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[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063344.3有效
发明人： 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063268.6有效
发明人： 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063272.2有效
发明人： 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R0为28原子％以下，且在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R100为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，且同时可良好地分离加工后的工件。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063343.9有效
发明人： 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述工件加工用片中，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的水接触角为50°以上80°以下，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法-CN202110240424.5在审
发明人： 小笠原孝文;田村和幸 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸并能够抑制研磨后芯片产生裂纹、且可抑制剥离时产生残胶的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片为具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，中间层及粘着剂层为能量射线固化性，50℃时的能量射线固化前的半导体加工用保护片的杨氏模量为600MPa以上。
半导体工用保护装置制造方法

[发明专利]半导体加工用保护片及半导体装置的制造方法-CN202110241404.X在审
发明人： 小笠原孝文;田村和幸 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸且能够抑制研磨后芯片产生裂纹的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层；并满足下述(a)及(b)：(a)在1Hz频率下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为0.40以上0.65以下；(b)在1Hz频率下测定的50℃时的该粘着剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为0.80以上3.50以下。
半导体工用保护装置制造方法

[发明专利]工件加工用片及半导体装置的制造方法-CN202010570571.4在审
发明人：山口征太郎;小笠原孝文;小田直士;渡边周平 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，所述活性能量射线固化性的粘着剂由至少含有丙烯酸类聚合物及增粘剂的粘着性组合物形成，所述增粘剂为亚烷基二醇改性松香酯。根据该工件加工用片，即使对于工件的活性面，也可抑制密合性过度上升，能够实现良好的工件加工。
工件工用半导体装置制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880094852.8在审
发明人： 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的水接触角大于80°，所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力为5000mN/25mm以下，在所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面上层叠包含甲基乙基酮的无纺布，并在23℃、相对湿度为50％的环境下静置15分钟后，使用所述无纺布擦拭所述面，对通过在23℃、相对湿度为50％的环境下静置1小时而干燥的所述面进行测定而得到的水接触角为50°以上、80°以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，同时能够良好地分离加工后的工件。
工件工用加工制造方法

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