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[发明专利]晶片舟-CN201910839007.5在审
发明人： 安德利斯·里查 -专利权人：商先创国际股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：公开一种晶片舟，用于容置晶片，特别是半导体晶片的晶片舟。所述晶片舟具有至少两个长形容置元件。每个容置元件均由石英构成且具有横向于纵向延伸度的平行延伸的容置槽。此外，所述晶片舟具有若干长形支撑元件，其中每个容置元件均分配有至少一个支撑元件。所述支撑元件由不同于石英的第二材料构成。在所述晶片舟的工作定向上，所述支撑元件沿重力方向至少部分地位于相应的容置元件下方。所述晶片舟还具有两个端板，所述容置元件如此地布置和固定在所述端板之间，使得所述容置元件的容置槽彼此朝向。该第二材料例如可指SiC和Si‑SiC，但也可以采用任一其他材料，该材料的强度、形状稳定性和/或耐热性高于容置元件的材料，因而适于支撑容置元件。
晶片

[发明专利]钝化半导体衬底中缺陷的方法与装置-CN201680068294.9在审
发明人：汤玛斯·沛尔瑙;彼得·博科;汉斯-彼得·艾尔塞;沃尔夫冈·谢菲勒;安德利斯·里查;奥拉夫·罗默;沃尔夫冈·乔斯 -专利权人：商先创国际股份有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本文描述了用于钝化半导体衬底，特别是硅基太阳电池的缺陷的一种方法与一种装置。根据该方法，在第一处理阶段中对该衬底施加电磁辐射，其中施加于该衬底的辐射至少具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。在此过程中可导致该衬底的加热，亦可实施调温。随后，在该第一处理阶段之后的温度保持阶段中用电磁辐射照射该衬底，其中施加于该衬底的辐射主要具有小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；同时通过与被一冷却装置所冷却的涂层发生接触，来冷却该衬底的背离该电磁辐射的辐射源的一面。该装置具有包含长条形处理室的连续炉，该处理室具有至少三个先后配置的区(第一处理区、温度保持区及冷却区)及至少一用于容置该衬底且用于输送该衬底穿过所述区的输送单元。该装置还具有至少一第一辐射源，该第一辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元的位于该第一处理区内的区域，且该第一辐射源适于至少产生小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度；以及至少一第二辐射源，该第二辐射源能够将电磁辐射照射至该输送单元的位于该温度保持区内的区域，且该第二辐射源适于至少产生小于1200nm的波长及至少8000瓦/m2的强度。至少一第一冷却单元与该输送单元的位于该温度保持区内的区域发生导热接触。
衬底辐射源输送单元波长电磁辐射照射温度保持电磁辐射钝化半导体处理阶段施加冷却硅基太阳电池温度保持区导热接触冷却单元冷却装置辐射长条形处理区冷却区连续炉配置的调温容置加热背离穿过

[发明专利]晶片装载皿-CN201480074104.5在审
发明人： 安德利斯·里查;安德利斯·凯勒 -专利权人：山特森光伏AG
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种用于收纳晶片的晶片装载皿及用于处理半导体晶片的设备。晶片装载皿包括：由石英制成的至少两个细长收纳元件，每一收纳元件具有多个平行收纳槽，收纳槽横切于收纳元件的纵向延伸而延伸；以及两个端板，收纳元件配置并附接于两个端板之间，使得收纳元件的收纳槽彼此对准。为增加晶片装载皿的稳定性，晶片装载皿包括多个附接零件，收纳元件经由附接零件附接至端板，其中每一附接零件的圆周为包括接收槽的收纳元件的收纳区段的圆周的至少1.5倍，且其中每一附接零件经焊接或接合至以下各物中的至少一个：端板及收纳元件。在可与以上实施例组合的另外实施例中，收纳元件各自具有邻近于端板的至少一个松弛槽、较佳具有至少两个松弛槽，所述松弛槽的深度小于收纳槽的深度，其中当提供至少两个松弛槽时，松弛槽的深度随距端板的距离增加而增加。
晶片装载

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