|
钻瓜专利网为您找到相关结果 134个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种新型提锂脱嵌槽-CN202320557930.1有效
-
张治奎;张啸天
-
石家庄嘉硕电子技术有限公司
-
2023-03-21
-
2023-08-25
-
C22B26/12
- 本公开涉及电化学领域,尤其是涉及了一种新型提锂脱嵌槽,包括多个连续设置的阴阳提锂脱嵌单元;还包括电场发生装置,所述电场发生装置包括电场导电体和电场电源,所述电场导电体和所述电场电源电连接;所述电场导电体设置于最左端的所述阴阳提锂脱嵌单元的左侧和最右端的所述阴阳提锂脱嵌单元的右侧两个位置中的至少一个位置,电场导电体极性与其最近的阴极导电体或阳极导电体的极性相反。当提锂脱嵌槽处于工作状态,最左侧的阳极体与其中电场导电体之间存在电场,或最右侧的阴极体与电场导电体之间存在电场,阳极导电支撑板两侧涂覆材料反应同步,阴极导电支撑板两侧涂覆材料反应同步,即各阴阳提锂脱嵌单元的效能发挥是同步的。
- 一种新型提锂脱嵌槽
- [发明专利]三端导电桥随机存储器件结构及制备方法-CN202310587782.2在审
-
许磊;张啸天
-
上海交通大学
-
2023-05-23
-
2023-08-08
-
H10B63/00
- 本发明提供了一种三端导电桥随机存储器件结构及制备方法,包括:CBRAM1活性金属电极设置在金属衬底上,CBRAM1活性金属电极与金属衬底之间设置有阻变层;CBRAM2活性金属电极设置在金属衬底上,且CBRAM2活性金属电极与金属衬底之间设置有阻变层;金属衬底同时作为CBRAM1活性金属电极以及CBRAM2活性金属电极二者的相对惰性金属电极。本发明中的三端CBRAM器件结构及制备工艺简单,通过在金属衬底上直接限域生长阻变层薄膜,避免了额外的阻变层材料转移工艺带来的器件可靠性降低,充分利用了阻变层材料的绝缘及散热特性,可显著提高CBRAM的开关比、保持特性及循环特性。
- 导电随机存储器件结构制备方法
- [发明专利]一种橡胶剪切型竖向隔震装置-CN202310275362.0有效
-
吴宜峰;付江迪;李爱群;鲁松;张啸天;王子健
-
北京建筑大学
-
2023-03-21
-
2023-06-20
-
E04H9/02
- 本发明涉及隔震技术领域,提供一种橡胶剪切型竖向隔震装置,包括:上连接构件、下连接构件和橡胶板;所述上连接构件和下连接构件相对设置;上连接构件上设置有若干沿横向依次并列分布的上外伸板;下连接构件上设置有若干沿横向依次并列分布的下外伸板;上外伸板、下外伸板沿横向依次层叠设置,且下外伸板与上外伸板相互平行;每相邻的上外伸板和下外伸板的交叠处设置有橡胶板,且橡胶板与上外伸板连接,橡胶板与下外伸板连接。本发明的一种橡胶剪切型竖向隔震装置,其竖向受力体系由传统的橡胶支座或金属弹簧受压变成了橡胶受剪,可确保支座具有竖向刚度低、变形能力强、竖向阻尼高的特点,竖向隔震性能好。
- 一种橡胶剪切竖向装置
|