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[发明专利]一种基于P型衬底的自举二极管结构及制造工艺-CN201510649420.7在审
发明人：胡浩;宁小霖 -专利权人：南京星焱微电子科技有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构，所述集成电路结构包含电子开关、电阻模块以及一种P型衬底上的半导体结构，该半导体结构内包含一个结型场效应管；通过电子开关以及半导体结构的其他部分对半导体结构内的结型场效应管的开启与关断进行控制，从而实现了与栅极驱动电路中自举二极管相同的功能；本发明还公开了该集成电路结构的制造工艺；本发明的工艺能简单的集成在本身的芯片工艺中，不会增加额外的工艺步骤，易于生产。
一种基于衬底二极管结构制造工艺

[发明专利]一种基于埋层结构的自举二极管及制造工艺-CN201510649684.2在审
发明人：胡浩;宁小霖 -专利权人：南京星焱微电子科技有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构，所述集成电路结构包含电子开关、电阻模块以及一种N型衬底上的半导体结构，该半导体结构内包含一个结型场效应管；通过电子开关以及半导体结构的其他部分对半导体结构内的结型场效应管的开启与关断进行控制，从而实现了与栅极驱动电路中自举二极管相同的功能；本发明还公开了该集成电路结构的制造工艺；本发明的工艺能简单的集成在本身的芯片工艺中，不会增加额外的工艺步骤，易于生产。
一种基于结构二极管制造工艺

[发明专利]一种BCD集成工艺-CN201410127091.5无效
发明人：胡浩;宁小霖 -专利权人：成都立芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCD集成工艺，包括以下步骤：选择N型轻掺杂厚外延衬底；在N型厚外延衬底上形成P型埋层；在P型埋层上生长N型薄外延层；N阱注入；P阱注入；推阱和场氧生长；注入、退火形成P型轻掺杂顶层；或者，注入、退火形成p型场区；栅氧生长；多晶硅栅形成；源漏形成。采用本发明所述工艺制作CMOS、DMOS器件和寄生PNP晶体管器件，可降低器件的导通电阻，提升产品性能，还可以节省横向的耐压长度，从而节省芯片面积，降低制造成本，并能实现VDMOS与LDMOS的并联使用。
一种 bcd 集成工艺

[发明专利]基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺-CN201410126232.1有效
发明人：胡浩;宁小霖 -专利权人：成都立芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BCD工艺的高压LDMOS器件及制造工艺，高压LDMOS器件包括衬底，衬底为N型衬底，N型衬底上为P型埋层，P型埋层上为N型薄外延层，N阱位于N型薄外延层的一侧，N阱靠近多晶硅的一侧为被场氧化层覆盖的P型轻掺杂顶层，另一侧为N型注入层，N型注入层向上延伸至漏极，P阱位于N型薄外延层的另一侧，P阱的中上部为p型场区，p型场区上有短接N型注入层和短接P型注入层，短接N型注入层和短接P型注入层的连接处向上延伸至源极，N阱和P阱的连接处有栅极氧化层，栅极氧化层上为多晶硅，多晶硅外接栅极。本发明所述LDMOS器件的耐压区长度较小，能在保证击穿电压不变的条件下大幅度减少器件的导通电阻。
基于 bcd 工艺高压 ldmos 器件制造