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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]超高速多通道等离子体感测装置-CN202111144219.5在审
  • 金容奎;崔范浩;金龙植;康光基;丁泓种;李淅镐;李承洙 - TOS株式会社
  • 2021-09-28 - 2022-07-15 - G01R31/52
  • 本发明涉及一种超高速多通道等离子体感测装置，包括：第一天线模块，所述第一天线模块与第一输出端连接，且接收通过所述基板泄漏的第一泄漏电流而能够提高泄漏电流的接收灵敏度，其中，所述第一输出端在工艺腔室的卡盘上与所述基板接触并向地面延伸；第一电流感测模块，所述第一电流感测模块感测所述第一泄漏电流；电流测量模块，所述电流测量模块接收从所述第一电流感测模块输出的所述第一泄漏电流，生成将其按设定的周期算出的第一泄漏电流测量信息；及控制模块，所述控制模块将所述第一泄漏电流测量信息与基准值进行比较而生成第一电弧产生信息。
  • 超高速通道等离子体装置
  • [发明专利]腔室分离型外膜生长装置-CN202011394094.7在审
  • 崔范浩;李承洙;曹永根;金龙植 - TOS株式会社
  • 2020-12-02 - 2021-10-12 - C23C14/08
  • 本发明主要提供一种腔室分离型外膜生长装置，其包括：反应腔室，具备生长空间；基板安装单元，配置于所述生长空间，用于安装基板；金属氧化物处理单元，在独立于所述生长空间处理金属氧化物，使所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板；砷供应单元，与所述基板相对配置，向所述基板供应砷离子；氧自由基供应单元，与所述基板相对配置，向所述基板额外提供氧自由基；真空调节单元，能独立地对所述反应腔室和所述金属氧化物处理单元的真空状态进行调节。
  • 分离型外膜生长装置
  • [发明专利]单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置-CN202011390424.5在审
  • 崔范浩;李承洙;曹永根;金龙植 - TOS株式会社
  • 2020-12-02 - 2021-09-17 - C30B23/02
  • 本发明提供一种单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置，包括：反应腔室，具备有内部空间；基板安装单元，配置于所述内部空间，能够安装基板；金属氧化物处理单元，处理金属氧化物，并使在所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板上；砷供应单元，与所述基板相对，将砷离子供应至所述基板；其中，所述金属氧化物处理单元包括：安装台，配置于所述内部空间，与所述基板相对，并且还设置有所述金属氧化物的氧化锌板；以及电子束照射器，向所述氧化锌板以直射的方式照射电子束，使所述氧化锌板上蒸发的锌离子和氧离子向所述基板移动。
  • 结晶金属氧化物半导体生长装置
  •  1 
  • 共 4 条
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