“坂本美纱季”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063344.3有效
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063268.6有效
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063272.2有效
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，所述工件加工用片的特征在于，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R0为28原子％以下，且在所述粘着剂层内的位置中，在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处，利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R100为20原子％以上、29原子％以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，且同时可良好地分离加工后的工件。
工件工用加工制造方法

[发明专利]剥离检测标签-CN201980046116.X有效
发明人：网野由美子;佐伯尚哉;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G09F3/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种剥离检测标签，其是依次具有支撑体、形成在所述支撑体的表面的一部分的图案层、以及粘合性层叠体的层叠体，所述粘合性层叠体至少具有低弹性模量层(X)、高弹性模量层(Y)及粘合剂层(Z)，所述剥离检测标签是满足要件(1)、且低弹性模量层(X)具有与所述支撑体及图案层相接的表面、以及与高弹性模量层(Y)相接的表面的层叠体。要件(1)：通过使用了Abaqus的有限元素法进行解析，将所述剥离检测标签的粘合剂层(Z)粘贴于被粘附物后、从该被粘附物将所述剥离检测标签剥离时，对所述低弹性模量层(X)的最靠近支撑体侧的元素施加的最大垂直拉伸应力为0.19MPa以上。
剥离检测标签

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880063343.9有效
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明为一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述工件加工用片中，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的水接触角为50°以上80°以下，关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1，以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时，进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2，由粘着力的减小率(％)＝{(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20％以上50％以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面，边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
工件工用加工制造方法

[发明专利]工件加工用粘着片及其制造方法-CN202080007514.3有效
发明人：小田直士;坂本美纱季;山口征太郎;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种工件加工用粘着片，其具备基材和层叠在所述基材的单面上的粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性的粘着剂构成，该粘着剂由含有在侧链导入有活性能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物的粘着性组合物形成，所述丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度(Tg)为‑80℃以上、‑30℃以下，在所述基材的与所述粘着剂层接触的面上形成有含有吡咯烷酮类化合物的涂层。根据该工件加工用粘着片，可抑制工件上的残胶。
工件工用粘着及其制造方法

[发明专利]玻璃切割用粘着片材及其制造方法-CN201710196741.5有效
发明人：西田卓生;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种切割时不容易发生缺角及晶片飞散的玻璃切割用粘着片材、及其制造方法。所述玻璃切割用粘着片材具备基材、及层积于所述基材的至少一侧的面的粘着剂层，所述基材的厚度为30μm以上、不足130μm，将所述粘着剂层的与所述基材相反侧的面粘贴于无碱玻璃，在静置20分钟之后，所述玻璃切割用粘着片材对所述无碱玻璃的粘着力为10000～25000mN/25mm。
玻璃切割粘着及其制造方法

[发明专利]工件加工用片及经加工工件的制造方法-CN202011624811.0在审
发明人：高丽洋佑;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于提供一种即使在加热后，也能够良好地兼顾操作性与扩展性的工件加工用片。作为解决手段，第一，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的杨氏模量为2000MPa以下，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。第二，本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层，于120℃加热4小时后的所述基材的23℃下的断裂伸长率为100％以上，120℃下的所述基材的储能模量E’为33MPa以上。
工件工用加工制造方法

[发明专利]玻璃切割用粘着片材及其制造方法-CN201710196105.2有效
发明人：西田卓生;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种即使将薄的玻璃板切割成小晶片的情况下，也不容易发生缺角及晶片偏移的玻璃切割用粘着片材、及其制造方法。所述玻璃切割用粘着片材具备基材、及层积于所述基材的至少一侧的面的粘着剂层，所述粘着剂层由能量射线固化性的粘着剂形成，所述能量射线固化性的粘着剂由含有侧链上导入有能量射线固化性基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)的粘着剂组合物所形成。
玻璃切割粘着及其制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN202011052297.8在审
发明人： 坂本美纱季;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用膜，其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的60℃下的比热S60，且通过式：Z60＝Xmin/S60计算出的Z60为0.6以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
保护膜形成复合

[发明专利]玻璃切割用粘着片材及其制造方法-CN201710196435.1有效
发明人：西田卓生;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种切割时不容易发生晶片飞散的玻璃切割用粘着片材、及其制造方法。所述玻璃切割用粘着片材具备基材、及层积于所述基材的至少一侧的面的粘着剂层，所述粘着剂层的厚度超过9μm且为40μm以下。
玻璃切割粘着及其制造方法

[发明专利]工件加工用片及已加工工件的制造方法-CN201880094852.8在审
发明人：小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种工件加工用片，其具备基材与粘着剂层，所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成，所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的水接触角大于80°，所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力为5000mN/25mm以下，在所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面上层叠包含甲基乙基酮的无纺布，并在23℃、相对湿度为50％的环境下静置15分钟后，使用所述无纺布擦拭所述面，对通过在23℃、相对湿度为50％的环境下静置1小时而干燥的所述面进行测定而得到的水接触角为50°以上、80°以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂，同时能够良好地分离加工后的工件。
工件工用加工制造方法

[发明专利]切割片与半导体芯片的制造方法-CN201580056734.4有效
发明人： 坂本美纱季;西田卓生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种切割片(10)，其具有基材(3)与设置于其一个面上的中间层(2)、以及设置于中间层(2)上的粘着剂层(1)，粘着剂层(1)含有分子内具有能量线固化性双键的化合物，粘着剂层(1)固化前于23℃时的存储弹性模量G’大于中间层(2)于23℃时的存储弹性模量G’，对于粘着剂层(1)固化前的切割片(10)，以JISZ0237:2000为基准相对于硅镜面晶圆进行180°撕除粘着力试验时，所测得的粘着力为2000mN/25mm以上，粘着剂层(1)固化前于23℃时的损失因数tanδ为0.23以上。通过这种切割片(10)，即使将切割片(10)粘贴于半导体晶圆(30)上所得到的层叠体，在规定的时间内静置，也很难发生部分剥离。
切割半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体相关构件加工用片材以及利用该片材的晶片的制造方法-CN201580011622.7有效
发明人：高麗洋佑;西田卓生;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体相关构件加工用片材，本发明的半导体相关构件加工用片材(1)能够更加稳定地实现：提高半导体相关构件加工用片材的剥离性；及使具备利用半导体相关构件加工用片材由半导体相关构件制造的晶片的构件的可靠性不易降低，所述半导体相关构件加工用片材(1)具备基材(2)和设置于基材(2)的一面上方的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)含有具有能量射线聚合性官能基的能量射线聚合性化合物，能量射线聚合性化合物中的至少一种为具有分枝结构的聚合物即聚合性分枝聚合物，将半导体相关构件加工用片材(1)的粘着剂层(3)侧的面贴附于硅晶圆的镜面，并对半导体相关构件加工用片材(1)照射能量射线，以降低粘着剂层(3)对硅晶圆的镜面的粘着性，之后，将从硅晶圆剥离半导体相关构件加工用片材(1)而获得的、硅晶圆中的粘贴过半导体相关构件加工用片材(1)的镜面作为测定对象面，在25℃、相对湿度为50％的环境下，利用水滴测定出的接触角为40°以下。
半导体相关构件工用以及利用该片晶片制造方法

[发明专利]玻璃切割用粘着片及其制造方法-CN201710191565.6在审
发明人：西田卓生;坂本美纱季 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可抑制崩碎、有效地切割玻璃板的玻璃切割用粘着片、及其制造方法。本发明提供的玻璃切割用粘着片具备基材、及层叠于所述基材的至少一面的粘着剂层，其中，所述基材的厚度为30μm以上且小于130μm，所述粘着剂层在100℃下的储能模量为6～50kPa。
玻璃切割粘着及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条