[发明专利]腔室分离型外膜生长装置在审
| 申请号： | 202011394094.7 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113493899A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 崔范浩;李承洙;曹永根;金龙植 | 申请（专利权）人： | TOS株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/30;C23C14/52;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道乌山市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明主要提供一种腔室分离型外膜生长装置，其包括：反应腔室，具备生长空间；基板安装单元，配置于所述生长空间，用于安装基板；金属氧化物处理单元，在独立于所述生长空间处理金属氧化物，使所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板；砷供应单元，与所述基板相对配置，向所述基板供应砷离子；氧自由基供应单元，与所述基板相对配置，向所述基板额外提供氧自由基；真空调节单元，能独立地对所述反应腔室和所述金属氧化物处理单元的真空状态进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 型外膜 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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