专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]利用废弃物电瓷制造复合物电瓷-CN202180084158.X在审
  • 尼古拉斯·伊洛宁;海利·詹图宁;贾里·朱蒂;米科·尼禄;图莫·斯彭科斯基 - 奥卢大学
  • 2021-12-15 - 2023-08-18 - C04B35/626
  • 一种制造复合物电瓷的方法,其包含获得烧结的电瓷废弃物材料。将废弃物材料研磨以获得颗粒尺寸为10‑400μm的第一陶瓷粉末。将第一陶瓷粉末与颗粒尺寸为0.5‑20μm的NaCl、Li2MoO4或其它陶瓷粉末按以下比例混合:60‑90vol%的所述第一陶瓷粉末以及10‑40vol%的NaCl、Li2MoO4或其它陶瓷粉末。将获得的陶瓷粉末混合物与NaCl、Li2MoO4或所述其它陶瓷的水溶液按以下比例混合:70‑90wt%的陶瓷粉末混合物,以及10‑30wt%的水溶液。将获得的均质物质在模具中在室温且100‑400MPa的压力下压缩2‑10min。将压缩的均质物质从模具中移除,从而获得电瓷复合物材料。备选地,可以使用有机金属前体化合物的水溶性盐。
  • 利用废弃物制造复合物
  • [发明专利]用废弃物电瓷制备复合物电瓷-CN202180084181.9在审
  • 海利·詹图宁;贾里·朱蒂;米科·尼禄;图莫·斯彭科斯基 - 奥卢大学
  • 2021-12-15 - 2023-08-11 - C04B35/626
  • 一种用于制造复合物电瓷的方法,其包含获得回收再利用的电容器、线圈、电阻器、导体、电路板和/或其它回收再利用的电子部件。可以将这些组件研磨成颗粒尺寸在2mm以下的颗粒,并与NaCl粉末或Li2MoO4或颗粒尺寸为5‑200μm的其它水溶性陶瓷粉末按以下比例混合:10‑40vol%任选研磨的组件以及60‑90vol%的NaCl粉末或Li2MoO4或其它陶瓷粉末。将所获得的固体混合物与NaCl、Li2MoO4或所述其它陶瓷的水溶液按以下比例混合:70‑90wt%的固体混合物以及10‑30wt%的水溶液。在室温、100‑400MPa的压力下,将获得的均质物质在模具中压缩2‑10min。将压缩的物质从模具中移除,从而获得电瓷复合物材料。
  • 废弃物制备复合物
  • [发明专利]三唑衍生物及其作为端锚聚合酶抑制剂的用途-CN202180058264.0在审
  • S·克劳斯;J·瓦勒;A·魏格特;R·G·G·林德斯;L·莱赫蒂奥 - 奥斯陆大学国家医院;奥卢大学
  • 2021-07-06 - 2023-05-16 - C07D401/14
  • 本发明涉及通式(I)的化合物、其互变异构体、立体异构体、N氧化物、药学上可接受的盐和前药,涉及用于所述化合物的制备的方法,涉及含有此类化合物的药物组合物并且涉及所述化合物在治疗中的用途:其中:虚线指示任选键;X表示:5元或6元不饱和杂环基团,该5元或6元不饱和杂环基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)、C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基)、‑CN、‑NO2、‑N(R)2和‑SO2R(其中每个R独立地为H或C1‑6烷基,例如H或C1‑3烷基);C3‑5环烷基基团,该C3‑5环烷基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个或2个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);或芳基基团,该芳基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);Y表示:芳基或杂芳基基团,该芳基或杂芳基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);5元或6元饱和杂环基基团,该5元或6元饱和杂环基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);或C3‑6环烷基基团,该C3‑6环烷基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个或2个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);并且Z表示:芳基基团,该芳基基团任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3
  • 衍生物及其作为聚合抑制剂用途
  • [发明专利]电陶瓷复合材料及其制造方法-CN202080086012.4在审
  • 米科·尼禄;图莫·斯彭科斯基;贾里·朱蒂;海利·詹图宁 - 奥卢大学
  • 2020-12-10 - 2022-07-22 - C04B35/46
  • 一种制造陶瓷复合材料的方法包括:形成可流动金属氧化物前体(102)和电陶瓷粉末(104)的组合物,用于用金属氧化物前体(102)覆盖电陶瓷颗粒(500)的表面,其中可流动金属氧化物前体是水不溶性的,对于电陶瓷粉末(104),颗粒(500)的大部分具有在50μm至200μm范围内的颗粒直径,并且颗粒的少部分具有小于所述范围的下限的直径,所述大部分具有各种颗粒直径。然后将100MPa至500MPa的压力施加到所述组合物,并在压力下将所述组合物暴露于热处理,所述热处理在预定义时间段内具有在100℃至500℃内的最高温度,以形成陶瓷复合材料。
  • 陶瓷复合材料及其制造方法
  • [发明专利]陶瓷复合材料-CN201880055581.5有效
  • 贾里·汉努;贾里·朱蒂;赫利·贾图南;米科·尼洛;托莫·斯波科斯基;汉娜·卡哈里 - 奥卢大学
  • 2018-06-28 - 2022-06-21 - C04B35/00
  • 一种制备陶瓷‑金属复合材料的方法,包括将陶瓷粉末溶解到水中获得陶瓷水溶液;将金属粉末与陶瓷水溶液混合以获得包含陶瓷沉积在金属颗粒表面的粉末,所述金属粉末具有多峰粒度且最大粒度是装置的最小尺寸的四分之一;将包含陶瓷沉积在金属颗粒表面的所述粉末与粒度尺寸在50μm以下的陶瓷粉末混合,以获得粉末混合物;将陶瓷的饱和水溶液添加到所述粉末混合物中以获得包括陶瓷和金属的水溶液复合物;压缩所述水溶液复合物以形成包括陶瓷和金属的陶瓷‑金属复合材料的盘状物;移除所述陶瓷‑金属复合材料的水分;所述盘状物中陶瓷的含量为10vol%‑35vol%。可替换的,还可以制备陶瓷‑陶瓷复合材料。
  • 陶瓷复合材料
  • [发明专利]一种光学半导体装置及其制造方法-CN201880044043.6有效
  • 博里斯·里夫金;尤金·A·奥鲁丁;尤哈·格斯塔莫伏娃 - 奥卢大学
  • 2018-06-28 - 2022-06-14 - H01S5/20
  • 一种光学半导体装置,以单个基本横向模式运行,所述光学半导体装置包括位于n掺杂包层与p掺杂包层之间的波导层。所述波导层包括第一波导部分,以及位于所述第一波导部分和所述p掺杂包层之间的有源层,所述有源层的位置不对称,其距离所述p掺杂包层比所述n掺杂包层更近。所述n掺杂包层的折射率大于或等于所述p掺杂包层的折射率。第一波导部分的第一端口与n掺杂包层相邻。第一波导部分的第二端口与有源层的第一端口相邻。所述第一波导部分具有大于或等于2×1017cm‑3的期望供体浓度,用于在高注入水平下,控制第一波导部分中与载流子浓度相关的内部光损耗。
  • 一种光学半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]距离成像设备和执行距离成像的方法-CN202110307407.9在审
  • 朱哈·科斯塔莫瓦拉 - 奥卢大学
  • 2021-03-23 - 2021-09-28 - G01S17/10
  • 距离成像设备包括半导体激光发射器、接收器和数据处理单元,半导体发射器的照射场和接收器的视场重叠。接收器包括二维布置并以盖革模式操作的单光子雪崩检测器元件。半导体激光发射器重复地产生光脉冲,单个光脉冲作为具有一个或多个条纹的光束输出,一个或多个条纹彼此平行、叠置并分离。从视场内的物体反射的光束的每个条纹照射单光子雪崩检测器元件的检测器元件配置。数据处理单元响应于光脉冲的产生而与重复产生的光脉冲同步地执行对探测器元件配置的单光子雪崩探测器元件的选择,光脉冲利用一个或多个条纹照射一个或多个探测器元件配置,并基于来自选择的单光子雪崩探测器元件的电信号确定与光脉冲的飞行时间对应的值以用于执行距离成像。
  • 距离成像设备执行方法
  • [发明专利]作为端锚聚合酶抑制剂的1,2,4-三唑衍生物-CN201980048153.4在审
  • S·克劳斯;M·纳扎雷;L·莱赫蒂奥;J·瓦勒;A·魏格特;R·G·G·林德斯 - 奥斯陆大学国家医院;柏林研究协会;奥卢大学
  • 2019-06-19 - 2021-03-09 - C07D401/14
  • 本发明涉及式(I)的化合物、其互变异构体、立体异构体、药学上可接受的盐和前药,涉及用于所述化合物的制备的方法,涉及含有此类化合物的药物组合物并且涉及所述化合物在疗法中的用途,其中虚线指示任选键;X表示:5元或6元不饱和杂环基,所述5元或6元不饱和杂环基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如,C1‑3卤代烷基)、C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基)、‑CN、‑NO2、‑N(R)2和‑SO2R(其中每个R独立地为H或C1‑6烷基,例如H或C1‑3烷基);C3‑5环烷基,所述C3‑5环烷基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个或2个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);或芳基,所述芳基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);Y表示:芳基或杂芳基,所述芳基或杂芳基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);5元或6元饱和杂环基,所述5元或6元饱和杂环基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);或C3‑6环烷基,所述C3‑6环烷基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个或2个)取代基取代:C1‑6烷基(优选地C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)和C1‑6烷氧基(例如C1‑3烷氧基);并且Z表示:芳基,所述芳基任选地被独立地选自以下的一个或多个(例如1个、2个或3个)取代基取代:卤素(即F、Cl、Br、I)、C1‑6烷基(例如C1‑3烷基)、C1‑6卤代烷基(例如C1‑3卤代烷基)、C1‑6烷氧基(例如C<
  • 作为聚合抑制剂衍生物
  • [发明专利]距离成像装置和方法-CN201980031852.8在审
  • J·考斯塔姆瓦拉;P·克拉那恩 - 奥卢大学
  • 2019-04-04 - 2020-12-29 - G01S7/484
  • 测距成像设备(100)中的发射器(102)的半导体激光源在重复的时刻产生光脉冲,并向目标区域(114)输出空间上分开的光束,从而半导体激光源输出每个光束在不同时刻彼此在空间上分离。接收器(104)的检测器(105)包括单光子子检测器单元,至少两组单光子子检测器单元具有朝向目标区域(114)的分离视场,并且至少基于分开的视场,两组子检测器单元与空间上分开的光束中的不同光束相关联。定时单元(106)基于来自与在其上输出的光束相关联的一组子检测器单元的信号,确定与在每个重复时刻输出的光脉冲的飞行时间相对应的值。说的时刻。在一个实施例中,半导体激光源包括多个子源单元,每个子源单元可以输出唯一的光束。在一个实施例中,定时单元(106)包括选择器和多个时间数字转换器(108)。接收器选择器将数个子检测器单元与数个时间数字转换器(108)相连接,该数个子检测器单元检测光脉冲(110)并且其数量与输出光束的数量相对应。在一个实施例中,设备(100)包括电源(192),该电源在每个重复的时刻向半导体激光源提供恒定的电力,以增加光束的亮度。细长光束可以通过激光二极管棒(几个发射条带)和柱面透镜系统或全息漫射器产生。部分重叠的光束可以在目标(112)上提供光束的照明矩形。
  • 距离成像装置方法
  • [发明专利]关节分析探头-CN201880092230.1在审
  • 杰罗姆·泰弗诺;西莫·萨拉卡拉;阿列克塞伊·蒂尔平 - 奥卢大学
  • 2018-04-10 - 2020-11-27 - A61B7/00
  • 关节分析探头(100).所述探头(100)包括框架(102)。所述探头(100)还包括嵌入所述框架(102)中的麦克风(106),所述麦克风被配置成以非接触方式测量来自受试者(160)的关节(162)的声音(108)。所述探头(100)还包括围绕所述麦克风(106)的凸起边缘(104),其配置和定位为当所述麦克风(106)测量来自所述关节(162)的所述声音(108)时与所述受试者(160)接触,由所述凸起边缘(104)衰减由所述麦克风(106)捕捉到的环境噪声(110)。
  • 关节分析探头
  • [发明专利]喇曼辐射的测量-CN201080052872.2有效
  • J·滕胡宁;J·科斯塔莫瓦拉 - 国家技术研究中心VTT;奥卢大学
  • 2010-10-08 - 2012-08-15 - G01J3/44
  • 喇曼辐射的测量。一种包括多个检测元件和一加法器的设备。每一检测元件接收和检测响应被引向该物体的至少一个光激励脉冲所形成的喇曼辐射谱的不同波段。该检测元件和/或加法器,接收在检测元件中启动检测结果的登记的命令以及在喇曼辐射期间或其后禁止登记的命令。该加法器分别登记在至少两个检测元件中喇曼辐射的检测结果,以便根据该检测结果,给出关于物体的数据。
  • 辐射测量

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