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[发明专利]具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置-CN201810769181.2在审
发明人：范秉霖;陈茂华 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置，包含：一光传感器、一讯号控制器、一物联网接口及一红外线LED阵列板；该光传感器感应一环境亮度产生一感应模拟电压，该讯号控制器连接于该光传感器，且针对该感应模拟电压进行处理，该物联网接口连接于该讯号控制器，且提供用户一操控接口来设定该红外线LED阵列板的启动或者关闭切换点及该红外线LED阵列板的亮度(功率)；该红外线LED阵列板连接于该讯号控制器，由该讯号控制器控制其启动或者关闭切换与亮度。
讯号控制器红外线LED 阵列板光传感器感应模拟电压物联网接口操控接口灯板装置控制能力切换点物联网摄影

[实用新型]具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置-CN201821111417.5有效
发明人：范秉霖;陈茂华 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有物联网控制能力的摄影红外线LED灯板装置，包含：一光传感器、一讯号控制器、一物联网接口及一红外线LED阵列板；该光传感器感应一环境亮度产生一感应模拟电压，该讯号控制器连接于该光传感器，且针对该感应模拟电压进行处理，该物联网接口连接于该讯号控制器，且提供用户一操控接口来设定该红外线LED阵列板的启动或者关闭切换点及该红外线LED阵列板的亮度(功率)；该红外线LED阵列板连接于该讯号控制器，由该讯号控制器控制其启动或者关闭切换与亮度。
红外线LED 讯号控制器阵列板光传感器感应模拟电压物联网接口灯板装置控制能力物联网本实用新型操控接口切换点摄影

[实用新型]高分辨率视频传输系统-CN201520784573.8有效
发明人：范秉霖;陈东荣;张启桢 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H04N7/015 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高分辨率视频传输系统，包括发送端模块及接收端模块。发送端模块压缩并封装第一视频数据为媒体存取控制讯框，并经由以太网电缆传送复数媒体存取控制讯框至接收端模块。接收端模块接收并解封装该复数媒体存取控制讯框为与该第一视频数据内容相同的第二视频数据。本实用新型可有效降低系统设置成本，并可有效传输高分辨率视频数据。
高分辨率视频传输系统

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN200910142509.9无效
发明人：廖作祥;范秉尧;刘懿儒 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括P-型衬底、N+型埋层、N型外延层、P型阱、N型阱、漏极区、源极区以及本体区，其中N+型埋层位于P型衬底与N型外延层之间，P型阱接触N+型埋层，源极区与本体区位于P型阱，N型阱位于N型外延层中，漏极区位于N型阱内，因此在施加高电压于漏极且P型衬底为接地时，由于N+型埋层隔离开P-型衬底与N型外延层，所以提高了与P型衬底的崩溃电压，因而能避免发生PN结崩溃。
横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管结构

[发明专利]音效电源供应结构-CN200910129686.3无效
发明人：廖作祥;范秉霖;曾垂森 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种音效电源供应结构，包括一通用序列总线(Universal Serial Bus，USB)电源供应源、一外部音讯源、一音效单元以及一外部喇叭，其中USB电源供应源提供USB电源给音效单元，使得音效单元获得USB电源后可接收外部音讯源所输出的音讯信号，并经适当音讯处理后，推动外部喇叭而产生具高质量音效的声音。
音效电源供应结构

[发明专利]一种高电压电流金属氧化物半导体电路结构-CN200910006817.9无效
发明人：范秉尧;谢明易;廖作祥;陈茂华 -专利权人： 宏海微电子股份有限公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种应用于实现高电压高电流金属氧化物半导体电路结构，包括：一深-N井、一位于NWD之内的P井、多个位于NWD与PW之内的n+掺杂区以及p+掺杂区、多个场效氧化区、一连接至一该掺杂区的基体、一连接至一掺杂区的源极、一连接至一掺杂区的漏极、及一位于源极与漏极之间的栅极，其中，半导体结构的上视图中的所有区域，包括该NWD、PW、FOX、n+掺杂区与p+掺杂区，不限定于任何特定形状，但呈现相互包围环绕的向外辐射的状态，且与基体连接的掺杂区为与源极连接的掺杂区所环绕，再依序由内向外分别被，与该栅极连接的掺杂区、FOX区、与漏极连接的掺杂区所包围，因此上视图呈现一环环围绕的重叠区域，并且使得电流能从源极以向外辐射方式流向漏极。
一种电压电流金属氧化物半导体电路结构