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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872906.5有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872242.2有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872243.7有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN202180011969.7在审
发明人： 古濑骏介;吉冈浩孝 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：[问题]提供了一种发光装置及用于制造发光装置的方法，可以改善填充发光元件周围空间的膜的填充性能。[解决方案]根据本公开的发光装置设置有：基板；依次设置在基板的第一表面上的多个发光元件和多个电极；以及设置在基板的第一表面上以包围发光元件的膜。在第一表面为基板的下表面的状态下，膜的下表面的最下部设置在高于电极的下表面的位置。因此，例如，通过在将基板设置在另一基板上之前形成膜，可以改善填充发光元件周围空间的膜的填充性能。
发光装置及其制造方法

[发明专利]摄像装置、制造方法和基板分割方法-CN201680039846.3有效
发明人：山口征也;高地泰三;古濑骏介;大井上昂志;池边祐希 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了半导体装置和半导体装置形成方法，所述半导体装置包括：第一基板；以及第二基板，所述第二基板与第一基板相邻，其中，所述第二基板的侧壁包括一个或多个切割部，所述切割部可以包括刀片切割部和隐形切割部。本发明还提供了摄像装置和摄像装置形成方法，所述摄像装置包括：第一基板；透明层；粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间；第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间；以及凹槽，所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板，其中，所述凹槽填充有所述粘合剂层。
摄像装置制造方法分割

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201580002735.0有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201810223772.X在审
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
图像传感器光电二极管层基板光电二极管透明树脂层切割性能制造装置叠置侵入芯片挖掘制造

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