹建模方法试验

[发明专利]一种可控制密度人造冰球制备装置与制备方法-CN202010848168.3在审
发明人：胡天辰;侯仁语;张庆弘;王昊鲲;张田朴;罗刚 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： F25C5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种可控制密度人造冰球制备装置，包括液压缸、若干上内芯、位于腔体内的若干下内芯；称取按预设密度计算的碎冰末/雪来实现可控密度，制作实验需要的指定密度冰球；通过使用液压缸操纵上内芯按规定速度下压，将碎冰末/雪在上内芯与下内芯之间压实为设定密度的人造冰球。同一比重的冰球往往需要进行多次试验，而具有并联结构的多个压缩杆可以实现小批量制作人工冰球，有利于提高试验效率。
一种控制密度人造冰球制备装置方法

[发明专利]半导体装置的制备方法-CN201911016679.2在审
发明人：吴珮甄;丘世仰;施江林;张庆弘;罗翊仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的制备方法。该制备方法包括提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一第一基底以及多个第一导体，所述多个导体配置在该第一基底上方；形成一第一互连结构，以穿经该第一基底并接触所述多个导体其中之一；在该第一基底与该第一互连结构上形成一接合介电质；将一第二晶圆接合在该第一晶圆上，其中该第二晶圆具有一第二基底、一第二层间介电层以及多个第二导体，该第二层间介电层配置在该第二基底的一第二前表面上，所述多个第二导体配置在该第二层间介电层内，其中该第二层间介电层接触该接合介电质；以及形成一第二互连结构，以穿经该第二基底，并穿入该第二层间介电层，且接触该第二导体与该第一互连结构。
半导体装置制备方法

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