专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种稀铋半导体量子阱-CN201710356260.6有效
  • 岳丽;王庶民;张焱超;潘文武;王利娟 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2017-05-16 - 2019-05-03 - H01L33/06
  • 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱,从下到上依次包括:下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层;在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层,量子阱层的材料为GaXBi,下势垒层与上势垒层材料相同,为AlGaX或GaX,δ掺杂层的材料为S,Si,Se或Te,X为N,P,As,Sb。本发明引入δ掺杂层,有效扩展发光波长,与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比,δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度,而是使得量子阱对电子的束缚作用增强,不会降低发光强度,这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
  • 一种半导体量子

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