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[发明专利]磁存储装置-CN201910176396.8有效
发明人： 岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高电阻变化率及保持性的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置具备包含非磁性体、及设置在所述非磁性体上的积层体的磁阻效应元件。所述积层体包含设置在所述非磁性体上的第1强磁性体、与所述第1强磁性体交换耦合的第2强磁性体、及设置在所述第1强磁性体与所述第2强磁性体之间的磁性体。所述磁性体包含磁性元素、及选自碳化物、氮化物、及硼化物中的至少一种化合物。
存储装置

[发明专利]磁性存储装置-CN201810070684.0有效
发明人：村山昭之;岩崎刚之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;五十岚太一;伊藤顺一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：实施方式提供一种具备磁阻效应元件的磁性存储装置，其中所述磁阻效应元件具有合适的基底层。实施方式的磁性存储装置具备：导电性基底层(20)，具有非晶结构，且含有选自钼(Mo)、镁(Mg)、铼(Re)、钨(W)、钒(V)及锰(Mn)的至少1种第1特定元素；以及积层结构(30)，设置在基底层上，且包含具有可变磁化方向的第1磁性层(31)、具有固定磁化方向的第2磁性层(32)、及设置在第1磁性层与第2磁性层之间的非磁性层(33)。
磁性存储装置

[发明专利]存储装置-CN201910699919.7有效
发明人： 岩崎刚之;小松克伊;河合宏树 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：实施方式提供能够减少向开关元件施加的负载的存储装置。实施方式的存储装置具有第一导体、第二导体、电阻变化层、第一部分、以及第二部分。电阻变化层与第一导体或者第二导体连接。第一部分设于第一导体与第二导体之间，具有电阻值变化的第一阈值电压值。第二部分设于第一导体与第一部分之间以及第二导体与第一部分之间的至少一方，电阻值变化的第二阈值电压值比第一阈值电压值高。
存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202210223436.1在审
发明人：张洁琼;小松克伊;大坊忠臣;岩崎刚之;德平弘毅;河合宏树;竹平裕 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明实施方式提供具备能够谋求复位电流的抑制的相变存储器膜的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置为至少包含Ge、Sb、Te、Se的组成、且以通过至少Ge、Sb、Te这3种元素显示出相变存储器性的组成比中的相对于Te的设计组成比率包含Se的相变存储器膜。上述Se的组成比为33.6原子％以下。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202110576597.4在审
发明人：小松克伊;岩崎刚之;大坊忠臣;河合宏树 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：实施方式提供一种易于进行微细化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1电极及第2电极、设置在第1电极与第2电极之间的相变层、以及设置在第1电极与相变层之间的第1层。相变层包含锗(Ge)、锑(Sb)及碲(Te)中的至少一种，第1层包含铝(Al)及锑(Sb)、或者碲(Te)、以及锌(Zn)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)中的至少一种。
半导体存储装置

[发明专利]存储装置-CN201910690354.6在审
发明人：宇佐美贵德;石崎健士;北尾良平;小松克伊;岩崎刚之;坂田敦子 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制半选择漏电流的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；阻变元件，设置在第1导电层与第2导电层之间；及中间层，设置在阻变元件与第1导电层之间、及阻变元件与第2导电层之间中任一处，且包含硅(Si)及锗(Ge)中至少任一元素、碲(Te)及铝(Al)。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN201910176190.5在审
发明人： 岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。
存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置-CN201610066010.4有效
发明人： 岩崎刚之;藤本明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G11B5/714 文献下载
摘要：本发明的实施方式得到磁记录特性良好、且改善了耐腐蚀性的磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录再生装置。实施方式涉及的磁记录介质具有：基板；由Ni合金或Ag合金构成的取向控制层；与取向控制层接触而设置的非磁性种子层；以及，以Fe或Co、和Pt为主成分的垂直磁记录层，非磁性种子层由Ag粒子、Ge粒界和化合物X构成，化合物X选自Al、Ti、Cr、Si、Ta各元素的氧化物、氮化物和碳化物，且分布于Ag粒子和Ge粒界这两者中。
记录介质再生装置

[发明专利]判别肝疾病的病态的方法-CN201680019641.9在审
发明人：冈上武;吉村庆人;岩崎刚之;山崎一人;海老濑速雄;市原准二 -专利权人：社会福祉法人恩赐财团济生会;大日本住友制药株式会社
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：本发明在于提供一种非侵袭性且精度更高的判别非酒精性脂肪肝疾病等的肝疾病的病态的方法。一种判别非酒精性脂肪肝(NAFL)与非酒精性脂肪肝炎(NASH)的方法，该方法包括(1)测定从受试者采集的血液中所包含的标记分子的量的工序，(2)从基于同一组的上述标记分子的量算出的标准化分数求出指标值的工序，和(3)在上述指标值大于基准值时，判定为上述受试者可能患有NASH的工序。
判别疾病病态方法

[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置-CN201410742709.9在审
发明人： 岩崎刚之;藤本明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
记录介质再现装置

[发明专利]磁记录介质的制造方法-CN201410720604.3在审
发明人：渡部彰;木村香里;岩崎刚之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够得到基板与粒子之间的良好密合性的磁记录介质的制造方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：在基板上形成熔敷层，在熔敷层上形成含有硅的保持层，使用含有能够与熔敷层熔敷的金属的粒子在保持层上形成单粒子层，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻，将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触，通过加热使粒子与熔敷层熔敷，以及在单粒子层上形成磁记录层。
记录介质制造方法

[发明专利]垂直磁记录介质、其制造方法及磁记录再现装置-CN201410178875.0在审
发明人： 岩崎刚之;渡部彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明得到具有结晶取向性及低粒径分散性良好的磁性粒子且记录再现特性优良的垂直磁记录介质。实施方式涉及的垂直磁记录介质具有在基板上依次形成的、软磁性基底层、以具有面心立方结构的Ni为主成分得配向控制层、具有15％以下的间距分散的多个金属氧化物柱及包括在由多个金属氧化物柱划分的区域内生长的具有密排六方结构或面心立方结构的结晶微粒的粒径控制层以及垂直磁记录层。
垂直记录介质制造方法再现装置

[发明专利]图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法-CN201410165545.8在审
发明人：泷泽和孝;岩崎刚之;竹尾昭彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
图案形成方法制造以及记录介质

[发明专利]垂直磁记录介质及磁记录再现装置-CN201410068180.7在审
发明人： 岩崎刚之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供能得到磁性粒子的良好结晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录介质及使用其的磁记录再现装置。该装置具备：取向控制层，其由具有fcc结构的镍合金所构成；非磁性缓冲层，其包括具有fcc结构的银；非磁性种子层，其由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成；非磁性中间层，其且由钌或钌合金所构成；以及垂直磁记录层，取向控制层和非磁性缓冲层、非磁性缓冲层和非磁性种子层接触地形成。
垂直记录介质再现装置

[发明专利]光电转换层和其于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用-CN201410478173.4无效
发明人：藤本明;岩崎刚之;木村香里;泷泽和孝;中村健二;真竹茂 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
光电转换太阳能电池光电二极管图象传感器应用

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