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[发明专利]LiWVO6-CN202010607150.4有效
发明人：刘亚晗;宋开新;季玉平;刘兵;徐军明;高惠芳;武军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了LiWVO6‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4，其中x为质量百分数(x＝60，65，70，75，80，90wt％)。K2MoO4陶瓷微波性能优异，烧结温度低，在540℃左右，εr～7.5，Qf～22300GHz，但其τf值为‑70ppm/℃。最近发现一种钒酸盐LiWVO6，具有单斜结构，在700℃下高温烧结得到的介电性能为：εr～11.5，Qf～13260GHz，τf～+163.8ppm/℃。本发明通过冷烧结的方法，在200℃以下制备致密化的LiWVO6‑K2MoO4复合陶瓷，获得近零谐振频率温度系数的(1‑x)LiWVO6‑xK2MoO4基复合陶瓷微波材料。该复合陶瓷材料可广泛应用于谐振器，滤波器等微波器件。
liwvo base sub

[发明专利]一种CaSnSiO5-CN202010045173.0有效
发明人： 季玉平;宋开新;张上;张欣杨;刘兵;徐军明;高惠芳;武军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。
一种 casnsio base sub

[实用新型]一种小型化低频压电晶体天线-CN202122149371.4有效
发明人：马杰;徐海林;黄亮;季玉平;叶建东;路大治 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及天线技术领域，尤其是一种小型化低频压电晶体天线，包括压电晶体板、交流高压极化电源单元和发射导行波信号馈电单元，压电晶体板由单轴铁电单晶体加工制作，其长度方向与晶体极化轴不正交；压电晶体板的上下两表面和长度方向的两端上分别设置有电极，交流高压极化电源单元与压电晶体板的上下两表面上的电极连接；发射导行波信号馈电单元与压电晶体板的长度方向两端上的电极连接；交流高压极化电源与发射导行波信号在压电晶体板内产生的合成极化电场幅度大于压电晶体板总极化矢量发生极性反转的矫顽场，本实用新型利用压电晶体在高于晶体矫顽场激励下其极化矢量变号的非线性铁电性，增大压电天线总极化强度变化值数十倍。
一种小型化低频压电晶体天线

[实用新型]一种自动化哑铃去毛刺设备-CN202023224163.8有效
发明人：丁树庆;季玉平;王淦 -专利权人：南通德创工业技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动化哑铃去毛刺设备，包括底座、轨道输送机构以及去毛刺机构；所述底座上安装有所述轨道输送机构，所述轨道输送机构包括输送轨道以及驱动所述输送轨道运转的驱动电机，所述输送轨道固定有若干个工件随行架，所述工件随行架上放置有工件；所述去毛刺机构安装在所述输送轨道侧部，所述去毛刺机构包括多组数控打磨机构，所述的数控打磨机构包括数控纵向进刀机构、数控横向进刀机构、砂轮驱动机构以及砂轮。本实用新型的一种自动化哑铃去毛刺设备，结构设计合理，能够实现对脱模的哑铃等工件全程自动化去毛刺处理，提高了去毛刺效率，且去毛刺效果好，提高了企业生产效率。
一种自动化哑铃毛刺设备

[发明专利]一种Li2-CN201910353613.6有效
发明人： 季玉平;宋开新;张欣杨;刘兵;徐军明;高惠芳;武军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种Li2MoO4‑Mg2SiO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4，其中x＝10，50，70，80，85，90或95wt％。该方法首先将氧化镁和二氧化硅以一定的化学计量比称量，球磨均匀，干燥，预烧得到Mg2SiO4。然后将制备好的Mg2SiO4与Li2MoO4原料以一定的重量比称量，加入15wt％的去离子水，混合均匀，将混合物在200℃，500MPa下热压60分钟，并在120℃下干燥24小时以除去残留的水分，得到超低温冷烧结xLi2MoO4‑(1‑x)Mg2SiO4复合陶瓷材料。相比于传统高温固相烧结(常常高于1000℃以上)，该方法烧结温度在室温到200℃之间，工艺简单，节约能源并可广泛应用于Li2MoO4‑Mg2SiO4复合陶瓷基片生产。
一种 li base sub

[实用新型]一种行程可调的旋转连接结构-CN201521015628.5有效
发明人：王俊杰;郭嘉;季玉平;顾开选 -专利权人：中科光源深冷科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： B65D43/16 文献下载
摘要：一种行程可调的旋转连接结构，包括箱盖，箱盖的下方设置有箱体，箱体的顶部设置有密封条，箱盖的右端面设置有螺母支撑板，螺母支撑板上设置有数个沿着前后方向等距布置的通孔，通孔内均设置有螺杆，螺杆的上方均设置有压紧螺母，螺杆的后方设置有上合页，上合页通过合页轴连接有下合页，下合页固定在箱体的右端面；压紧螺母的外圈设置为外六角；螺母支撑板上的通孔直径大于螺杆的外径。本实用新型结构合理、巧妙、行程调节方便、提高了连接件之间密封性能，避免了深冷箱低温收缩引起的密封问题，减少了能耗，推广应用具有良好的经济和社会效益。
一种行程可调旋转连接结构

[实用新型]一种防止深冷箱箱盖快关的阻尼安全装置-CN201521016097.1有效
发明人： 季玉平;郭嘉;顾开选;王俊杰 -专利权人：中科光源深冷科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： F16F9/32 文献下载
摘要：一种防止深冷箱箱盖快关的阻尼安全装置，深冷箱箱体顶面左右两侧均设置有凹槽，深冷箱箱盖的下端面与深冷箱箱体顶面凹槽的对应处也设置有凹槽，凹槽内设置有阻尼装置，阻尼装置由缸体、活塞杆、活塞A、空间A、活塞B、空间B、安装座组成，活塞杆的伸出端位于深冷箱箱体顶面的凹槽内，活塞杆的另一端与活塞A连接且位于缸体内一端；活塞B位于缸体内另一端且靠近安装座；安装座安装在深冷箱箱盖的凹槽内；空间A内的介质采用空气；空间B内的介质采用液压油；空间A的容积大于空间B的容积；活塞A、活塞B与缸体内壁接触处设置密封。本实用新型结构合理，在深冷箱箱盖关闭过程中起缓冲作用，能在坠落瞬间产生足够支撑力。
一种防止深冷箱箱盖快关阻尼安全装置

[发明专利]铝合金零件冷热循环尺寸稳定化处理工艺-CN201510904474.3在审
发明人：顾开选;季玉平;郭嘉;王俊杰 -专利权人：中科光源深冷科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C22F1/04 文献下载
摘要：铝合金零件冷热循环尺寸稳定化处理工艺，包括如下步骤：1）将粗加工后的铝合金零件以1～5℃/min的速率降温至-80～120℃，保温1-3h；2）继续以1～5℃/min的速率降至-120～-160℃，保温1～3h；3）继续以1～5℃/min的速率降至-196℃，再采用液氮浸泡10～36h；4）浸泡结束后以1～5℃/min的阶梯速率升温至100～180℃，保温2～6h，保温结束后随炉降温至室温；5）然后再按照步骤1）～步骤7）循环1～2次。本发明加工方便、加工效率高、有效降低了零件内部的宏观残余应力、稳定材料组织，从而提高了铝合金零件尺寸稳定性。
铝合金零件冷热循环尺寸稳定处理工艺

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